公开(公告)号：CN107532297B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201680022766.7

申请日：2016-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  马里奥·丹·桑切斯 ,  简国强 ,  杨义雄 ,  迪帕克·贾达夫 ,  阿什托西·阿咖瓦

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。

公开(公告)号：CN110603630A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880028147.8

申请日：2018-07-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  马里奥·丹·桑切斯 ,  张铀 ,  威廉·W·匡 ,  维诺德·康达·普拉斯 ,  曼朱纳塔·科帕

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及一种快速断接电阻温度检测器(RTD)加热器组件，其包括：第一组件，第一组件包括基座、基座轴杆、适配器、一或多个加热器电源终端及至少一个RTD；及第二组件，第二组件包括旋转模块及缆线组件，旋转模块具有中心开口，缆线组件部分设置在中心开口中并牢固地固定至旋转模块，其中第一组件可拆卸地耦合到第二组件，其中缆线组件包括一或多个电源插座，当第一及第二组件耦合在一起时，电源插座接收加热器电源终端，且其中缆线组件包括一或多个弹簧加载的RTD销，当第一及第二组件耦合在一起时，弹簧加载的RTD销接触到设置在第一组件中的至少一个RTD。

公开(公告)号：CN105051246B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201480006631.2

申请日：2014-01-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  汪荣军 ,  清·X·源 ,  唐先明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3408 ,  C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3476

Abstract: 双磁控管，特别有用于RF等离子体溅射，包括：径向静止开环磁控管(82)，包括相对磁极(90、92)且绕中央轴(14)旋转以扫描溅射目标(20)的外部区域；和径向可移动式开环磁控管(84)，包括相对磁极(96、98)且与该静止磁控管一起旋转。在处理期间(图2)，该可移动式磁控管以开口端邻接于该静止磁控管的开口端径向地放置于外部区域中，以形成单一开环磁控管。在清理期间(图3)，该可移动式磁控管的部分径向地向内移动以扫描及清理目标未被该静止磁控管扫描的内部区域。该可移动式磁控管可装设于臂(114)上，该臂于旋转碟状平板(100)的周边处绕轴(118)转动，该静止磁控管装设于该碟状平板，使得该臂离心地根据旋转速率或方向在径向位置间移动。

公开(公告)号：CN102939657B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180030291.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曹勇 ,  唐先民 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  伟·D·王 ,  刘振东 ,  凯文·莫雷斯 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  清·X·源 ,  阿南塔克里希纳·朱普迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/28079 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

公开(公告)号：CN103348037B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280007376.4

申请日：2012-02-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  汪荣军

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/50

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C19/03 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435

Abstract: 本发明的实施例提供用于物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)中的溅射靶及形成此种溅射靶的方法。在一个实施例中，溅射靶包含配置在背板上的靶层，及覆盖和保护所述背板的区域的保护涂层，所述保护涂层通常包含镍材料，背板的所述区域若无所述保护涂层则将于PVD工艺期间暴露于等离子体下。于多个实例中，所述靶层包含镍-铂合金，所述背板包含铜合金(例如，铜-锌)，且所述保护涂层包含金属镍。所述保护涂层消除通常因等离子体腐蚀所述背板的暴露表面内所含的铜合金而引起的高导电性铜污染物的形成。因此，于PVD工艺期间，基板和PVD腔室的内部表面不残留这类铜污染物。

公开(公告)号：CN102132382B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200980132709.4

申请日：2009-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  德米特里·鲁博弥尔斯克

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C04B35/581 ,  C04B40/0092 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明提供关于氮化铝挡板的方法与设备。在某些实施例中，一用在半导体处理腔室中的挡板可包括主体，其包含氮化铝和金属氧化物粘结剂，其中在主体表面上的氮化铝与金属氧化物粘合剂的比率大于或等于主体内部的比率。在某些实施例中，主体可具有中心杆和外部环形物，其耦合至中心杆下部并从此处向外径向延伸。在某些实施例中，挡板的制造方法可包含烧结铝、氮和金属氧化物粘结剂，以形成挡板的主体，主体具有过量的金属氧化物粘结剂配置在其表面上；及从主体表面移除大量的过量金属氧化物粘结剂。

公开(公告)号：CN103348446A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007994.9

申请日：2012-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  汪荣军 ,  清·X·源 ,  艾伦·A·里奇

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/34 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3441

Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于半导体处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说，在此描述的实施例涉及建立不对称接地路径的接地套件，该不对称接地路径经选择以显著地减少由偏离中心的RF功率输送所引发的不对称性。

公开(公告)号：CN115461856A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180031808.4

申请日：2021-04-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  利克尔·杜鲁坎

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开内容的实施方式大体上关于一种用于当使用加热的基板支撑件时改善膜厚度基板的设备。公开了一种用以放置在加热的基板支撑件的顶表面上方的盖板。盖板包括形成在盖板中间用于放置基板的腔穴。盖板可包括各种特征，包括多个凹坑、多个径向设置的凹槽、多个环形凹槽、提升销孔、销槽和气体排出孔。

公开(公告)号：CN112877675A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110047033.1

申请日：2016-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  马里奥·丹·桑切斯 ,  简国强 ,  杨义雄 ,  迪帕克·贾达夫 ,  阿什托西·阿咖瓦

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/452

Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。

公开(公告)号：CN109075023A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780021446.4

申请日：2017-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 拉维·贾勒帕里 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  利克尔·杜鲁坎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

Abstract: 描述外分配环及具有外分配环的气体分配设备以输送气体流动至处理腔室的处理区域。外分配环包含与多个开口流体地连通的至少一个充气部而形成多个沟槽，以允许气体自充气部经由所述开口流下外分配环的内周边面。