公开(公告)号：CN100535200C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200580008118.8

申请日：2005-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 森勇介 ,  峯本尚 ,  北冈康夫 ,  木户口勋 ,  川村史朗 ,  佐佐木孝友 ,  梅田英和 ,  高桥康仁

IPC: C30B9/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1064 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。

公开(公告)号：CN101431216A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810184662.3

申请日：2004-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0625 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。

公开(公告)号：CN101431215A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810184661.9

申请日：2004-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0625 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。

公开(公告)号：CN101047301A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1976145A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610125744.1

申请日：2006-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村泽智 ,  高山彻 ,  木户口勋

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件。该元件在衬底(101)上包括发光部，该部具有第一包覆层(103)，形成在其上的活性层(104)，形成在其上、具有将电流注入活性层(104)中的脊状条部(111)的第二包覆层(105)及形成在脊状条部(111)两侧、将电流约束到脊状条部(111)中的电流约束层(109)。从电流约束层(109)下表面到活性层(104)上表面的距离(d1)具有规定范围内的值。电流在流过脊状条部(111)后，到达活性层(104)前分散到宽度大于或等于脊状条部(111)宽度的范围。因此能提供纵模能在广泛的温度范围内稳定地维持多模式振荡特性及温度特性，并且温度特性很良好的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1961432A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580013357.2

申请日：2005-04-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  岛本敏孝 ,  长谷川义晃 ,  川口靖利 ,  木户口勋

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。

公开(公告)号：CN1922772A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005185.4

申请日：2005-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛本敏孝 ,  川口靖利 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。

公开(公告)号：CN1886875A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035275.3

申请日：2004-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/062

CPC classification number: H01S5/0625 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。

公开(公告)号：CN1610138A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410086095.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勋 ,  塚本和芳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/02 ,  Y10S438/94 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。

公开(公告)号：CN1604412A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410087416.8

申请日：2004-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山根启嗣 ,  上田哲生 ,  木户口勋 ,  河田敏也

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种制造半导体器的方法。作为用电介质膜涂覆谐振腔的端面的制备步骤，对作为端面的半导体叠层结构的解理面进行等离子体清洗以阻止吸收激光的导电膜粘附在解理面。在等离子体清洗期间，将含有氩气和氮气的第一处理气体引入真空的ECR溅射装置。在不施加电压的情况下将解理面暴露于处于等离子体态的第一处理气体中一段时间之后，引入含有氩气和氧气的第二处理气体，并当对硅靶施加电压时，将解理面暴露于处于等离子体态的第二处理气体中。