-
公开(公告)号：CN118854233A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410821344.2
申请日：2013-08-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
-
公开(公告)号：CN108604533B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201680074710.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 汪荣军 , 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 慈航·清 , 唐先民
Abstract: 本文公开用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，工艺腔室包含：腔室主体，限定内部空间；基板支撑件，在内部空间内支撑基板；多个阴极，耦合至腔室主体并且具有对应的多个靶，多个靶被溅射至基板上；和屏蔽物，可旋转地耦合至腔室主体的上部并且具有至少一个孔以暴露多个靶中至少一个被溅射的靶，和设置于屏蔽物的背侧中的至少一个袋以容纳和覆盖多个靶中至少另一个不被溅射的靶，其中屏蔽物经配置以绕着处理腔室的中央轴旋转并且沿着处理腔室的中央轴线性移动。
-
公开(公告)号：CN114929930A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008729.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如，用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体；处理套件，该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件；和ACT和控制器，该ACT连接到该基座，该控制器经配置使用该ACT来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差，其中该预定电势差是基于该ACT的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
-
公开(公告)号：CN112335064A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040112.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式关于用于磁性隧道结堆叠的制造的系统及方法。此制造可经由包括以下步骤中的一或多个的方法发生：(1)在种晶层的沉积之前，在缓冲层沉积在基板上之后加热该基板；(2)在结构阻挡层的沉积之前，在第二钉扎层的沉积之后冷却该基板；(3)在隧道势垒层的沉积期间加热该基板且接着在该隧道势垒层的沉积完成之后冷却该基板；(4)在磁性存储层沉积在该隧道势垒层上之后加热该基板；及(5)在沉积覆盖层的第一夹层之前，在该磁性存储层的沉积之后冷却该基板。
-
公开(公告)号：CN108604533A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680074710.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 汪荣军 , 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 慈航·清 , 唐先民
CPC classification number: H01J37/3441 , C23C14/082 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , H01J37/32477 , H01J37/3429
Abstract: 本文公开用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，工艺腔室包含：腔室主体，限定内部空间；基板支撑件，在内部空间内支撑基板；多个阴极，耦合至腔室主体并且具有对应的多个靶，多个靶被溅射至基板上；和屏蔽物，可旋转地耦合至腔室主体的上部并且具有至少一个孔以暴露多个靶中至少一个被溅射的靶，和设置于屏蔽物的背侧中的至少一个袋以容纳和覆盖多个靶中至少另一个不被溅射的靶，其中屏蔽物经配置以绕着处理腔室的中央轴旋转并且沿着处理腔室的中央轴线性移动。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104246980B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201380020953.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
IPC: H01L21/203 , H01L33/02 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L29/205 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在实例中,制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
-
公开(公告)号：CN102187431B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200980141150.1
申请日：2009-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/32082 , H01J37/3408 , H01J37/347 , Y10T156/10
Abstract: 本发明一般包括可用于射频溅射处理的溅射靶组件。溅射靶组件可包括背板以及溅射靶。背板可成形成具有一个或多个从背板朝溅射靶延伸的鳍件。溅射靶可接合至背板的鳍件。溅射处理期间使用的射频电流将可施加至位于一个或多个鳍件位置的溅射靶。鳍件可于对应于配置在背板后的磁控管所制造的磁场的位置从背板延伸。藉由控制射频电流耦合至对准磁场的溅射靶的位置，可控制溅射靶的腐蚀。
-
公开(公告)号：CN102439697A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
-
公开(公告)号：CN119768908A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380064123.9
申请日：2023-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532
Abstract: 用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺，该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料，选择性TiSi沉积工艺对硅基材料有选择性。方法亦包括在MOL接触结构上执行金属材料的选择性沉积工艺。相对于介电材料，选择性沉积工艺对TiSi材料有选择性且在硅基连接部分上形成硅化物封盖层。方法进一步包括在接触结构上执行金属材料的种晶层沉积工艺。
-
公开(公告)号：CN119053234A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411064888.5
申请日：2019-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆叠。利用含铁氧化物覆盖层产生合乎需要的PMA。通过利用含铁氧化物覆盖层，可以更精细地控制覆盖层的厚度，并且减少了在磁性存储层和覆盖层的界面处对硼的依赖。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.035 seconds)
