公开(公告)号：KR1020110090755A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：KR1020100131566

申请日：2010-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  곤도요시히로 ,  사이토다카시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: B05C21/00 ,  G03F7/20 ,  H05B3/20 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/202 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: A heat treatment apparatus, a coating and developing treatment system, a heat treatment method, a coating and developing treatment method, and a recording medium having recorded program for executing heat treatment are provided to reduce power consumption by reducing the variation of line width of a wafer side. CONSTITUTION: In a heat treatment apparatus, a coating and developing treatment system, a heat treatment method, a coating and developing treatment method, and a recording medium having recorded program for executing heat treatment, a substrate having a resist film is exposed, developed, and thermal processed to form a resist pattern in the substrate. The substrate has a plurality of heating elements which are arranged in two dimensional. A heating unit thermal-processes the exposed substrate. A controller(30) compensates the set temperature of the heating unit based on the measured line width of the resist pattern and controls the heating unit.

Abstract translation: 目的：提供一种热处理设备，涂覆和显影处理系统，热处理方法，涂覆和显影处理方法以及具有用于执行热处理的记录程序的记录介质，以通过减少线宽的变化来降低功耗 的晶片侧。 构成：在热处理装置，涂布显影处理系统，热处理方法，涂布和显影处理方法以及具有用于执行热处理的记录程序的记录介质中，具有抗蚀剂膜的基板被曝光，显影， 并进行热处理以在衬底中形成抗蚀剂图案。 基板具有多个以二维排列的加热元件。 加热单元热处理暴露的基板。 控制器（30）基于所测量的抗蚀剂图案的线宽来补偿加热单元的设定温度并控制加热单元。

公开(公告)号：KR101087932B1

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020117015615

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748

Abstract: 레지스트 패턴의 선폭이 웨이퍼면 내에서 균일하게 형성되도록, 열판의 온도 설정을 한다. PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역에 분할되어 있고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판에 적재되는 웨이퍼면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치가 각각 설정된다. 이 열판의 각 열판 영역의 온도 보정치는 열판에 있어서 열처리되어 형성되는 레지스트 패턴의 선폭과 온도 보정치의 상관으로부터 작성된 산출 모델에 의해 산출되어 설정된다. 산출 모델(M)은 레지스트 패턴의 선폭 측정치에 기초하여, 웨이퍼면 내의 선폭이 균일하게 되는 것과 같은 온도 보정치를 산출한다.

公开(公告)号：KR1020110094119A

公开(公告)日：2011-08-19

申请号：KR1020117015615

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/0274

Abstract: 레지스트 패턴의 선폭이 웨이퍼면 내에서 균일하게 형성되도록, 열판의 온도 설정을 한다. PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역에 분할되어 있고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판에 적재되는 웨이퍼면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치가 각각 설정된다. 이 열판의 각 열판 영역의 온도 보정치는 열판에 있어서 열처리되어 형성되는 레지스트 패턴의 선폭과 온도 보정치의 상관으로부터 작성된 산출 모델에 의해 산출되어 설정된다. 산출 모델(M)은 레지스트 패턴의 선폭 측정치에 기초하여, 웨이퍼면 내의 선폭이 균일하게 되는 것과 같은 온도 보정치를 산출한다.

公开(公告)号：KR101433391B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020090015302

申请日：2009-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 기판의 초기조건으로서 기판상의 피처리막의 막 두께, 피처리막의 굴절률, 피처리막의 흡수 계수, 또는 기판의 휨량의 어느 하나를 측정하는 제 1 공정과, 상기 초기조건의 측정결과에 기초하여, 미리 구해진 초기조건과 피처리막의 패턴 치수와의 제 1 관계로부터, 소정의 처리 후의 피처리막의 패턴 치수를 추정하는 제 2 공정과, 패턴 치수의 추정결과에 기초하여, 미리 구해진 소정의 처리에 있어서의 처리조건과 피처리막의 패턴 치수와의 제 2 관계로부터, 소정의 처리에 있어서의 처리조건의 보정치를 구하는 제 3 공정과, 보정치에 기초하여, 소정의 처리에 있어서의 처리조건을 보정하는 제 4 공정과, 보정된 처리조건으로 기판에 소정의 처리를 행하여, 기판상의 피처리막에 소정의 패턴을 형성하는 제 5 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020070107042A

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：KR1020077018636

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748 ,  H01L22/12

Abstract: A hot plate temperature is set so as to form the line width of a resist pattern uniformly in a wafer plane. The hot plate of a PEB device is divided into a plurality of hot plate regions, with temperature setting being possible for each hot plate region. A temperature correction value for regulating the in-plane temperature of a wafer to be mounted on the hot plate is set for each hot plate region of the hot plate. The temperature correction value of each hot plate region of the hot plate is calculated and set by a calculation model formulated from the correlation between the line width of a resist pattern formed by being heat treated on the hot plate and a temperature correction value. A calculation model M calculates such a temperature correction value that makes uniform a wafer-in-plane line width based on the line width measurement of a resist pattern.

