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公开(公告)号：KR101942587B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：KR1020130038101
申请日：2013-04-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 미즈노츠요시
IPC: H01L21/302
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公开(公告)号：KR1020170113174A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170035965
申请日：2017-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/041 , B08B3/08 , C23F1/02 , C23F1/08 , C23F1/16 , C23F1/32 , H01L21/02087 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 본발명은막의특성의차이에따르는제거폭의변동을저감하는것이가능한기판처리장치등을제공하는것을목적으로한다. 기판(W)의둘레가장자리부에처리액을공급하여막을제거하는기판처리장치(16)에있어서, 기판(W)의직경방향으로이동가능한토출부(411)는, 기판유지부(31)에유지되어회전하는기판(W)의둘레가장자리부에처리액을토출한다. 토출위치설정부(18)는, 레시피에포함되는막의제거폭에대응시켜토출부(411)로부터의처리액의토출위치를설정하고, 특성정보취득부(7)는, 제거되어야할 막의특성정보를취득한다. 보정량취득부(18)는, 막의특성정보에따라, 처리액의토출위치를보정하는보정량을취득하고, 토출위치보정부(18)는, 보정량취득부(18)에의해취득된보정량에기초하여, 토출부(411)에의한처리액의토출위치를보정한다.
Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够减小取决于膜特性差异的去除宽度的变化的基板处理装置等。 在基板保持部31上设置有在基板处理装置16的基板W的半径方向上移动并通过向基板W的周缘供给处理液来除去膜的喷出部411 并且将处理液排出到被保持并旋转的基板W的周围。 排出位置设定部18根据包含在配方中的膜的去除宽度来设定来自排出部411的处理液的排出位置，特性信息取得部7取得要去除的膜的特性信息 它得到。 校正量获取单元18，根据膜特性，从而获得一校正量用于校正处理液和喷射位置校正部18的放电位置时，基于由所述校正量获取单元18获得的校正量 并通过排出部411修正处理液的排出位置。
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公开(公告)号：KR1020150128596A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020150063823
申请日：2015-05-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , F26B3/20 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67075
Abstract: 커버부재에부착된처리액또는그 처리액으로부터발생된결정을제거함으로써, 파티클의발생을방지하도록한다. 기판을유지하는기판유지부(3)와, 기판유지부(3)에유지된기판(W)에대하여처리액을공급하는처리액공급부(7)와, 기판유지부(3)에유지된기판의주연부와대향하도록배치되는링 형상의커버부재(5)를구비하고, 커버부재(5)에는, 커버부재(5)를가열하기위한히터(701)가마련되어있다.
Abstract translation: 通过除去附着在覆盖构件上的处理溶液或由处理溶液产生的晶体来防止颗粒的产生。 本发明包括：保持基板的基板保持单元（3），将处理液供给到保持在基板保持单元（3）上的基板（W）的处理液供给单元（7），以及环状 盖构件（5），其被配置为面对保持在基板保持单元上的基板的周边部分。 在盖构件（5）上形成加热器（701）以加热盖构件（5）。
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公开(公告)号：KR1020110015372A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020100073405
申请日：2010-07-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A device and a method for processing a substrate with liquid are provided to prevent particles from being attached to a substrate by supplying process solutions to a peripheral side of the substrate like a semiconductor wafer. CONSTITUTION: A maintaining unit(10) maintains a substrate. A rotation driving unit rotates the maintaining unit. The process solution supplying unit supplies process solutions to the peripheral side of the substrate maintained by the maintaining unit. A shielding unit(39) includes an opposite plate, a heating part, and a heating gas supply unit(32a). The opposite plate is opposite to the substrate maintained by the maintaining unit. The heating part heats the substrate through the opposite plate. The heating gas supply unit supplies heated gas to the surface of the maintained substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用液体处理基板的装置和方法，以防止颗粒通过向半导体晶片的周边侧供给处理液而附着于基板。 构成：保持单元（10）维持基底。 旋转驱动单元旋转维持单元。 处理液供应单元将维护单元维护的基板的周边侧的处理液供给。 屏蔽单元（39）包括相对的板，加热部分和加热气体供应单元（32a）。 相对的板与由保持单元维持的基板相对。 加热部件通过相对的板加热基板。 加热气体供给单元向保持的基板的表面供给加热气体。
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公开(公告)号：KR1020140111593A
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020140023911
申请日：2014-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: An objective of the present invention is to smoothly process a substrate by a processing liquid. The present invention provides a substrate processing apparatus (1) and a substrate processing method, which process a substrate (3) by a processing liquid supplied to the rotating substrate (3) to process the substrate (3), includes: a substrate rotating unit (12) that rotates the substrate (3); processing liquid supply units (13, 14) that supply the processing liquid to the substrate; a collection cup (32) disposed around the substrate (3) to collect the processing liquid supplied to the substrate (3) and form an air stream that flows downward by passing through from an opening (34) formed at the top to the periphery end of the substrate (3); and a negative pressure generating unit (36) which is provided at the inside of the collection cup (32) and at the outside of the opening (34) and generates a negative pressure which acts toward the outside of the substrate (3) so that the negative pressure is generated when processing the substrate (3) by the processing liquid.
