公开(公告)号：CN108788449A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810360957.5

申请日：2018-04-20

Applicant: 信越聚合物株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 池野顺一 ,  山田洋平 ,  铃木秀树 ,  野口仁

IPC: B23K26/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B32B43/006 ,  C30B29/16 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02527 ,  B23K26/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。

公开(公告)号：CN108470675A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810166644.6

申请日：2018-02-28

Applicant: 唐为华

Inventor： 唐为华 ,  崔尉 ,  彭阳科 ,  陈政委 ,  郭道友 ,  吴真平

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/113

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1136

Abstract: 本发明公开了一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法，属于光电探测器及半导体晶体管技术领域。本发明提供的所述的晶体管按层次从下到上依次为：背栅极电极层、衬底层、光敏层和叉指电极层；衬底层使用p-Si/SiO2,在p-Si/SiO2衬底的SiO2层上制备生长氧化镓薄膜作为光敏层；在氧化镓薄膜上溅射Au/Ti电极得到叉指电极；再在p-Si/SiO2背面的Si层上溅射上金属Au薄膜作为背栅极电极。本发明制备过程简单，易于跟硅基器件集成；本发明的制备方法工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好且易于集成。所制备的器件结构可在栅压的调控作用下获得高的日盲紫外光电流增益。

公开(公告)号：CN104885195B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380068787.9

申请日：2013-12-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 森岛嘉克 ,  佐藤慎九郎 ,  俊藤健 ,  饭冢和幸 ,  仓又朗人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/22 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种晶体层叠结构体和包含该晶体层叠结构体的发光元件，晶体层叠结构体能实现光输出较高的发光元件，具有Ga2O3基板和氮化物半导体层。在一实施方式中提供一种晶体层叠结构体(1)，其具有：Ga2O3基板(2)；介电体层(3)，其以部分地覆盖Ga2O3基板(2)的上表面的方式形成于Ga2O3基板(2)上，与Ga2O3基板(2)的折射率之差为0.15以下；以及氮化物半导体层(4)，其隔着介电体层(3)形成于Ga2O3基板(2)上，与介电体层(3)和Ga2O3基板(2)的上表面的没有被介电体层(3)覆盖的部分接触。

公开(公告)号：CN103765593B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280043335.0

申请日：2012-09-07

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  独立行政法人情报通信研究机构

Inventor： 佐佐木公平 ,  东胁正高

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种高品质的Ga2O3系半导体元件。作为一个实施方式，提供Ga2O3系半导体元件（20），包含：n型β‑Ga2O3基板（2），在n型β‑Ga2O3基板（2）上形成的β‑Ga2O3单晶膜（3），在β‑Ga2O3单晶膜（3）上形成的源电极（22a）、（22b），在n型β‑Ga2O3基板（2）的与β‑Ga2O3单晶膜（3）相反侧的面上形成的漏电极（25），在β‑Ga2O3单晶膜（3）中形成的连接源电极（22a）、（22b）的n型接触区域（23a）、（23b），以及在β‑Ga2O3单晶膜（3）上介由栅极绝缘膜（26）形成的栅电极（21）。

公开(公告)号：CN106025026A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610557325.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  卓祥景 ,  姜伟 ,  汪洋 ,  童吉楚 ,  方天足

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02414 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。本发明还公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层制作方法。本发明形成高致密性的AlN缓冲层，有效释放缓冲层与衬底的应力，使得缓冲层的应力释放得更好，有利于改善生长于缓冲层上的氮化镓材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN105992841A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201480053760.7

申请日：2014-09-18

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  国立大学法人东京农工大学

Inventor： 后藤健 ,  佐佐木公平 ,  绞缬明伯 ,  熊谷义直 ,  村上尚

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/14 ,  H01L21/365

CPC classification number: C30B25/165 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4488 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24

Abstract: 提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，其是利用HVPE法的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含将Ga2O3系基板10暴露于氯化镓系气体和含氧气体，在Ga2O3系基板10的主面11上使β‑Ga2O3系单晶膜12以900℃以上的生长温度生长的工序。

公开(公告)号：CN105390578A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510878249.7

申请日：2015-12-04

Applicant: 天津三安光电有限公司

Inventor： 张东炎 ,  叶大千 ,  刘明英 ,  刘志彬 ,  高文浩 ,  王良均 ,  王笃祥

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物底层及其制备方法，属于光电器件制备领域，该氮化物底层具有很低的位错密度，可用于发光二极管等光电器件。其具体结构包含：衬底，低温氮化物层、三维氮化物层、二维氮化物层。其中，低温氮化物层采用分子束外延技术在富Ga的条件下生长，退火后低温缓冲层的厚度小于15nm，具有较高的厚度均匀性。采用该方法制备的氮化物底层位错密度在5E6/cm2以下，并且能够提升晶圆的表面良率。

公开(公告)号：CN103918061A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280050003.5

申请日：2012-10-12

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭塚和幸 ,  森岛嘉克 ,  佐藤慎九郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供Ga2O3基板上的氮化物半导体层上表面的位错密度低的结晶层叠结构体及其制造方法。在一个实施方式中，提供包括Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的由AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的缓冲层3、缓冲层3上的由含有氧作为杂质的AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的氮化物半导体层4的结晶层叠结构体1。氮化物半导体层4的Ga2O3基板2侧的200nm以上厚度的区域4a的氧浓度在1.0×1018/cm3以上。

公开(公告)号：CN103503148A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280016886.8

申请日：2012-04-03

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 佐藤慎九郎 ,  仓又朗人 ,  森岛嘉克 ,  饭塚和幸

IPC: H01L29/26 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267 ,  H01L29/47 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及包括该半导体层叠体的半导体元件。本发明提供包括将氧被六角网格状配置的面设为主面的Ga2O3基板（2）、Ga2O3基板（2）上的AlN缓冲层（3）、以及AlN缓冲层（3）上的氮化物半导体层（4）的半导体层叠体（1）。

公开(公告)号：CN101889347A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200880119750.3

申请日：2008-11-20

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/338 ,  H01L21/363 ,  H01L29/221 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/22 ,  H01L29/221 ,  H01L29/868 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明提供一种ZnO系半导体元件，能够在层叠侧主面具有C面的MgZnO基板上生长平坦的ZnO系半导体层。该ZnO系半导体元件采用主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板，并在以使所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴所形成的Φm角满足0＜Φm≤3的方式形成的主面上，使ZnO系半导体层(2～5)外延生长。然后，在ZnO系半导体层(5)上形成p电极(8)，在MgxZn1-xO基板(1)的下侧形成n电极(9)。这样，通过在MgxZn1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向规则地排列的台阶，能够防止台阶积累现象，并且提高层叠在基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。