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公开(公告)号：CN101409678B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810212777.9
申请日：2008-09-08
IPC: H04W40/02
CPC classification number: H04W40/02 , H04W40/08 , H04W40/32 , Y02D70/164 , Y02D70/22 , Y02D70/30 , Y02D70/324
Abstract: 提供一种在AD HOC网络设置包传输路径的方法及网络设备。设置包传输路径的方法包括：基于预定的跳数N来设置N-1个路由区域，所述路由区域包括源节点与目的地节点之间的至少一个节点，其中，N指示大于或等于2的整数；以及基于信道增益将所述路由区域中的每一个中的节点确定为中继节点。
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公开(公告)号：CN102468281A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110356167.8
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/481 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L27/108 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/12708 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一半导体芯片；第一连接结构，设置在第一半导体芯片的第一侧上；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的第二侧上；以及第二连接结构，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，其中，第二连接结构的数量少于第一连接结构的数量。
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公开(公告)号：CN102456663A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110309782.3
申请日：2011-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体芯片，其包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度，第二穿透电极具有高于第一突出高度的第二突出高度；第二半导体芯片，其与第一穿透电极电连接；以及第三半导体芯片，其与第二穿透电极电连接。
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公开(公告)号：CN102468281B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110356167.8
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/481 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L27/108 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/12708 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一半导体芯片；第一连接结构，设置在第一半导体芯片的第一侧上；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的第二侧上；以及第二连接结构，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，其中，第二连接结构的数量少于第一连接结构的数量。
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公开(公告)号：CN102479771B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110396465.X
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/525 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/05009 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409678A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810212777.9
申请日：2008-09-08
CPC classification number: H04W40/02 , H04W40/08 , H04W40/32 , Y02D70/164 , Y02D70/22 , Y02D70/30 , Y02D70/324
Abstract: 提供一种在AD HOC网络设置包传输路径的方法及网络设备。设置包传输路径的方法包括：基于预定的跳数N来设置N－1个路由区域，所述路由区域包括源节点与目的地节点之间的至少一个节点，其中，N指示大于或等于2的整数；以及基于信道增益将所述路由区域中的每一个中的节点确定为中继节点。
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公开(公告)号：CN102479771A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110396465.X
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/525 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/05009 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。
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公开(公告)号：CN1822340A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003647.5
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L21/4835 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 公开了半导体芯片封装设备和方法的示例实施例。该封装设备包括：电镀单元，执行导电电镀工艺以在半导体芯片封装的外部端子上形成导电电镀层；以及回流单元，熔化所述导电电镀层。所述电镀单元和回流单元可以设置成单一生产线。这样就有可能有效地抑制在外部端子的电镀层上生长金属须并确保经济效率，减少成本以及允许批量生产。
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公开(公告)号：CN102569208B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110459218.X
申请日：2011-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/3677 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。在一个实施方式中，为了制造半导体封装，提供其中制造有半导体芯片的晶片。散热层形成在整个晶片上方。散热层接触半导体芯片的顶表面。之后，从晶片分割多个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN102074511A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010556867.7
申请日：2010-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H05K3/323 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/1318 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/2939 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/29457 , H01L2224/2946 , H01L2224/2948 , H01L2224/2949 , H01L2224/2989 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81903 , H01L2224/83851 , H01L2224/9211 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/15311 , H05K2201/083 , H05K2201/10674 , H05K2203/104 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种倒装芯片封装件和一种制造倒装芯片封装件的方法。所述倒装芯片封装件可以包括半导体芯片、封装件基底、导电磁性凸起和各向异性导电构件。所述半导体芯片可以具有第一焊盘。所述封装件基底可以具有面对所述第一焊盘的第二焊盘。所述导电磁性凸起可以设置在所述半导体芯片和所述封装件基底之间，以产生磁力。所述各向异性导电构件可以布置在所述半导体芯片和所述封装件基底之间。所述各向异性导电构件可以具有导电磁性颗粒，所述导电磁性颗粒由所述磁力诱导朝向所述导电磁性凸起，以将所述第一焊盘与所述第二焊盘电连接。预定数量的导电磁性颗粒可以位于所述导电磁性凸起和所述焊盘之间，从而可以提高焊盘之间的电连接可靠性。
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