公开(公告)号：CN1577839A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061991.0

申请日：2004-06-30

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 佐想亨

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K1/141 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/182 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09072 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/10477 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种混合集成电路，包括第一布线基板，第一布线基板包含多个信号线层和多个地导线层，每个信号线层和对应的一个地导电层组成了微带线；形成在第一布线基板中的腔体，在腔体的底部露出了其中一个地导电层；半导体芯片，安装在腔体内并具有固定到其中一个地导电层的底面；以及安装部件，安装到第一布线基板的上表面，但是不在腔体之上。

公开(公告)号：CN1162917C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN99110924.4

申请日：1999-06-16

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 水田正志 ,  葛原正明 ,  梨本泰信 ,  麻埜和则 ,  三好阳介 ,  望月康则

IPC: H01L29/812

CPC classification number: H01L29/812 ,  H01L27/095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 在栅电极(5)和漏电极(8)之间的沟道层(2)上的绝缘膜(6)上形成场控制电极(9)。氧化钽(Ta2O5)例如可以用做绝缘膜(6)的材料。

公开(公告)号：CN1161842C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN98102562.5

申请日：1998-06-29

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 加藤博

IPC: H01L29/72

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: 带有双极晶体管的半导体器件，可减少基极连接层和集电区之间的寄生电容；包括：具有主表面的半导体衬底，形成在衬底中的集电区、基区和发射区，形成在衬底主表面上并与集电区重叠的第一介电层，形成在第一介电层上并施加有特定电势的导电层，形成以覆盖导电层的第二介电层，形成在第二介电层上并与基区电连接的基极连接层，以及与基极连接层电连接的基极。发射区、基区和集电区构成双极晶体管，导电层与发射区电连接。导电层作为屏蔽电极，利用法拉第屏蔽效应，防止了在集电区和基极连接层之间产生寄生电容。

公开(公告)号：CN1154185C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN99119454.3

申请日：1999-09-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社 ,  株式会社渊上微

Inventor： 平沢宏希 ,  小野辉生

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5383 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/056 ,  H05K3/423 ,  H05K3/427 ,  H05K3/428 ,  H05K3/44 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09554 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/10924 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/0733 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层布线结构，包括下层布线、中间绝缘层、填充层、上层布线和电镀层。下层布线形成在引线框上。中间绝缘层形成在下层布线上，在预定的位置具有一个孔，露出下层布线的上部。填充层由导电材料构成，用于填充通孔。上层布线形成在中间绝缘层上，在形成通孔的部分上面具有一个开口。电镀层形成在上层布线上与填充层相连。同时还描述了生产多层布线结构的方法。

公开(公告)号：CN1490864A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03155062.2

申请日：2003-08-26

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 栗原俊道 ,  上田隆

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/50 ,  H01L21/67126 ,  H01L23/10 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/166 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种盖板件支架，用于在空心封装型电子产品的生产中形成封装电子元件的封装壳。由支架体(34、58、64、70、74、78、82、88、94)临时固定多个盖板件(36、62、68、72、76、80、86、92、98)。盖板件的排列成与外围壁组件(48)的排列相一致，外围壁组件由盖板件一次性全部地密封而形成封装壳，并使支架体临时固定盖板件，从而在盖板件完全地密封外围壁组件之后，在不从外围壁组件上取下盖板件的情况下，支架体能够与盖板件相分离。

公开(公告)号：CN1130808C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98124880.2

申请日：1998-11-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 大矢昌辉 ,  远藤健司

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。

公开(公告)号：CN1410791A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02143290.2

申请日：2002-09-25

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 吉泽哲

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: G02B7/027 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4237 ,  G02B6/4267 ,  G02B6/4268

Abstract: 一种用于对半导体发光器件与光纤光学耦合的半导体器件，包括：(a)将从半导体发光器件发出的光聚焦到光纤上的透镜(11)；(b)支撑透镜(11)的壳体(12)，所述壳体(12)包括圆柱形的第一部分(12a)、第二部分(12b)，所述第二部分在第一部分(21a)的上端与第一部分(12a)一体成型，并且在所述第二部分的中心形成开口(12d)，透镜(11)被适配安装在开口内，和圆柱形的第三部分(12c)从第一部分(12a)向上延伸超过第二部分(12b)；(c)环围透镜(11)设置的玻璃(13)，用于保持透镜(11)与开口(12d)间的密封；和(d)在第二部分(12b)的上/下表面形成增强件(14a、14b)，避免壳体(12)由于作用在壳体(12)上的应力产生变形。

公开(公告)号：CN1254014C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN02140174.8

申请日：2002-07-04

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 永野畅雄 ,  恩田和彦 ,  染井润一

IPC: H03K17/00 ,  H04Q3/52

CPC classification number: H04Q3/521

Abstract: 本发明提供了一种具有2×2矩阵SW的矩阵开关装置，其中，在前述2×2矩阵SW的后段具有SPDT开关，前述2×2矩阵SW及前述SPDT开关被半导体集成电路化并且相互形成为一体，前述2×2矩阵SW的2个输出端子中的一个以及前述SPDT开关的2个输入端子中的一个在半导体集成电路芯片上相互电连接，前述2×2矩阵SW的2个输入端子、前述2×2矩阵SW的前述2个输出端子中的另一个、前述SPDT开关的前述2个输入端子的另一个、以及前述SPDT开关的1个输出端子分别被前述半导体集成电路芯片。

公开(公告)号：CN1224100C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02127301.4

申请日：2002-07-31

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 中泽大望 ,  木村洋之

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L21/565 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/0094 ,  H05K3/284 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括：印刷线路板(11)；半导体芯片(13)，它安装在印刷线路板上；和模制树脂(15)，它形成在印刷线路板(11)上，覆盖半导体芯片(13)，其特征在于：至少一个金属布线(17a、17b、17c和17d)，它们形成在印刷线路板上向模制树脂(15)的外面延伸。所述金属布线(17a、17b、17c和17d)镀有与模制树脂(15)粘着力小的金属。在金属和模制树脂之间的交界表面起通道作用，在半导体装置被加热时，通过所述通道在半导体装置(10)内含有的水分向外逸出。

公开(公告)号：CN1672323A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03818142.8

申请日：2003-05-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 和田茂己 ,  渡边泰弘

IPC: H03F3/08

CPC classification number: H03F3/082 ,  H03F3/505 ,  H03F2203/45612 ,  H03F2203/45652 ,  H03F2203/45722

Abstract: 一种用于将放大信号通路与反馈信号通路分开的分离电路部分。放大电路部分包括电阻负载的共源极场效应晶体管、电平调整二极管和源极跟随器电路。分离电路部分包括：源极跟随器电路，它的输出部分与包含电阻的反馈电路部分连接，从而形成一个到放大电路部分输入端的反馈信号通路。信号分离电路用来分离放大信号通路和反馈信号通路，从而减小信号通路的负载。因此，放大信号通路和反馈信号通路的负载减小。调整分离电路部分增加的延时时间，使其中负反馈变化到正反馈的频率范围将与其中负反馈放大器部分增益减小的频率范围相一致，从而实现宽频带的增益。