公开(公告)号：KR101340769B1

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020080116300

申请日：2008-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이다케히코

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02087 ,  B08B1/04 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67046

Abstract: 본 발명의 세정 장치는 피처리 기판(W)의 주연부를 세정한다. 세정 장치는, 피처리 기판(W) 표면(Wa)의 주연부에 접촉하고 이 피처리 기판(W)의 면내 방향으로 회전 구동되는 제1 세정부(11)와, 피처리 기판(W) 이면(Wb)의 주연부에 접촉하고 이 피처리 기판(W)의 면내 방향으로 회전 구동되는 제2 세정부(21)를 구비하고 있다. 제2 세정부(21)로부터 피처리 기판(W)의 이면(Wb)에 가해지는 마찰력은, 제1 세정부(11)로부터 피처리 기판(W)의 표면(Wa)에 가해지는 마찰력보다 크게 되어 있다.

公开(公告)号：KR1020130007418A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120056619

申请日：2012-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  유겐 ,  오리이다케히코 ,  미츠오카가즈유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67028

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided to prevent the inside a processing container from becoming contaminated by exhausting fluid remaining in a fluid supply passage to the outside. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus comprises a processing container(31), a fluid supply source, a fluid supply passage(351), a flow rate control unit(354), an opening and closing valve(352), a cutoff unit, an exhaust passage(341), and a control unit. When high-pressure fluid is supplied to the processing container to process a substrate, the cutoff unit installed in the fluid supply passage is opened, and the opening and closing valve is opened. The pressure of the fluid supply passage and the processing container is simultaneously reduced through the exhaust passage connected to the processing container. The processed substrate is drawn out of the processing container. [Reference numerals] (4) Controller; (W) Wafer

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以防止处理容器内部被剩余在流体供给通道中的流体排出到外部而被污染。 构成：基板处理装置包括处理容器（31），流体供给源，流体供给通路（351），流量控制单元（354），开闭阀（352），切断单元 排气通道（341）和控制单元。 当将高压流体供应到处理容器以处理基板时，安装在流体供应通道中的切断单元打开，打开和关闭阀。 通过连接到处理容器的排气通道同时减少流体供给通道和处理容器的压力。 处理后的基板被从处理容器中拉出。 （附图标记）（4）控制器; （W）晶圆

公开(公告)号：KR1020110137719A

公开(公告)日：2011-12-23

申请号：KR1020110037383

申请日：2011-04-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  우치다노리타카 ,  오리이다케히코 ,  미야자키다카노리 ,  모우리노부히코

IPC: H01L21/304 ,  B08B7/04 ,  B24B29/00 ,  B24B51/00

CPC classification number: B24B37/042

Abstract: PURPOSE: A substrate back side grinding apparatus, a substrate back side grinding system, a substrate back side grinding method and a recording medium recording the substrate back side grinding program are provided to prevent the degradation of substrate when grinding the rear side of substrate. CONSTITUTION: A substrate back side grinding apparatus comprises a substrate grinding unit(16,17) and a control unit. The substrate grinding unit grinds the back side of a substrate(5). The control unit controls the substrate grinding unit. The control unit controls the driving of the substrate grinding unit according to the information about treatment in the process before substrate back side grinding process. The substrate grinding unit has various kinds. A cleaning unit is equipped for cleaning the back side of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供基板背面研磨装置，基板背面研磨系统，基板背面研磨方法和记录基板背面研磨程序的记录介质，以防止在研磨基板的背面时基板的劣化。 构成：基板背面研磨装置包括基板研磨单元（16,17）和控制单元。 基板研磨单元研磨基板（5）的背面。 控制单元控制基板研磨单元。 控制单元根据在基板背面研磨处理之前的处理的信息来控制基板研磨单元的驱动。 基板研磨单元具有各种种类。 清洁装置用于清洁基板的背面。

公开(公告)号：KR101049491B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020060092089

