公开(公告)号：CN103125016B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280003093.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  野村刚 ,  奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  田边浩 ,  臼井幸也

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。

公开(公告)号：CN103295868A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310066970.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01J37/321 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及方法，其能够稳定且高效率地产生等离子体，并能够在短时间内高效率地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。该等离子体处理装置包括：开口部，其开口宽度大于1mm；电介质部件，其划定由环状空间构成的环状腔室，该环状空间与所述开口部相连通；气体供给配管，其用于将气体导入所述环状腔室的内部；线圈，其设置在所述环状腔室附近；高频电源，其与所述线圈连接；基材载置台，其用于将基材与所述开口部相接近地配置。

公开(公告)号：CN103178149A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210560048.9

申请日：2012-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤光央 ,  山西齐 ,  永井久雄 ,  奥村智洋 ,  中山一郎

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提高利用pin结型薄膜层构成的薄膜太阳能电池的转换效率。具体而言，提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法，该薄膜太阳能电池的内部包括层叠体，该层叠体包括：第一扩散层，其由具有p型或n型的导电性的半导体构成；成膜层，其由具有比第一扩散层低的导电性的半导体构成；和第二扩散层，其由具有与成膜层不同的极性的半导体构成，第一扩散层和第二扩散层的杂质浓度沿各自的膜厚方向梯度性地分布。第一扩散层的表面附近的杂质浓度比第一扩散层的与成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。第二扩散层的表面附近的杂质浓度比第二扩散层的与所述成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。

公开(公告)号：CN103125016A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201280003093.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  野村刚 ,  奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  田边浩 ,  臼井幸也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。

公开(公告)号：CN101258786B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200680032251.1

申请日：2006-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  伊藤裕之 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  中山一郎 ,  置田尚吾 ,  永井久雄

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。

公开(公告)号：CN102468143A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110343772.1

申请日：2011-11-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  中山一郎 ,  北冈太郎

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01L21/2236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种结构简单的等离子体掺杂方法以及装置，在等离子体炬单元(T)中，螺旋形的导体棒(3)配置在表面涂敷了硼玻璃的石英管(4)的内部，在其周围配置了黄铜块(5)。一边向筒状室内供应气体一边对导体棒(3)供应高频电力，从而使筒状室内产生等离子体，对基材(2)进行照射。

公开(公告)号：CN100539029C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680010228.2

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  中山一郎 ,  金成国

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口(11)将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。

公开(公告)号：CN100437912C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480024667.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  金成国 ,  田村秀贵 ,  中山一郎 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基极等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。

公开(公告)号：CN1320605C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03159751.3

申请日：2003-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/223

Abstract: 一种用于等离子体注入的方法及装置，其中基片被定位在安装于腔体中的工作台上，所述腔体被抽成真空且被输入所要注入的杂质。第一高频电源被加载到等离子体产生元件上，从而产生等离子体，以使腔体中的杂质被注入到基片中。另外，第二高频电源被加载到工作台上。对腔体中等离子体的状态和工作台中的电压和电流进行检测。控制器根据检测到的等离子体的状态和/或检测到的电压或电流，对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制，从而控制所要注入杂质的注入浓度。

公开(公告)号：CN1806314A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016193.4

申请日：2004-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  中山一郎 ,  金田久隆

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种在向基板导入杂质中能够进行高精度控制的杂质导入方法及杂质导入装置。在保持台(4)上载置被处理基板(5)并且由旋转驱动轴(13)旋转。在使真空泵(6)动作之后，停止利用真空泵(6)的排气，将计量腔室(7)内的一定量的等离子体发生用的物质(气体物质)通过喷嘴(14)导入到真空腔室(1)内。喷嘴(14)上具有多个微细喷嘴(19)，根据等离子体的激励强度，通过该微细喷嘴(19)在真空腔室(1)内产生空间上不均匀的气体流(15)。并且，由电源(3)驱动等离子体发生部(2)，对不均匀地导入到真空腔室(1)内的气体物质进行等离子体激励，在规定的时间内使被处理基板(5)暴露于等离子体中。