Patent search ap:("株式会社瑞萨科技") AND inv:"团野忠敏" Page 1

1.

发明授权
一种半导体器件有权转让

公开(公告)号：CN1705123B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510073463.1

申请日：2005-05-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 团野忠敏 , 长峰彻 , 森博志 , 市之濑吏

IPC: H01L25/04 , H01L25/00 , H01L23/12 , H01L23/48

CPC classification number: H03G3/3036 , H01L23/3121 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05599

Abstract: 提供一种小型化的半导体器件，其具有封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底的主表面上，并具有均用于放大信号的多个LNA、用于转换从LNA供给的每个信号频率的RF VCO、和用于转换从基带供给的信号频率的IF VCO；以及多个球电极，设置在封装衬底的背表面上。封装衬底设置有用于向每一个LAN供给GND电位的第一公共GND导线、用于向RF VCO供给GND电位的第二公共GND导线、和用于向IF VCO供给GND电位的第三公共GND导线。第一、第二和第三公共GND导线彼此分开。

2.

发明公开
一种半导体器件有权转让

公开(公告)号：CN101789421A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010135436.3

申请日：2005-05-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 团野忠敏 , 长峰彻 , 森博志 , 市之濑吏

IPC: H01L25/00 , H01L23/66 , H01L23/48 , H01L23/12

CPC classification number: H03G3/3036 , H01L23/3121 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05599

Abstract: 提供一种小型化的半导体器件，其具有封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底的主表面上，并具有均用于放大信号的多个LNA、用于转换从LNA供给的每个信号频率的RF VCO、和用于转换从基带供给的信号频率的IF VCO；以及多个球电极，设置在封装衬底的背表面上。封装衬底设置有用于向每一个LAN供给GND电位的第一公共GND导线、用于向RF VCO供给GND电位的第二公共GND导线、和用于向IF VCO供给GND电位的第三公共GND导线。第一、第二和第三公共GND导线彼此分开。

3.

发明公开
一种半导体器件有权转让

公开(公告)号：CN1705123A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510073463.1

申请日：2005-05-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 团野忠敏 , 长峰彻 , 森博志 , 市之濑吏

IPC: H01L25/04 , H01L25/00 , H01L23/12 , H01L23/48

CPC classification number: H03G3/3036 , H01L23/3121 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05599

Abstract: 提供一种小型化的半导体器件，其具有封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底的主表面上，并具有均用于放大信号的多个LNA、用于转换从LNA供给的每个信号频率的RF VCO、和用于转换从基带供给的信号频率的IF VCO；以及多个球电极，设置在封装衬底的背表面上。封装衬底设置有用于向每一个LAN供给GND电位的第一公共GND导线、用于向RF VCO供给GND电位的第二公共GND导线、和用于向IF VCO供给GND电位的第三公共GND导线。第一、第二和第三公共GND导线彼此分开。

4.

发明公开
半导体器件无效转让

公开(公告)号：CN101692444A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910126115.4

申请日：2009-02-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 武藤邦治 , 团野忠敏 , 高桥浩幸

IPC: H01L25/00 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L29/78

CPC classification number: H01L24/41 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37124 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48699 , H01L2224/48724 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84205 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10157 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015

Abstract: 实现一种其中密封功率MOSFET等的、导通电阻低的小尺寸表面安装封装。在模制树脂的一侧中密封两个硅芯片。在模制树脂的一侧上布置三个源极引线和一个栅极引线。三个源极引线在模制树脂内部相互接合，而接合的部分和硅芯片的源极焊盘经由两个铝带相互电耦合。另外，硅芯片的栅极焊盘经由一个金导线电耦合到栅极引线。

5.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN101604671A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910146496.2

申请日：2009-06-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 团野忠敏

IPC: H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/13 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68331 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01046 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , Y10T29/49014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种使用NSMD作为焊盘的构造时可以抑制焊球的高度不均的技术。设置有贯穿布线衬底1S的通孔V。而且，在布线衬底1S的背面上以与通孔V直接连接的方式形成焊盘LND3。此焊盘LND3形成为内包在阻焊剂SR上所形成的开口部K中。且，在焊盘LND3上搭载有半球HBa。即，本发明的特征在于将布线衬底1S的背面上所形成的焊盘LND3与通孔V的连接构成作为焊盘内通孔构造，且使焊盘LND3的构成形态为NSMD。

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