公开(公告)号：KR100944831B1

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：KR1020040086943

申请日：2004-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 MOSFET의 게이트 절연막 등의 고유전율막으로서 유효한 하프늄 화합물막 상에 폴리실리콘 전극을 형성하는 데 있어서, 플랫 밴드 전압의 시프트를 억제하는 것이다.
감압 분위기이고 또한 가열 분위기 하에 있어서 반응 용기 내에서 하프늄 유기 화합물의 증기와, 예를 들어 디실란 가스를 반응시켜 실리콘막 상에 하프늄 실리케이트막을 성막하고, 이 하프늄 실리케이트막 상에 디클로로실란 가스와 산화이질소 가스를 반응시켜 배리어층이 되는 실리콘 산화막을 적층하고, 그 위에 게이트 전극이 되는 폴리실리콘막을 형성한다.
플랫 밴드 전압, 하프늄 실리케이트막, 반도체 웨이퍼, 실리콘 산화막

公开(公告)号：KR100887330B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020057022905

申请日：2004-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: MOSFET의 게이트 절연막이나 메모리 디바이스에서의 용량의 전극간 절연막에 포함되는 탄소, 아산화물(suboxide), 댕글링 본드(dangling bond) 등에 기인하는 특성 열화를 개선하여, 절연막의 특성을 향상시키는 방법을 제공한다.
절연막에 희가스를 포함하는 처리 가스에 근거하는 플라즈마 처리와 열어닐 처리를 조합한 개질 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR1020060047371A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050033359

申请日：2005-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  후지와라도모노리 ,  모로즈미유우이찌로오 ,  하라다가쯔시게 ,  나까지마시게루 ,  최동균 ,  후루야하루히꼬 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/90

Abstract: 본 발명의 과제는 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실 내면에 부착하는 부생성물막을 제거하는 공정을 포함하는 것이다. 여기서 상기 반응실 내에 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 물이 액막으로서 존재할 수 있는『제1 환경』으로 설정한다.
클리닝 가스, 성막 장치, 반응실, 히터, 배기계, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR100744590B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050041930A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020040086943

申请日：2004-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 MOSFET의 게이트 절연막 등의 고유전율막으로서 유효한 하프늄 화합물막 상에 폴리실리콘 전극을 형성하는 데 있어서, 플랫 밴드 전압의 시프트를 억제하는 것이다.
감압 분위기이고 또한 가열 분위기 하에 있어서 반응 용기 내에서 하프늄 유기 화합물의 증기와, 예를 들어 디실란 가스를 반응시켜 실리콘막 상에 하프늄 실리케이트막을 성막하고, 이 하프늄 실리케이트막 상에 디클로로실란 가스와 산화이질소 가스를 반응시켜 배리어층이 되는 실리콘 산화막을 적층하고, 그 위에 게이트 전극이 되는 폴리실리콘막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020040086317A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060006096A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020057022905

申请日：2004-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: Disclosed is a method for overcoming deterioration in characteristics of insulating films due to carbon, a suboxide, a dangling bond or the like contained in a gate insulating film of a MOSFET or an interelectrode insulating film of a capacitor in a memory device, thereby improving the characteristics of the insulating film. An insulating film is subjected to a modification treatment wherein a plasma treatment using a plasma produced from a process gas containing a noble gas and a thermal annealing treatment are combined.

Abstract translation: 公开了一种克服由于存储器件中的MOSFET或电容器的栅极绝缘膜中包含的碳，低氧化物，悬空键等引起的绝缘膜的特性劣化的方法，从而改善了 绝缘膜的特性。 对绝缘膜进行改性处理，其中使用由含有惰性气体和热退火处理的工艺气体产生的等离子体处理组合。

公开(公告)号：KR1020060002756A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057014315

申请日：2004-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31645

Abstract: It is intended to increase the crystallization temperature of a hafnium compound film useful as a film of high dielectric constant such as a gate oxide film of MOSFET. In a heated vacuum atmosphere, a vapor of hafnium organic compound together with monosilane gas or disilane gas is introduced in a reaction vessel and reacted with each other to thereby form a hafnium silicate film on a substrate. The obtained film exhibits a high crystallization temperature due to the crystallization inhibiting effect of silicon. In another embodiment, an oxygen-containing hafnium compound film is annealed in a heated ammonia gas atmosphere. This annealing also increases the crystallization temperature of the oxygen-containing hafnium compound film.

Abstract translation: 旨在提高用作高介电常数的膜的铪化合物膜的结晶温度，例如MOSFET的栅极氧化膜。 在加热的真空气氛中，将铪有机化合物与甲硅烷气体或乙硅烷气体一起蒸气引入反应容器中并彼此反应，从而在基材上形成硅酸铪膜。 由于硅的结晶抑制作用，所得膜具有高的结晶温度。 在另一个实施方案中，将氧含铪化合物膜在加热的氨气气氛中退火。 该退火还增加含氧铪化合物膜的结晶温度。