公开(公告)号：CN1638055A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104567.X

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  田村聪之 ,  上田哲三

IPC: H01L21/302 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/30635 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，包括：在母基板(11)上形成氮化物半导体层(13)工序；在氮化物半导体层(13)上面的一部分形成、顺次为干式蚀刻掩膜层(14a)、电子释放层(14b)的导电性膜(14)工序；对氮化物半导体层(13)进行干式蚀刻工序；经导电性膜(14)使从氮化物半导体层(13)向外部释放电子，对氮化物半导体层(13)进行湿式蚀刻工序。根据本发明的制造方法，即便进行干式蚀刻也不形成损伤层。

公开(公告)号：CN1202291C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN98106378.0

申请日：1998-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2，然后，在该二氧化硅薄膜2上，形成单晶硅薄膜3，再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。

公开(公告)号：CN1180135C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN98106206.7

申请日：1998-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01S5/30

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明提供一种制备平坦性、结晶性优异的氮化镓厚膜晶体的方法。该方法包括通过在含镓的气氛中加热硅基板1、在基板表面形成含仅一个金属镓原子的生长核、使其与基板结合的第一工序、在上述硅基板1上形成第一氮化镓3的第二工序和在上述第一氮化镓3的上面于比上述第一氮化镓3的形成温度高的温度形成第二氮化镓4的第三工序。

公开(公告)号：CN1476108A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03148730.0

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/14

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。

公开(公告)号：CN102959686B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180030056.6

申请日：2011-04-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 海原一裕 ,  石田秀俊 ,  上田哲三

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。

公开(公告)号：CN103003930A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180033838.5

申请日：2011-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中健一郎 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种场效应晶体管，通过开口部（121.1）的形成，在第一半导体层（110）的上表面中的、上方未形成第二半导体层（120）的部分的至少一部分形成绝缘体（130.1）。在开口部（121.1），以覆盖绝缘体（130.1）的方式形成源极电极（S10）。源极电极（S10）形成为，与第一半导体层（110）和上述第二半导体层（120）之间的界面相接。

公开(公告)号：CN102859669A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201080066447.9

申请日：2010-11-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泷泽俊幸 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体晶体管，该氮化物半导体晶体管具备：异质结层(124)，其层叠了极化互不相同的多个氮化物半导体层；和栅电极(113)，其形成在异质结层(124)之上。在异质结层与栅电极之间形成有具有p型的导电性、并使空穴电流流过且抑制电子电流的电子电流抑制层(125)。

公开(公告)号：CN102484124A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN102334181A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200980157498.X

申请日：2009-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中健一郎 ,  上田哲三 ,  松尾尚庆 ,  引田正洋

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/52 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L23/053 ,  H01L23/562 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/225 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L2224/72 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00

Abstract: 晶体管安装体的制造方法具备：形成晶体管(100)的步骤(a)；对形成基板(101)进行研磨的步骤(b)；和将对形成基板(101)进行了研磨后的晶体管(100)固定于保持基板(200)的步骤(c)。步骤(a)在形成基板(101)的主面上依次形成第1半导体层以及比该第1半导体层带隙大的第2半导体层。步骤(b)对形成基板(101)的与主面相反侧的面进行研磨。步骤(c)在将形成基板(101)的翘曲变小的方向的应力施加于形成基板(101)的状态下将晶体管(100)固定于保持基板(200)上。

公开(公告)号：CN102244097A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110162070.3

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。该氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。