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公开(公告)号：CN101930933A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910179607.X
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/49562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够抑制树脂密封时岛移动的半导体装置的制造方法。灌封模具(30)由上模(32)和下模(34)构成，通过使两者抵接而构成模腔(36A)等以及浇道(38)。在下模(34)中设置供给口，将由固态的树脂构成的板收纳供给口(42)并加热熔化之后，通过柱塞加压熔化的密封树脂而将密封树脂供给到各模腔。具体地，从供给口(42)供给的密封树脂的流动的上游侧，按照模腔(36A)、(36B)、(36C)、(36D)、(36E)的顺序，从供给口(42)供给液状的密封树脂。各模腔通过浇道(38)连通。而且，连通模腔(36A)和模腔(36B)的浇道(38)相对于供给密封树脂(16)的路径倾斜地设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101930933B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910179607.X
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/49562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够抑制树脂密封时岛移动的半导体装置的制造方法。灌封模具(30)由上模(32)和下模(34)构成，通过使两者抵接而构成模腔(36A)等以及浇道(38)。在下模(34)中设置供给口，将由固态的树脂构成的板收纳供给口(42)并加热熔化之后，通过柱塞加压熔化的密封树脂而将密封树脂供给到各模腔。具体地，从供给口(42)供给的密封树脂的流动的上游侧，按照模腔(36A)、(36B)、(36C)、(36D)、(36E)的顺序，从供给口(42)供给液状的密封树脂。各模腔通过浇道(38)连通。而且，连通模腔(36A)和模腔(36B)的浇道(38)相对于供给密封树脂(16)的路径倾斜地设置。
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公开(公告)号：CN101714533A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178097.4
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L23/295 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种防止看到金属细线且为薄型的电路装置及其制造方法。电路装置(10)主要包括：基板，其由第1基板(12)和第2基板(14)构成；焊盘(34)，其形成在第2基板的上表面上；半导体元件(24)，其被固定在第1基板(12)的上表面上；金属细线(22)，其将半导体元件(24)和焊盘(34)连接起来；以及密封树脂(18)，其覆盖半导体元件(24)和金属细线(22)来进行树脂密封。并且，密封树脂(18)所包含的位于最表层的填料(20)被构成密封树脂(18)的树脂材料覆盖。
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公开(公告)号：CN101714533B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910178097.4
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L23/295 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种防止看到金属细线且为薄型的电路装置及其制造方法。电路装置(10)主要包括：基板，其由第1基板(12)和第2基板(14)构成；焊盘(34)，其形成在第2基板的上表面上；半导体元件(24)，其被固定在第1基板(12)的上表面上；金属细线(22)，其将半导体元件(24)和焊盘(34)连接起来；以及密封树脂(18)，其覆盖半导体元件(24)和金属细线(22)来进行树脂密封。并且，密封树脂(18)所包含的位于最表层的填料(20)被构成密封树脂(18)的树脂材料覆盖。
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公开(公告)号：CN100388482C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410059339.5
申请日：2004-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片，使漏极电极短路的结构，故安装面积大，也不能降低漏极电极间的电阻，市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接，将两芯片重叠。在双型MOSFET中，不需要将漏极电极导出至外部，仅是两个栅极端子及两个源极端子，故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。
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公开(公告)号：CN1574348A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410059339.5
申请日：2004-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片，使漏极电极短路的结构，故安装面积大，也不能降低漏极电极间的电阻，市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接，将两芯片重叠。在双型MOSFET中，不需要将漏极电极导出至外部，仅是两个栅极端子及两个源极端子，故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。
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