Abstract translation: 设置热板温度以在晶片平面中均匀地形成抗蚀剂图案的线宽。 PEB装置的热板被分成多个热板区域，每个热板区域都可以进行温度设定。 对于热板的每个热板区域设定用于调节安装在热板上的晶片的面内温度的温度校正值。 通过由热板上热处理形成的抗蚀剂图案的线宽与温度校正值之间的相关性计算出的计算模型来计算和设定热板的每个热板区域的温度校正值。 计算模型M基于抗蚀剂图案的线宽测量来计算使基于平面的线间宽度均匀的温度校正值。

公开(公告)号：KR1020170055425A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020160147873

申请日：2016-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  고다마데루히코 ,  하시모토다카후미 ,  나가카네다쿠 ,  에노모토마사시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

Abstract: 기판인웨이퍼표면에형성된도포막의주연부를제거액에의해제거함에있어서, 도포막단부의형상결함의발생을억제한다. 스핀척(11)에의해회전하는웨이퍼(W)의주연부에, 제거액노즐(3)로부터제거액을토출함과함께, 웨이퍼표면의제거액의공급영역에, 기류형성부(5)에의해, 웨이퍼표면에평행하며또한웨이퍼(W)의중앙측으로부터외측을향하는띠 형상의기류를형성한다. 이기류와회전의원심력에의해, 웨이퍼표면의제거액의액류가외측으로가압되기때문에, 웨이퍼(W)에도달했을때의제거액의막 두께가저감한다. 도포막단부(13)의형상결함의일례인도포막단부(13)의융기(험프)는, 제거액노즐(3)로부터토출된제거액이웨이퍼(W)에도달했을때의큰 막두께에의한표면장력이원인이기때문에, 제거액의액류가외측으로가압됨으로써험프의발생이억제되고, 형상결함의발생이억제된다.

Abstract translation: 在通过除去液除去作为基板的晶片表面上形成的涂膜的周边部分时，抑制了涂膜的形状缺陷的发生。 重要的是要在义州边缘晶片（W），具有晶片表面的去除剂的供给区域必须从去除器喷嘴3排出去除剂，形成单元流（5），其由旋转卡盘11中，在晶片表面旋转 并且还形成从晶片W的中心侧朝向外部的带状气流。 由于旋转流的离心力和旋转，晶片表面上待除去的液体的液体流动被向外挤压，所以当到达晶片W时待除去的液体的膜厚减小。 涂膜端部13的形状不良的一个例子是当从去除液喷嘴3排出的去除液到达晶片W时由于大膜厚引起的表面张力 由于该原因，被除去的液体的液体流动被向外挤压，由此抑制了隆起的发生并且抑制了形状缺陷的发生。

公开(公告)号：KR101387862B1

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：KR1020090009667

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  조사카메구미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 기판상에 소정의 목표 치수의 레지스트 패턴을 형성하는 것을 과제로 한다.
본 발명은, POST 장치의 초기 온도와 레지스트 패턴의 목표 치수를 설정한다 (스텝 S1). 복수의 검사용 웨이퍼에 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴의 치수를 측정한다(스텝 S2∼S4). 치수 측정 결과에 기초하여, POST 장치의 가열 온도와 레지스트 패턴의 치수의 상관을 산출한다(스텝 S5). 레지스트 패턴의 목표 치수에 기초하여, 산출된 상관으로부터, POST 장치의 설정 온도를 산출한다(스텝 S6). 각 POST 장치의 설정 온도를 보정한다(스텝 S7∼S9). 보정된 설정 온도로 가열 처리를 행하여, 웨이퍼상에 목표 치수의 레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S10).