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지이야스시 ,  도시마다카유키 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 본 발명은 피에칭막을 에칭한 후 희생막 등의 잔존 물질을 제거하는 처리를 위하여, 그 잔존 물질을 소정의 액에 가용화하고 그 후, 그 소정의 액에 의해 잔존 물질의 제거를 수행할 때에, 패턴 벗겨짐 등의 데미지가 적은 기판 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 상에 형성된 피에칭막을 에칭 처리하여 소정 패턴을 형성하는 공정과, 에칭 처리를 끝낸 후에 잔존하는 물질을 소정의 액에 대하여 가용화하도록 변성시키는 공정과, 그 후, 패턴이 형성된 피에칭막의 표면을 실릴화 처리하는 공정과, 그 후 소정의 액을 공급하여 변성된 물질을 용해 제거하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 当本发明是要经过蚀刻的膜的蚀刻的处理以除去残留的物质，如牺牲层，溶解的剩余材料为预定量，并通过随后进行除去残留材料的，预定的量， 并且提供具有较少损伤的基板处理方法，例如图案的剥离。

公开(公告)号：KR1020100050397A

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020090100795

申请日：2009-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모우리노부히코 ,  이시다세이키 ,  오리이다케히코 ,  세키구치겐지

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A substrate process device and a method for cleaning a substrate are provided to reduce a process time by cleaning the edge of the lower side and the cross section of the substrate using a second cleaning unit when the upper side of the substrate with a circuit pattern is cleaned using a first cleaning unit. CONSTITUTION: A substrate maintaining unit(19) maintains a substrate. A first cleaning unit(25) cleans the edge of the upper side of the substrate with a pressure cleaning solution. A second cleaning unit(26) cleans the edge of the lower side and the cross section of the substrate in contact with the cleaning unit.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和清洁基板的方法，以便当具有电路的基板的上侧时，通过使用第二清洁单元清洁基板的下侧边缘和基板的横截面来缩短处理时间 图案使用第一清洁单元进行清洁。 构成：衬底维持单元（19）保持衬底。 第一清洁单元（25）用压力清洁溶液清洁基板的上侧的边缘。 第二清洁单元（26）清洁与清洁单元接触的底部的边缘和基底的横截面。

公开(公告)号：KR100728547B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020057012922

申请日：2004-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시 ,  사이토유스케 ,  나카모리미츠노리 ,  유치다노리타카 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명은 ArF 레지스트막을 수반한 웨이퍼로부터 이 ArF 레지스트막을 제거하는 처리 방법에 관한 것이다.
ArF 레지스트막에 자외선 조사 처리를 실시하고, 이어서 ArF 레지스트막에 오존 가스와 수증기를 공급하여 처리함으로써, 이 ArF 레지스트막을 수용성으로 변성시킨다. 그 후, 수용성으로 변성된 ArF 레지스트막에 순수를 공급함으로써, ArF 레지스트막을 기판으로부터 박리한다.

公开(公告)号：KR101920941B1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：KR1020130064214

申请日：2013-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시겐타로 ,  미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/10 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 본발명의제1 과제는, 초임계상태또는아임계상태에서기판의건조처리를할 때에기판의표면이오염되어버리는것을방지하여기판처리장치의수율을향상시키는데에있다. 또한, 본발명의제2 과제는, 상태변화를동반하면서유체공급로를흐르는유체속의이물을제거하여, 기판의처리가행해지는처리용기에공급할수 있는기판처리장치등을제공하는데에있다. 본발명의제1 과제의해결수단에서는, 기판을처리하는처리용기와, 기판의처리에사용하는기판처리유체를소정의압력으로공급하는유체공급원과, 유체공급원으로부터기판처리유체를승압시키지않고서일정한압력으로처리용기에공급하는정압공급유로와, 유체공급원으로부터기판처리유체를승압기구로소정의압력으로승압하여처리용기에공급하는승압공급유로와, 정압공급유로와승압공급유로를전환하는제어수단을포함하고, 제어수단은, 정압공급유로로부터일정한압력의기판처리유체를처리용기에공급하며, 처리용기의내부압력이소정의압력으로된 경우에, 승압공급유로로부터승압한기판처리유체를처리용기에공급하여, 처리용기의내부압력을상승시키도록제어하는것으로했다. 또한, 본발명의제2 과제의해결수단에서는, 유체공급부는, 기판(W)을초임계유체또는아임계유체에의해처리하기위해서마련된처리용기(1031)에, 유체공급로(1351)를통류하는유체가, 기체상태의원료유체에서초임계상태또는아임계상태로변하여통류하도록유체를공급한다. 이유체공급로(1351)에있어서, 제1 필터(1041)는상기유체속의이물을제거하기위해서설치되고, 제2 필터(1042)는기체상태의원료유체를통류시켰을때에상기제1 필터(1041)에흡착된후, 상기원료유체가액 상태, 초임계상태또는아임계상태로변하여얻어진유체로유출된이물의응집체를제거하기위해서설치되어있다.