Abstract translation: 本发明的目的是通过处理液体平滑地处理衬底。 本发明提供一种基板处理装置（1）和基板处理方法，其通过供给到旋转基板（3）的处理液对基板（3）进行处理，从而对基板（3）进行处理，其特征在于，包括：基板旋转部 （12），其旋转所述基板（3）; 将处理液供给到基板的处理液供给单元（13,14） 设置在所述基板（3）周围的收集杯（32），以收集供给到所述基板（3）的处理液体，并且形成通过从形成在所述顶部的开口（34）穿过的周向端部 的基板（3）; 以及负压生成单元（36），其设置在所述收集杯（32）的内部并且在所述开口（34）的外部，并且产生朝向所述基板（3）的外侧作用的负压，使得 当通过处理液体处理基板（3）时产生负压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101378140B1
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020100086471
申请日：2010-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02087 , H01L21/32134
Abstract: 기판에소수성의폴리실리콘막이형성되어있고, 이폴리실리콘막에친수성의자연산화막이적층되어있는경우에, 기판의주연부에서에칭불량이발생하지않고, 에칭폭의정밀도를향상시킬수 있는기판액처리방법, 기판액처리장치및 기억매체를제공한다. 우선, 폴리실리콘막이형성된기판(W)을회전시키면서당해기판(W)의주연부로불산을공급함으로써기판(W)의주연부에형성된자연산화막을에칭제거하여폴리실리콘막을노출시킨다. 이어서, 폴리실리콘막이노출된기판(W)을회전시키면서당해기판(W)의주연부로불초산을공급함으로써폴리실리콘막을에칭제거한다. 이러한동작은기판액처리장치(1)의제어부(50)가회전구동부(20), 불산공급부(54) 및불초산공급부(52)를제어함으로써행해진다.
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公开(公告)号：KR1020130115143A
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：KR1020130038101
申请日：2013-04-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 미즈노츠요시
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/68792
Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus is provided to prevent processing liquid from being reattached to a substrate by vertically arranging a top guide ring and a bottom guide ring around the substrate. CONSTITUTION: A substrate holding unit horizontally holds a substrate. A rotation driving unit rotates the substrate holding unit. A processing liquid supply unit (411,412) supplies processing liquid to the substrate. A rotary cup (51) guides the processing liquid. A top guide ring (42) and a bottom guide ring (43) are separately arranged.
Abstract translation: 目的：提供一种液体处理装置，用于通过在基板周围垂直布置顶部导向环和底部导向环来防止处理液体重新连接到基板。 构成：基板保持单元水平地保持基板。 旋转驱动单元使基板保持单元旋转。 处理液供给单元（411,412）向基板供给处理液。 旋转杯（51）引导处理液体。 顶部导向环（42）和底部导向环（43）分别布置。
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公开(公告)号：KR101636093B1
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020110059090
申请日：2011-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , C23F1/08
CPC classification number: C23F1/08 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/6708 , H01L21/68785 , H01L21/68792
Abstract: 표면및 이면에티탄함유막이형성된기판의이면으로부터티탄함유막을제거할때에, 기판의이면에잔류하는티탄원소를종래부터짧은시간에제거할수 있는액 처리방법을제공한다. 본발명은처리액에의해기판의이면을처리하는액 처리방법으로, 회전가능하게설치되고기판을지지하는지지부에의해, 표면및 이면에티탄함유막이형성되어있는기판을지지하고, 지지부에지지되어있는기판을, 지지부와함께회전시키고, 회전하는기판의이면에플루오르화수소산을포함하는제1 처리액을공급하고, 공급한제1 처리액에의해기판의이면을처리하는제1 공정(S11)과, 제1 공정(S11) 후에, 회전하는기판의이면에암모니아과수를포함하는제2 처리액을공급하고, 공급한제2 처리액에의해기판의이면을처리하는제2 공정(S12)을포함한다.
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公开(公告)号：KR101434708B1
公开(公告)日：2014-08-26
申请号：KR1020100073405
申请日：2010-07-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은, 기판의 주연 부분의 처리를 행하는 경우에 있어서, 기판의 고온 처리를 충분히 행할 수 있고, 기판의 표면에 파티클이 부착되는 것을 충분히 억제할 수 있는 기판의 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판의 액처리 장치(1)는, 기판(W)을 유지하는 유지부(10)와, 유지부(10)를 회전시키는 회전 구동부(20)와, 차폐 유닛(39)을 구비하고 있다. 차폐 유닛(39)은, 유지부(10)에 의해 유지된 기판(W)에 대향하는 대향판(32)과, 대향판(32)을 통해 기판(W)을 가열하는 가열 부분(31)과, 가열된 가스를 유지된 기판(W)의 표면에 공급하는 가열 가스 공급 부분(32a)을 포함하고 있다.-
10.发明公开
公开(公告)号：KR1020120029987A
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020110059090
申请日：2011-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , C23F1/08
CPC classification number: C23F1/08 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/6708 , H01L21/68785 , H01L21/68792
Abstract: PURPOSE: A liquid processing method and apparatus, and a recording medium recording a program for executing the liquid processing method are provided to eliminate a titanium element in a short time by supplying processing liquids having different etching rate. CONSTITUTION: A substrate supported in a supporting part is rotated with a supporting part. First processing liquid including hydrofluoric acid is provided to the rear side of the rotated substrate(S11). The rear side of the substrate is processed by the first processing liquid. Second processing liquid including ammonium hydrogen peroxide is provided to the rear side of the rotated substrate(S12). The rear side of the substrate is processed by the second processing liquid. DeIonized water is supplied to the bottom side of the substrate(S13). The substrate is dried(S14).
Abstract translation: 目的：提供液体处理方法和装置以及记录用于执行液体处理方法的程序的记录介质，以通过提供具有不同蚀刻速率的处理液来在短时间内消除钛元素。 构成：支撑在支撑部上的基板与支撑部一起旋转。 将包含氢氟酸的第一处理液体设置在旋转基板的后侧（S11）。 基板的后侧由第一处理液处理。 将包含过氧化氢铵的第二处理液体设置在旋转基板的后侧（S12）。 基板的后侧由第二处理液处理。 将去离子水供给到基板的底侧（S13）。 将基板干燥（S14）。
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