公开(公告)号：CN104078928A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410073416.6

申请日：2014-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山添宏一 ,  田中毅

IPC: H02H3/24

Abstract: 本发明涉及一种电路断路器的欠电压跳闸装置和过欠电压跳闸装置。该欠电压跳闸装置包括欠电压检测单元(19)，该欠电压检测单元(19)将与电源(AC)的电压相对应的电压(Vx)和第一阈值电压(Vt1)进行比较并输出欠电压检测信号(Vd)。在连续输出欠电压检测信号(Vd)的情况下，延迟单元(20)输出励磁电流遮断信号(S2)。开关电路(13)根据励磁电流遮断信号(S2)来遮断供给至线圈(12)的励磁电流(Ic)。在向着线圈(12)的励磁电流(Ic)被遮断的情况下，遮断机构(14,15,17)遮断向着负载装置的电力的供给。延迟单元(20)包括电容器(C2)，并且将电容器(C2)的电压电平(S1)与阈值电压(Vt2)进行比较，以输出励磁电流遮断信号(S2)。

公开(公告)号：CN103650183A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280030969.2

申请日：2012-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  吉田真治 ,  泷川信一 ,  片山琢磨 ,  中西秀行 ,  田中毅

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

CPC classification number: H05B33/04 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提出能够在采用了半导体发光元件与荧光体的发光装置中抑制荧光体的劣化的发光装置，发光装置具备：封装(10)；安装在封装(10)上的半导体发光元件(5)；设置在封装(10)上的盖构件(50)；封闭封装(10)与盖构件(50)之间的空间的密封构件(30)；含有配置在被封闭的空间中的荧光体的荧光体含有树脂(40)。

公开(公告)号：CN103493202A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019936.8

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冲野彻 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  田中毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，具备：基板(30)、形成在基板(30)上的绝缘体层(31)、形成在绝缘体层(31)上的半导体层(32)、形成在半导体层(32)上的硅层(33)。硅层(33)具有多个像素部，该多个像素部各自具有：光电变换部(34)，其将光变换为信号电荷；和电路，其读出信号电荷。绝缘体层(31)的折射率比半导体层(32)的折射率小。

公开(公告)号：CN103430036A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014407.9

申请日：2012-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山添宏一 ,  田中毅 ,  神田雅隆 ,  盐川明实

IPC: G01R31/02 ,  H02H3/16 ,  H02H3/33

CPC classification number: G01R31/025

Abstract: 提供一种能够尽快识别出普通漏电和雷涌的漏电检测装置。本漏电检测装置具备：零相变流器(ZCT)(10)，交流电路贯通该零相变流器；积分运算部(20)，其对零相变流器(10)的输出电压进行积分；积分值比较部(30)，其在积分运算部(20)的运算结果大于规定范围的情况下，输出第一信号；波形判别部(40)，其检测零相变流器的输出电压波形的拐点并计数，在拐点的数量达到规定数的情况下输出第二信号；以及漏电检测部(50)，其在由积分值比较部(30)输出上述第一信号且由波形判别部(40)输出上述第二信号的情况下，输出表示交流电路中产生了漏电的漏电检测信号。

公开(公告)号：CN101689821B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880012659.1

申请日：2008-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  白石松夫 ,  森本笃史 ,  石川晃一

IPC: H02P6/08

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7787 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种电动机驱动电路。该电动机驱动电路包括三相变频电路(8)。该三相变频电路(8)中包括：驱动三相电动机(3)的各相的上臂的三个上臂侧开关元件(56a-56c)和驱动各相的下臂的三个下臂侧开关元件(56d-56f)。上臂侧开关元件(56a-56c)及下臂侧开关元件(56d-56f)中至少一种开关元件是作为二极管工作的半导体元件。作为二极管工作就是：将以第一欧姆电极S的电位为基准栅电极G的阈值电压以下的电压施加在栅电极G上，使从第一欧姆电极S流向第二欧姆电极D的电流流动，将从第二欧姆电极D流向第一欧姆电极S的电流切断。

公开(公告)号：CN100563032C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200410103700.X

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  田中毅 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/41 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/8128

Abstract: 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。

公开(公告)号：CN101523614A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038121.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101296535A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810095713.5

申请日：2008-04-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八幡和宏 ,  外野高史 ,  酒井启之 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H05B6/68

CPC classification number: H03H7/40 ,  H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  Y02B40/146

Abstract: 提供一种不会破坏高频发射装置而使固体振荡器稳定地工作、同时提高加热效率和可靠性的高频发射装置的控制方法。此控制方法包括：步骤(a)，从固体振荡器通过天线发射高频；步骤(b)，检测从天线返回固体振荡器的高频；步骤(c)，根据在步骤(b)的检测结果调节从固体振荡器向天线传播的高频的发射/传播条件；和步骤(d)，在步骤(c)之后，从固体振荡器通过天线对对象物发射高频。在步骤(c)中，进行固体振荡器的振荡频率的变更、固体振荡器中高频输出的变更、向固体振荡器提供的电源电压的变更及固体振荡器的输出阻抗和天线的阻抗的阻抗匹配的变更等。

公开(公告)号：CN101185158A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018786.3

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  田中毅 ,  上本康裕 ,  上田哲三 ,  柳原学 ,  引田正洋 ,  上野弘明

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786

Abstract: 在蓝宝石衬底(101)上，按顺序形成了氮化铝缓冲层(102)，不掺杂氮化钙层(103)，不掺杂氮化钙铝层(104)，p型控制层(105)，p型接线柱层(106)。还有，晶体管包括：与p型接线柱层(106)欧姆连接的栅电极(110)，设置在不掺杂氮化钙铝(AlGaN)层(104)的源电极(108)及漏电极(109)。通过向p型控制层(105)施加正电压，沟道内注入空穴，能够增加流过沟道的电流。

公开(公告)号：CN1151542C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN98120107.5

申请日：1998-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古川秀利 ,  野间淳史 ,  田中毅 ,  石田秀俊 ,  上田大助

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件及其制造方法是在基板上形成具有底部的介通孔后，在介通孔的至少侧壁上形成导电层。然后，为使导电层露出，将基板上介通孔形成侧的相反一侧的部分去除，对基板进行薄化处理。