公开(公告)号：KR102234684B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020190058978A

申请日：2019-05-20

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석

IPC: C01B32/921 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

CPC classification number: C01B32/921 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  C01P2002/54 ,  C01P2006/40

Abstract: 본 발명은 질소를 함유한 단분자의 온도에 따른 상태변화를 이용하여 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물을 제조하는 방법과, 상기의 제조방법에 의해 제조되는 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물 및 이를 포함하는 전극 소재에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102224235B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190122739A

申请日：2019-10-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  정하균 ,  송우석 ,  장문정

IPC: G01N27/407 ,  C08G77/00 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08

CPC classification number: G01N27/4074 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C08L83/08 ,  G01N27/4075

Abstract: 본 발명에 따른 알코올 가스 센서는 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 일면에 형성되는 금속 산화물층; 금속 산화물층 상에 형성되며, 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극; 및 금속 산화물층, 소스전극 및 드레인전극 상에 형성되는 실리콘계 고분자층;을 포함하되, 실리콘계 고분자층의 고분자가 하기 화학식 1 및 화학식 2의 구조단위를 포함한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

[상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R
1 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
L은 2가의 연결기이고;
R
2 는 시아노이고;
R
3 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
R
4 는 C
6 -C
20 의 아릴이고,
x와 y의 몰비는 1:9 내지 9:1이다.]

公开(公告)号：WO2013168941A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/KR2013/003910

申请日：2013-05-06

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  김효숙 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  임종선

IPC: C01F5/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/403

Abstract: 본 발명은 β-다이케토네이트와 아미노알콕사이드 리간드를 갖는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로, 상기 산화 마그네슘 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有β-二酮酸盐和氨基 - 醇盐配体的氧化镁前体。 氧化镁前体具有良好的热稳定性和挥发性，因此可以获得改善的含氧化镁薄膜。

公开(公告)号：WO2013168968A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/KR2013/003961

申请日：2013-05-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  이영국 ,  안기석 ,  김성준 ,  강성구

IPC: G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C14/185 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0281

Abstract: 기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.

Abstract translation: 通过在基板上形成金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜，形成聚合物支撑层和除去基板而获得的转印片材可用于通过粘附到另一所需的材料上来转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜 并除去聚合物支撑层。 由此转移的金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜可以形成所需的厚度，从而便于使用石墨烯电极等制备各种电子器件。

公开(公告)号：WO2012157894A3

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/KR2012/003687

申请日：2012-05-10

Applicant: 한국화학연구원 ,  이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 고분자 스템프를 이용하는 박리 기법을 이용하여 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 그래핀 패턴을 형성하는데 적합한 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 기법에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 스템프를 이용하여 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있으며, 또한 회전체 스템프를 이용하는 롤투롤 방식 또는 대면적 스템프를 이용하는 방식으로 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 대면적의 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있다.

公开(公告)号：WO2019198985A2

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：PCT/KR2019/004056

申请日：2019-04-05

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  윤여흥

IPC: C01B32/198

Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.

公开(公告)号：WO2017052202A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/KR2016/010546

申请日：2016-09-21

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  양철수 ,  안기석 ,  버나드두댕 ,  틴다라베르두치 ,  파올로사모리 ,  에마누엘레오리구 ,  박세린

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 본 발명은 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층과의 계면에서 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법; 이를 이용하여 금속층 및 상기 금속층 상에 형성된 탄소계 패시베이션막을 구비한 금속 전극; 및 이를 이용하여 용액공정으로 유기소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 어닐링 조건에서 탄소계 패시베이션막을 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층 표면에 형성시키는 경우, 금속 표면에 이미 존재하는 산화막 및/또는 수산화막을 환원시키고 더 이상의 산화 및 부식이 일어나지 않도록 금속 표면을 보호할 수 있을 뿐만아니라, 계면 저항이 낮아서 금(Au)과 같이 자연산화막이 형성되지 않는 금속 전극으로 활용할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成碳基钝化膜的方法，同时减少与含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的界面中的金属氧化物和/或金属氢氧化物的含量; 包括金属层的金属电极和使用其形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及通过使用其的溶液法制造有机元素的方法。 当在根据本发明的退火条件下在含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的表面上形成碳基钝化膜时，碳基钝化膜可以保护金属表面以减少 氧化膜和/或氢氧化物膜，其已经存在于金属表面上，并且防止进一步的氧化和腐蚀，并且可以用作未形成天然氧化物膜的金属电极，如金（Au） ，由于界面阻力低。

公开(公告)号：WO2012148085A9

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/KR2012/002056

申请日：2012-03-22

Applicant: 한국화학연구원 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

IPC: C07F9/90 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：WO2011102584A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/KR2010/006959

申请日：2010-10-12

Applicant: 한국화학연구원 ,  김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  류병환 ,  정인경

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  류병환 ,  정인경

IPC: C07F5/00 ,  C07C229/10 ,  C07C227/18 ,  C23C16/40

CPC classification number: C07C229/10

Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 금속 디알킬글리신 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 수분에서 안정하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 금속 디알킬글리신 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及使用改性甘氨酸的新型二烷基甘氨酸金属及其制备方法，其中二烷基甘氨酸金属在水中稳定，易于储存，并具有热稳定性。

公开(公告)号：WO2022092750A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：PCT/KR2021/015073

申请日：2021-10-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 송우석 ,  이선숙 ,  안기석 ,  정하균 ,  임종선 ,  명성 ,  지슬기 ,  송다솜

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/04 ,  H01B3/10 ,  H01B13/00

Abstract: 본 발명은 유연전극용 복합소재 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 고온, 다습 및 수중과 같은 극한 환경에서도 전기적 특성을 유지할 수 있는 유연전극용 복합소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 복합소재는 몰리브덴카바이드(Mo2C)를 함유하는 기재; 기재 표면에 코팅된 그래핀층; 그래핀층으로부터 연장되어 산호(coral) 구조를 가지는 그래핀 구조체;를 포함할 수 있다.