公开(公告)号：KR1020090103705A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090009667

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  조사카메구미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/324

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70875 ,  H01L21/67098

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method is provided to automatically calculate a set temperature of a heating process and correlation of a dimension of a resist pattern. CONSTITUTION: An initial temperature of a heating process and a target dimension of a resist pattern on a substrate after the heating process are set(S1). A heating process temperature, correlation of a dimension of the resist pattern, and a set temperature of the heating process are automatically calculated(S6). The resist pattern is formed on the substrate(S10). The resist pattern is controlled into the target dimension by heating the substrate at the set temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法，用于自动计算加热过程的设定温度和抗蚀剂图案的尺寸的相关性。 构成：设定加热工序的初始温度和加热工序后的基板上的抗蚀剂图案的目标尺寸（S1）。 自动计算加热处理温度，抗蚀剂图案的尺寸与加热处理的设定温度的关系（S6）。 在基板上形成抗蚀剂图案（S10）。 通过在设定温度下加热衬底将抗蚀剂图案控制到目标尺寸。

公开(公告)号：KR1020160072785A

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：KR1020150173251

申请日：2015-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  데라시타유이치 ,  시라이시고우스케 ,  이세키도모히로 ,  도모노마사루 ,  미조구치히로노리

IPC: G03F7/20

CPC classification number: H01L21/67115 ,  G03F7/70991

Abstract: [과제] 간이한구성에의해기판전체에대하여균일하게광을조사한다. [해결수단] 광조사유닛(U3)은웨이퍼(W)를수평으로유지하면서웨이퍼(W)의표면(Wa)과직교하는방향으로연장되어있는회전축의둘레로웨이퍼(W)를회전시키는회전유지부(10)와, 회전유지부(10)의상방에위치하는조명부(30)와, 회전유지부(10)와조명부(30) 사이에위치하고수평으로넓어지는차광마스크(20)와, 조명부(30)를수평방향을따라서직선형으로이동시키는구동부(40)를구비한다. 차광마스크(20)는회전축방향으로부터볼 때회전유지부(10)에유지되어있는웨이퍼(W)의표면(Wa)을덮도록웨이퍼(W)와서로겹쳐져있고, 회전축의직교방향에있어서, 외측을향해서연장됨과아울러회전축으로부터멀어짐에따라서넓어지는개구부(22)를갖는다. 조명부(30)는구동부(40)에의해서개구부(22) 상을이동하면서, 회전유지부(10)에유지되어있는웨이퍼(W)의표면(Wa)을향해서개구부(22)를통하여광을조사한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种光照射单元，其具有简单的结构并且可以在整个晶片上均匀地照射光。 光照射单元（U3）包括：旋转维持单元（10），其保持晶片（W）水平并使晶片（W）围绕在与晶片的表面（Wa）正交的方向上延伸的旋转轴线旋转 ; 位于旋转维护单元（10）上方的灯单元（30）; 位于旋转维持单元（10）和灯单元（30）之间并且水平延伸的遮光罩（20） 以及驱动单元（40），其使所述灯单元（30）线性地和水平地移动。 遮光掩模（20）与晶片（W）重叠设置，并覆盖由旋转维护单元（10）保持的晶片（W）的表面（Wa），并且相对于旋转的正交方向 轴向延伸并且具有随着其从旋转轴进一步变大而变大的开口单元（22）。 光单元（30）通过驱动单元（40）移动到打开单元（22）上，并将光通过开口单元（22）照射在保持在旋转维护单元上的晶片（W）的表面（Wa）上 （10）。

公开(公告)号：KR101605918B1

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：KR1020100131566

申请日：2010-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  곤도요시히로 ,  사이토다카시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: B05C21/00 ,  G03F7/20 ,  H05B3/20

Abstract: 본발명은웨이퍼의면내에서의선폭의변동을저감할수 있어, 소비전력을저감할수 있는열처리장치및 열처리방법을제공하는것을목적으로한다. 레지스트막이형성되어있는, 노광된기판(W)을, 현상처리하기전에열처리하는열처리장치(PEB)에서, 이차원적으로배열되어있는복수의가열소자(62)를구비하여, 노광된기판(W)을열처리하는가열부(60)와, 가열부(60)의위쪽에설치되어있는, 기판(W)이배치되는배치부(80)와, 가열부(60)에의해하나의기판(W)을열처리할때에, 미리가열부(60)에의해열처리된후, 현상처리되어레지스트패턴이형성된다른기판(W)에서의레지스트패턴의선폭의측정값(CD)으로부터구한온도보정값(ΔT)에기초하여, 가열부(60)의설정온도를보정하고, 보정된설정온도에기초하여, 가열부(60)를제어하는제어부(110)를갖는다.