公开(公告)号：CN108091642A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201710378093.5

申请日：2017-05-24

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 博恩·卡尔·艾皮特 ,  凯·史提芬·艾斯格 ,  颜尤龙

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/09 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/091

Abstract: 一种半导体封装包含第一半导体裸片、第一封装体、第一再分布层、第二封装体和图案化导电层。所述第一封装体围封所述第一半导体裸片且具有顶部表面和横向表面。所述第一再分布层安置于所述第一封装体的所述顶部表面上且电连接到所述第一半导体裸片，其中所述第一再分布层的一部分从所述第一封装体的所述横向表面暴露。所述第二封装体覆盖所述第一封装体和所述第一再分布层。所述图案化导电层安置于所述第一封装体的所述横向表面或所述第二封装体的横向表面中的至少一者上，且电连接到所述第一再分布层。

公开(公告)号：CN103050447A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210194989.5

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  洪瑞斌 ,  林义航 ,  董簪华

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体器件的封装方法及其结构。在一个实施例中，一种封装半导体器件的方法包括提供载具晶圆；提供多个管芯；以及在载具晶圆的上方形成管芯凹槽材料。在该管芯凹槽材料中形成了多个管芯凹槽。将多个管芯中的至少一个放置在管芯凹槽材料的多个管芯凹槽的每个中。形成多个封装件，该多个封装件的每个均形成在多个管芯中的相应的至少一个管芯上方。

公开(公告)号：CN107895720A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710086214.9

申请日：2017-02-17

Applicant: 台达电子工业股份有限公司

Inventor： 蔡欣昌 ,  李芃昕

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3675 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/84 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49517

Abstract: 本公开提供一种封装结构。该封装结构包括一导线架、一装置、一导电单元及一封装材料。导线架包括多个连接部；装置包括一基板、一主动层、以及多个电极，该主动层设置于该基板上，多个所述电极设置于该主动层上，其中该装置的多个所述电极连接该导线架的多个所述连接部；导电单元具有一第一侧与一第二侧，其中该导电单元的该第一侧连接该装置的该基板，以及该导电单元连接该导线架的多个所述连接部的至少其中之一；封装材料覆盖该装置与该导线架，其中该导电单元的该第二侧露出于该封装材料。

公开(公告)号：CN107301957A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710173054.1

申请日：2017-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/82 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8019

Abstract: 本发明实施例涉及一种方法，其包含：在载体上方形成电介质层；在所述电介质层中形成多个接合垫；及执行平坦化以使所述电介质层与所述多个接合垫的顶面彼此齐平。装置裸片通过混合接合而接合到所述电介质层及所述多个接合垫的部分。将所述装置裸片囊封于囊封材料中。接着，从所述装置裸片及所述电介质层拆卸所述载体。

公开(公告)号：CN107154387A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610962355.8

申请日：2016-10-28

Applicant: 力成科技股份有限公司

Inventor： 方立志 ,  张家彰 ,  徐宏欣 ,  张文雄 ,  鍾基伟 ,  连加雯

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/15311 ,  H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838

Abstract: 本发明公开了一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法。该封装构造，主要包含装置晶片、贴合于装置晶片的载体晶片、保护盖片以及硅穿孔结构。一金属互连平行垫组合嵌埋于装置晶片中，偏移垫设置于装置晶片并连接至金属互连平行垫组合。间隔导体凸块接合于偏移垫上。间隔黏合层形成于装置晶片上并包覆间隔导体凸块。保护盖片压贴于间隔黏合层上。硅穿孔结构包含一贯穿孔以及一孔金属层，贯穿孔微偏心地对准偏移垫连续贯穿载体晶片与装置晶片，孔金属层形成于贯穿孔内并连接偏移垫，贯穿孔非中心对准于间隔导体凸块。保护层形成于载体晶片并覆盖贯穿孔。因此，借由偏移垫上间隔导体凸块，以确保硅穿孔结构的连续型态。

公开(公告)号：CN106935602A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610849265.8

申请日：2016-09-26

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 吴俊良 ,  林佳升 ,  李柏汉 ,  何彦仕

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/563 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、间隔元件与高度增加件，晶片具有影像感测区及相对的第一表面与第二表面，影像感测区位于第一表面上，间隔元件位于第一表面上且围绕影像感测区，高度增加件位于间隔元件上，使得间隔元件位于高度增加件与晶片之间。本发明可避免影像感测区接收到外部杂乱的光线而造成干扰，且不易产生眩光。

公开(公告)号：CN101996953B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010250512.5

申请日：2010-08-10

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  周正德

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05688 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开一种芯片封装体及其制造方法。实施例的芯片封装体包括：一半导体基板，具有相反的第一表面与第二表面，以及至少一接垫区与至少一元件区；多个导电垫结构，位于半导体基板的第一表面，且位于半导体基板的接垫区上；多个相互隔离的重掺杂区，设于导电垫结下方且与该些导电垫结构电连接；以及，多个导电凸块，设于重掺杂区下方，且经由重掺杂区与导电垫结构形成电连接。

公开(公告)号：CN104934397A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510087272.4

申请日：2015-02-25

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  郑家明 ,  张恕铭

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02233 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14165 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包含半导体晶片、至少一沟槽、多条第一重布局金属线路以及至少一凸起。半导体晶片具有设置于该半导体晶片的上表面的多个导电垫。沟槽自上表面朝半导体晶片的下表面延伸，且配置于半导体晶片的侧边。多条第一重布局金属线路设置于上表面，所述第一重布局金属线路分别与导电垫电性连接，且分别延伸至沟槽内。凸起设置于沟槽内且位于相邻的第一重布局金属线路之间。本发明能提高晶片封装体的制程良率，并有效降低生产成本。

公开(公告)号：CN103180944A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051390.X

申请日：2011-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高下博光 ,  武田刚 ,  今野优子 ,  藤原弘明 ,  吉冈慎悟

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K1/0213 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2223/6605 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32104 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32147 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/112 ,  H05K1/114 ,  H05K3/323 ,  H05K3/368 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/09245 ,  H05K2201/09263 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09427 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明在使电子元件之间电连接时，降低在连接部的阻抗失配。在使电子元件(1、2)之间电连接的电子元件的接合方式中，使形成于第一电子元件(1)的表面(1a)的布线(11)与形成于第二电子元件(2)的表面(2a)的布线(12)相向，并在其中间夹持导电体(13)而进行接合，由此第一电子元件(1)与第二电子元件(2)电连接。导电体(13)为含焊料或者导电性填料的树脂组合物。

公开(公告)号：CN108122872A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710777057.6

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万厚德 ,  谢佑生 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00301 ,  B81C99/005 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/091

Abstract: 本揭示提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包含：感测元件，其经配置以从感测目标接收信号；模塑物，其环绕所述感测元件；贯穿通路，其位于所述模塑物中；前侧重布层，其放置于所述感测元件的前侧处且电连接到所述前侧；及后侧重布层，其放置于所述感测元件的后侧处，所述前侧重布层及所述后侧重布层由所述贯穿通路电连接。本揭示还提供一种用于制造本文中所阐述的所述半导体结构的方法。