Patent search cpc:"H01L2224/85009" Page 1

1.

发明公开
智能卡芯片封装结构及其制造方法无效

公开(公告)号：CN105390468A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510858831.7

申请日：2015-12-01

Applicant: 上海伊诺尔信息技术有限公司

Inventor： 高洪涛 , 栾旭峰 , 陆美华 , 刘玉宝 , 汤正兴

IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/05553 , H01L2224/49171 , H01L23/488 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/27 , H01L2224/29027 , H01L2224/29082 , H01L2224/481 , H01L2224/85009 , H01L2224/8534

Abstract: 本发明提供一种智能卡芯片封装结构及其制造方法，所述封装结构包括一设置有芯片的基岛及围绕所述基岛设置的至少一个引脚，所述芯片上设置有至少一个金属焊垫，每一所述金属焊垫通过金属引线与一引脚电连接，还包括一加固层，所述加固层包围所述金属焊垫与所述金属引线的焊接层，以增强所述金属焊垫与所述金属引线焊接牢固性。本发明的优点在于，加固层包围所述金属焊垫与所述金属引线的焊接层，能够保护焊接界面，防止焊接界面断裂或被封装材料腐蚀，提高可靠度。

2.

发明授权
具有特殊结构的跨接导线的半导体布置结构及其制造方法有权

公开(公告)号：CN101604667B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200910203858.7

申请日：2009-05-20

Applicant: 迈克纳斯公司

Inventor： P·施通普夫

IPC: H01L23/02 , H01L23/49 , H01L23/482 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/32145 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/45565 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48475 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48799 , H01L2224/49431 , H01L2224/78309 , H01L2224/85009 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/20752 , H01L2924/3025 , H01L2224/85186 , H01L2224/45644 , H01L2924/00015 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2224/48624 , H01L2924/20753 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2224/05599 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种半导体布置结构和一种用于制造这种半导体布置结构的方法，具有两个设置在一个壳体内的集成电路(IC1、IC2)，它们通过跨接导线(10)相互导电连接。至少一个跨接导线(10)利用其最好球形的第一末端(12)连接在第一集成电路(IC1)的连接区上。跨接导线(10)另一个设计成楔形的末端(14)与第二集成电路(IC2)的连接区(6)通过同样最好球形的中间件(20)连接。中间件(20)由比跨接导线(10)更软的材料组成。优选跨接导线(10)由铜或者铜合金和中间件(20)由金或者金合金组成。优点：降低集成电路的材料成本。

3.

发明公开
引线清洗导向装置失效

公开(公告)号：CN101246827A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810005590.1

申请日：2008-02-14

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 掘之正幸 , 藤田和雄

IPC: H01L21/60 , B23K37/00 , B23K20/00 , B23K101/40

CPC classification number: B08B7/0035 , B65H57/00 , B65H2301/5115 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/80 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/78301 , H01L2224/786 , H01L2224/85009 , H01L2224/8501 , H01L2224/85013 , H01L2224/851 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/0101 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01049

Abstract: 本发明涉及引线清洗导向装置。设有等离子发生室(41)，从等离子用气体供给部(34)供给等离子用气体，从等离子发生用的高频电力供给部(32)供给高频电力，引线(12)通过设在等离子发生室(41)的绝缘套(43，45)的导向孔(44，46)。引线(12)接地，在引线(12)和等离子发生室之间通以高频电力，在等离子发生室内部使得等离子用气体等离子化，清洗引线(12)。使得引线输出部侧导向孔(44)的孔径比焊接工具侧导向孔(46)的孔径大，以便使得从引线输出部侧的导向孔(44)流出的引线清洗后的气体流量比从焊接工具侧的导向孔(46)流出的引线清洗后的气体流量多。在接合装置中，焊接时在引线路线上能有效除去引线表面异物。

4.

发明公开
线材焊接操作中的短尾恢复技术有权

公开(公告)号：CN104772417A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510081734.1

申请日：2015-01-14

Applicant: 库利克和索夫工业公司

Inventor： G·S·吉洛蒂

IPC: B21F15/08

CPC classification number: H01L22/12 , B23K20/004 , B23K20/005 , B23K20/007 , H01L22/14 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4845 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78821 , H01L2224/789 , H01L2224/85009 , H01L2224/85045 , H01L2224/851 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85365 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

Abstract: 提供一种线材焊接机的操作方法。该方法包括：在用线材焊接工具形成线材焊接部之后检测短尾情况；使所述线材焊接机的焊接头组件设置在所述线材焊接机的xy位置处，所述焊接头组件承载所述线材焊接工具；使所述焊接头组件在所述线材焊接机的线材夹闭合的情况下朝向位于xy位置处的接触表面下降；打开所述线材夹；在所述焊接头组件朝向所述接触表面下降时使所述焊接头组件减速，从而使得线材的一部分延伸到线材焊接工具的末端下方；闭合所述线材夹；并且执行测试以确认线材的延伸到所述线材焊接工具的末端下方的部分的端部是否与所述接触表面接触。

5.

发明公开
电路装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN101350316A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810134326.8

申请日：2003-12-04

Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 臼井良辅 , 水原秀树 , 五十岚优助 , 坂本则明

IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4832 , H01L21/4835 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85009 , H01L2224/85013 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置的制造方法，使用等离子体除去导电图案21表面上黏附的污染物，提高导电图案21和密封树脂28的粘附。通过选择地蚀刻导电箔10形成分离槽11，形成导电图案21。在导电图案21的规定位置安装半导体元件22A等电路元件，并和导电图案21电连接。通过自导电箔10上方照射等离子体除去分离槽11表面黏附的污染物。

6.

发明公开
半导体器件无效

公开(公告)号：CN1523645A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200310100638.4

申请日：2003-10-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 德光成太 , 清水悟

IPC: H01L21/301 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3164 , H01L23/3185 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/85009 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/014 , H01L2224/45099

Abstract: 在切割线区域，在不除去用于形成布线等的导电膜而使之残留的状态下进行切割，切出半导体芯片(1)。从背面(1b)一侧将规定的绝缘性片构件(3)贴附在该半导体芯片(1)上，位于半导体芯片(1)的背面、侧面和沿半导体芯片(1)的周边的表面(1a)部分被绝缘性片构件(3)覆盖。在半导体芯片(1)的周边，即使在残存于切割线区域的导电膜因切割而卷起产生毛刺(7)时，该毛刺(7)也被绝缘性片构件(3)覆盖，焊丝(9)与毛刺(7)就不直接接触了。由此，可得到在不除去位于切割线区域的导电膜而防止电短路的半导体器件。