公开(公告)号：KR101864001B1

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：KR1020160016384

申请日：2016-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토루 ,  오리이다케히코 ,  마루야마히로타카 ,  미나미데루오미 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은휘발성을갖는건조액을이용하여기판을건조시킬때에, 기판표면에워터마크가발생하여미세한파티클이부착되는것을방지하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판을처리액으로액처리한후에휘발성처리액으로건조처리하는기판처리방법및 기판처리장치에있어서, 상기기판에처리액을공급하여처리하는공정과, 상기처리액의액막이형성된상기기판을가열하는공정과, 상기처리액의액막이형성된기판에휘발성처리액을공급하는공정과, 상기기판에의상기휘발성처리액의공급을정지하는공정과, 상기휘발성처리액을제거하여기판을건조하는공정을가지며, 상기기판을가열하는공정은상기휘발성처리액을공급하는공정보다이전에시작되고, 상기기판의표면이상기휘발성처리액에노출되는것보다이전에, 상기기판의표면온도가노점온도보다높아지도록상기기판이가열되는것으로하였다.

公开(公告)号：KR1020140113348A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020140023586

申请日：2014-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이다케히코 ,  신도나오키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67

Abstract: The purposes of the present invention are to reduce a supply quantity of a processing liquid and cover the entire surface of a substrate by the processing liquid. The substrate liquid processing method comprises the steps of: forming a liquid film of a processing liquid having a diameter smaller than that of the substrate on the surface of a substrate by supplying the processing liquid from a first nozzle to a central portion of the surface of the substrate while rotating the substrate (W) around a vertical axis in a horizontal posture; supplying a processing liquid, that is the same as the processing liquid supplied from the first nozzle, to a peripheral edge of the liquid film of the processing liquid formed on the surface by the first nozzle from a second nozzle (33); ; and moving a supplying position of the processing liquid from the second nozzle of the surface of the substrate toward the peripheral edge of the substrate and, as a result, expanding the liquid film of the processing liquid toward the peripheral edge of the substrate.

Abstract translation: 本发明的目的是减少处理液的供给量并且通过处理液覆盖基板的整个表面。 基板液体处理方法包括以下步骤：通过将处理液体从第一喷嘴供给到表面的中心部分，形成直径小于基板表面的基板的处理液的液膜 所述基板在使所述基板（W）以水平姿势绕垂直轴线旋转的同时， 将与第一喷嘴供给的处理液相同的处理液从第二喷嘴供给到由第一喷嘴在表面上形成的处理液的液膜的周缘; ; 并且将处理液的供给位置从基板的表面的第二喷嘴朝向基板的周缘移动，结果使处理液的液膜朝向基板的周缘延伸。

公开(公告)号：KR101275973B1

公开(公告)日：2013-06-14

申请号：KR1020090009821

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이다케히코 ,  세키구치겐지

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  F26B9/06

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: 웨이퍼(W)가수용되는챔버(1)와, 챔버(1) 내에서웨이퍼(W)를유지하는스핀척(2)과, 챔버(1) 내의스핀척(2)의상측에상하이동가능하게설치되며, 저습도가스및 청정공기중 어느하나를하측을향하여토출가능한가스토출헤드(7)와, 가스토출헤드(7)를, 적어도상기챔버의상부에있는후퇴위치와, 상기기판유지부에유지된기판에근접한근접위치사이에서이동시키는구동기구(67)와, 스핀척(2)에유지된웨이퍼(W)에처리액을공급하는처리액공급노즐(15)과, 스핀척(2)에유지된웨이퍼(W)에 IPA를공급하는 IPA 공급노즐(35)을포함하고, 적어도 IPA의공급시에가스토출헤드(7)를근접위치에위치시켜상기가스토출헤드로부터저습도가스를공급한다.

Abstract translation: 一种基板处理装置，包括：配置成用基板保持件配置被处理基板的室，旋转基板的旋转卡盘，将排出除湿气体排出到基板的排气头，处理液供给喷嘴，IPA 供给喷嘴和驱动装置，该驱动装置构造成使所述气体排出头在所述室的上部的后退位置和所述基板附近的接近位置之间移动。 特别地，当将IPA提供给基板时，气体放电头位于接近位置，使得当将IPA供给到基板时，将除气从气体排出头供应到基板。