具有加强结构的半导体封装件

    公开(公告)号:CN112820702A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202010550378.4

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 公开了一种具有加强结构的半导体封装件。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的内插件以及均位于所述内插件上的第一逻辑芯片、第二逻辑芯片、存储器堆叠和加强芯片。所述第一逻辑芯片和所述第二逻辑芯片彼此相邻。每个存储器堆叠与所述第一逻辑芯片和所述第二逻辑芯片中的相应的逻辑芯片相邻。每个存储器堆叠包括多个堆叠的存储器芯片。每个加强芯片设置在相应的存储器堆叠之间,以与所述第一逻辑芯片与所述第二逻辑芯片之间的边界区域对齐且交叠。

    具有加强结构的半导体封装件

    公开(公告)号:CN112820702B

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202010550378.4

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 公开了一种具有加强结构的半导体封装件。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的内插件以及均位于所述内插件上的第一逻辑芯片、第二逻辑芯片、存储器堆叠和加强芯片。所述第一逻辑芯片和所述第二逻辑芯片彼此相邻。每个存储器堆叠与所述第一逻辑芯片和所述第二逻辑芯片中的相应的逻辑芯片相邻。每个存储器堆叠包括多个堆叠的存储器芯片。每个加强芯片设置在相应的存储器堆叠之间,以与所述第一逻辑芯片与所述第二逻辑芯片之间的边界区域对齐且交叠。

    半导体封装件和制造半导体封装件的方法

    公开(公告)号:CN117153829A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310618412.0

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 提供了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。半导体封装件包括:第一半导体芯片,包括位于第一表面上的第一互连结构、连接到第一互连结构的贯通电极、位于第二表面上并且连接到贯通电极的再分布结构以及位于再分布结构上的第一接触焊盘;第二半导体芯片,包括第二互连结构和第二接触焊盘,第二半导体芯片具有其上布置有第一半导体芯片的第一区域和位于第一区域上并接合到第一接触焊盘的第二接触焊盘;位于第一互连结构上的第一导电桩;位于第一互连结构上并围绕第一导电桩的第一模制层;位于第二区域上的第二导电桩;位于第二区域上并围绕第二导电桩、第一半导体芯片和第一模制层的第二模制层;及位于第一模制层和第二模制层上的钝化层。

    电感器和包括电感器的半导体封装件

    公开(公告)号:CN115732466A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202210759488.0

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 提供了一种电感器和一种半导体封装件。所述电感器包括:半导体基底,设置有包括第一布线层和第二布线层的多个布线层;直导线,位于半导体基底的第一布线层处,具有第一端;螺旋图案的导电线圈,在第一布线层上方位于第二布线层处,具有第二端;以及导电过孔,将直导线的第一端竖直连接到导电线圈的第二端。当在平面图中观看时,多个虚设图案布置在由螺旋图案的最内匝限定的第一区域中。

    具有加强结构的半导体封装
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115472575A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202210362732.X

    申请日:2022-04-02

    Inventor: 崔银景

    Abstract: 可以提供一种半导体封装,该半导体封装包括:封装基底衬底;中介层,在封装基底衬底上;多个半导体芯片,在中介层上;以及加强结构,包括加强框架和加强延伸部,加强框架在封装基底衬底上并与中介层分开,加强延伸部从加强框架延伸,与多个半导体芯片间隔开,并且延伸到中介层上以在中介层上具有一部分,以及加强框架与加强延伸部是一体结构。

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