公开(公告)号：CN100364054C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN03127235.5

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，一边由供气装置将规定的气体输入真空容器内，一边用泵排气，将真空容器内保持在规定的压力的同时由高频电源向线圈施加高频功率。在真空容器内产生等离子体后，降低真空容器内的压力，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，慢慢减小真空容器内的压力的同时慢慢增大高频功率，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，高速采集向试样电极供给的高频功率的行进波功率Pf及反射波功率Pr，在功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。

公开(公告)号：CN101093801A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710111993.X

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/223 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1msec～100msec的间隔采集功率差Pf－Pr的值的取样器，在上述功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。

公开(公告)号：CN101076879A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580042734.5

申请日：2005-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  伊藤裕之 ,  水野文二 ,  奥村智洋

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265

Abstract: 目的是实现一种能够精确控制剂量来改善剂量的面内均匀性的等离子体掺杂方法。该等离子体掺杂方法基于这样的发现而且注意到结果，如果通过用B2H6等离子体照射硅基板且该硅基板被偏置，则对于一时间段硼的剂量基本固定，且比可以确保装置控制的重复性的时间，饱和时间更长且更稳定。当等离子体照射开始时，剂量最初增加，但是随后剂量继续为基本固定而与时间变化无关。另外，如果时间进一步增加，则剂量减少。如果剂量基本固定而与时间变化无关的该时间段被采用作为工艺窗，则可以精确控制剂量。

公开(公告)号：CN1918484A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004556.7

申请日：2005-02-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  渡边环 ,  川口武男 ,  渡边伸一 ,  片山武司 ,  水野文二 ,  金田久隆

IPC: G01T1/29 ,  G01R33/035 ,  G21K5/00 ,  G21K5/04 ,  H01J37/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: H05H1/0087 ,  G01R33/0356 ,  G01R33/0358 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31703

Abstract: 提供了束测量装置，用于高精度地、非破坏性地测量束电流值，并用于测量束位置。该束测量装置有：磁屏蔽部件，用于外部磁场屏蔽；以及多个磁场传感器，被布置在由磁屏蔽部件生成的屏蔽空间中。磁场传感器有多个磁场收集机构，用来收集要测量的束电流所生成的磁场。磁场收集机构是管状结构，其表面由超导体构成，并且，在磁场收集机构的外围部分上提供仅其一部分由超导体形成的桥部件。通过磁传感器来测量要测量的束电流所生成的磁场。束测量装置有多个磁场传感器，以便检测束位置和束电流。

公开(公告)号：CN1577746A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03159751.3

申请日：2003-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/223

Abstract: 根据一种用于注入杂质的方法，基片被定位在安装于腔体中的工作台上，所述腔体将被抽成真空且被输入所要注入的杂质。第一高频电源被加载到等离子体产生元件上，从而产生等离子体，以使腔体中的杂质被注入到基片中。另外，第二高频电源被加载到工作台上。对腔体中等离子体的状态和工作台中的电压和电流进行检测。控制器根据检测到的等离子体的状态和/或检测到的电压或电流，对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制，从而控制所要注入杂质的注入浓度。

公开(公告)号：CN1497678A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03127235.5

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一郎

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，一边由供气装置将规定的气体输入真空容器内，一边用泵排气，将真空容器内保持在规定的压力的同时由高频电源向线圈施加高频功率。在真空容器内产生等离子体后，降低真空容器内的压力，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，慢慢减小真空容器内的压力的同时慢慢增大高频功率，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，高速采集向试样电极供给的高频功率的行进波功率Pf及反射波功率Pr，在功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。

公开(公告)号：CN1088911C

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN95106027.9

申请日：1995-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  冈田健治 ,  中山一郎

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C23C16/48 ,  C23C16/482 ,  C23C16/484 ,  C23C16/485 ,  C23C16/486 ,  C23C16/487 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31608

Abstract: 通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片1照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成P型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于250℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的棚电极B和栅极绝缘膜。之后以栅电极为掩模进行刻蚀，形成由P型杂质层构成的沟道区域。通过在低于250℃的温度下边照射电离射线或光线边导入适当的气体，在栅极侧面上形成源、漏电极。