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公开(公告)号：CN102163564B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110026480.5
申请日：2011-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/29 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29313 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01031 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01034 , H01L2924/3512 , H01L2924/01028 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及接合结构体及接合结构体的制造方法。本发明非常希望实现功率半导体模块的高输出功率化，需要进一步提高接合部的耐热性，使得即使温度上升，用于将半导体元件与电极接合的接合部也不会熔融。本发明是一种接合结构体(1100)的制造方法，该方法是由半导体元件(1110)通过接合部(1130)与电极(1120)接合而成的接合结构体(1100)的制造方法，其特征在于，包括：焊锡球载放工序，该焊锡球载放工序中，将用Ni镀层(1231)覆盖Bi球(1232)的表面而成的焊锡球(1230)载放于已加热至Bi的熔点以上的温度的电极(1120)上；接合材料形成工序，该接合材料形成工序中，将焊锡球(1230)按压于经加热的电极(1120)上，使Ni镀层(1231)破碎，使熔融状态的Bi在经加热的电极(1120)的表面扩散，形成含有由Bi和Ni组成的Bi系金属互化物(1131)的接合材料(1130’)；以及半导体元件载放工序，该半导体元件载放工序中，将半导体元件(1110)载放于接合材料(1130’)上。
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公开(公告)号：CN102047398B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080001751.5
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52 , C22C12/00 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/49513 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/264 , B23K35/325 , B32B15/01 , C22C12/00 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/29084 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00015 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在半导体元件(102)的表面(102b)配置晶格与以Bi为主要成分的接合材料(106)不同的金属的层(105)，并且在晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)和半导体元件(102)的表面(102b)之间配置与接合材料(106)的化合物生成热为正值的元素的层(104)，藉此防止晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)的成分向半导体元件(102)扩散。
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公开(公告)号：CN103258802A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310041563.0
申请日：2013-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H05K7/20509 , F28F13/003 , F28F21/02 , H01L23/3677 , H01L23/373 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/24331 , Y10T428/30 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种石墨结构体及使用该石墨结构体的电子器件，该石墨结构体是将高热传导性材料的15μm以下的石墨板(1)层叠而成的石墨结构体。贯通所述石墨板(1)的层叠体的表面和背面的贯通孔(2)的内周面由厚度为10~200nm的Ti层(3)覆盖，并且在所述贯通孔(2)的内侧形成有连通孔(4)。根据该结构，能够维持石墨的高热导电率并实现薄型化和高可靠性。
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公开(公告)号：CN103155127A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049406.3
申请日：2011-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/30 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/018 , C22C1/0483 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L21/563 , H01L23/4827 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/2733 , H01L2224/29 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83065 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/00015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , B22F1/0003 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种具有优异的应力缓和性，同时具有耐热性的半导体接合结构体，它是通过焊锡材料将半导体元件(102)和电极(103)接合而成的接合结构体。接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102422403A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021256.0
申请日：2010-07-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/27462 , H01L2224/27472 , H01L2224/2901 , H01L2224/29019 , H01L2224/29082 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29187 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10335 , H01L2924/10375 , H01L2924/10376 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/01014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01031 , H01L2924/01049 , H01L2924/01016 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，包含以Bi为主要成分的接合材料，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。
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公开(公告)号：CN112108453A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010556783.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 松下电器产业株式会社
IPC: B08B3/12
Abstract: 本发明提供一种超声波处理装置以及超声波处理方法，能够有效且均匀地对被处理物进行超声波处理。超声波处理装置，用于对被处理物进行超声波处理，包含：处理槽，其装入第1液体；流路，其被配置成在所述处理槽内与所述第1液体接触，并且流过被处理物以及第2液体；以及超声波谐振器，其被设置于所述处理槽，所述流路具有间隔地与从所述超声波谐振器发出的超声波的行进方向至少相交2次，该间隔是该超声波的波长的1/2的整数倍±5％以内。
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公开(公告)号：CN102132390B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201080002443.4
申请日：2010-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K35/363 , C22C12/00
CPC classification number: C22C12/00 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K35/264 , B23K35/362 , B23K2101/40 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29144 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83439 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01007 , H01L2924/01031 , H01L2924/01049 , H01L2924/01016 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明是例如具有接合结构体的半导体零部件(100)，该接合结构体具备半导体元件(102)、与半导体元件(102)对置的电极(103)、连接半导体元件(102)与电极(103)的以Bi为主成分的接合材料，通过接合材料(104)含有碳化合物，与现在相比可以降低接合部被半导体元件和电极的线膨胀系数之差破坏的程度。可以提供由以Bi为主成分的接合材料将半导体元件和电极接合的接合结构体等，该接合结构体与现有产品相比可以提高接合部的可靠性。
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公开(公告)号：CN102292803A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005565.9
申请日：2010-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/3733 , H01L23/3736 , H01L23/49568 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29213 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , Y10T428/25 , Y10T428/256 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的目的在于提供一种既确保半导体元件与支承板之间有足够的接合强度、又提高来自半导体元件的发热向支承板的散热性的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置包括：支承板；形成于所述支承板上的电极表面处理层；半导体元件；以及焊料，该焊料在以Bi为主成分的第一金属的内部含有熔点高于所述第一金属的第二金属的粒子，并将所述电极表面处理层和所述半导体元件进行接合，在所述焊料的与所述半导体元件的中央部相对应的区域，所述第二金属的组分比率高于所述第一金属，在与所述中央部相对应的区域的外侧的区域，所述第一金属的组分比率高于所述第二金属，在与所述中央部相对应的区域内，所述第二金属的组分比率为83.8原子％以上。
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公开(公告)号：CN102163564A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110026480.5
申请日：2011-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/29 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29313 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01031 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01034 , H01L2924/3512 , H01L2924/01028 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及接合结构体及接合结构体的制造方法。本发明非常希望实现功率半导体模块的高输出功率化，需要进一步提高接合部的耐热性，使得即使温度上升，用于将半导体元件与电极接合的接合部也不会熔融。本发明是一种接合结构体(1100)的制造方法，该方法是由半导体元件(1110)通过接合部(1130)与电极(1120)接合而成的接合结构体(1100)的制造方法，其特征在于，包括：焊锡球载放工序，该焊锡球载放工序中，将用Ni镀层(1231)覆盖Bi球(1232)的表面而成的焊锡球(1230)载放于已加热至Bi的熔点以上的温度的电极(1120)上；接合材料形成工序，该接合材料形成工序中，将焊锡球(1230)按压于经加热的电极(1120)上，使Ni镀层(1231)破碎，使熔融状态的Bi在经加热的电极(1120)的表面扩散，形成含有由Bi和Ni组成的Bi系金属互化物(1131)的接合材料(1130’)；以及半导体元件载放工序，该半导体元件载放工序中，将半导体元件(1110)载放于接合材料(1130’)上。
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