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公开(公告)号：JP2012178583A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：JP2012097022
申请日：2012-04-20
Inventor： RUETHING HOLGER , SCHULZE HANS-JOACHIM , PFAFFENLEHNER MANFRED
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7396 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/32
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a latch-up of a power IGBT.SOLUTION: A power IGBT includes a semiconductor substrate having an emitter zone 11 of a first conduction type and a proximate drift zone 12 of a second conduction type. The IGBT further includes a cell array having many transistor cells. Each of the transistor cells has a source zone 15, a body zone 14, and a gate electrode 16 configured to be insulated from the source zone 15 and the body zone 14. The source zone 15 and the body zone 14 are short-circuited. In addition, the cell array has a first cell array section 101 with a first cell density, and a second cell array section 102 with a second cell density lower than the first cell density. The emitter zone 11 has a lower emitter efficiency in a region of the second cell array section than in a region of the first cell array section.
Abstract translation: 要解决的问题：改善功率IGBT的闭锁。 解决方案：功率IGBT包括具有第一导电类型的发射极区域11和第二导电类型的近漂移区域12的半导体衬底。 IGBT还包括具有许多晶体管单元的单元阵列。 每个晶体管单元具有源极区15，主体区14和被配置为与源极区15和主体区14绝缘的栅电极16.源极区15和主体区14被短路。 此外，单元阵列具有第一单元阵列区段101和第二单元阵列区域102，第二单元阵列区域具有第一单元密度，第二单元阵列区域102具有低于第一单元密度的第二单元密度。 发射极区域11在第二单元阵列区域的区域中的发射极效率比第一单元阵列区域的区域低。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2012182470A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：JP2012097021
申请日：2012-04-20
Inventor： RUETHING HOLGER , SCHULZE HANS-JOACHIM , PFAFFENLEHNER MANFRED
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7396 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/32
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an element structure that improves latch-up operation of a vertical power IGBT.SOLUTION: A power IGBT comprises: a semiconductor substrate having an emitter region 11 of a first conductivity type and a drift region 12 of a second conductivity type adjacent to the emitter region 11; and a cell array having a plurality of transistor cells. The plurality of transistor cells each have a source region 15, a body region 14 disposed between the source region 15 and the drift region 12, and a gate electrode 16 disposed so as to be insulated from the source region 15 and the body region 14. The source region 15 and the body region 14 are shorted. The cell array has a first cell array portion 101 having a first cell density and a second cell array portion 102 having a second cell density lower than the first cell density in order that the emitter efficiency of the emitter region 11 is lower in a region of the second cell array portion 102 than in a region of the first cell array portion 101.
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种改善垂直功率IGBT的闭锁操作的元件结构。 电源IGBT包括：具有第一导电类型的发射极区域11和与发射极区域11相邻的第二导电类型的漂移区域12的半导体衬底; 以及具有多个晶体管单元的单元阵列。 多个晶体管单元各自具有源极区域15，设置在源极区域15和漂移区域12之间的体区域14以及被设置为与源极区域15和主体区域14绝缘的栅极电极16。 源区域15和体区域14被短路。 电池阵列具有具有第一电池密度的第一电池阵列部分101和具有低于第一电池密度的第二电池密度的第二电池阵列部分102，以便发射极区域11的发射极效率在 第二单元阵列部分102比第一单元阵列部分101的区域中。第二单元阵列部分102相对于第一单元阵列部分101的区域。
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公开(公告)号：JP2007134714A
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：JP2006302653
申请日：2006-11-08
Applicant: Infineon Technologies Ag , インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
Inventor： RUETHING HOLGER , SCHULZE HANS-JOACHIM , PFAFFENLEHNER MANFRED
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7396 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/32
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an element structure for improving the latch up operation of a vertical power IGBT.
SOLUTION: The power IGBT includes a semiconductor substrate having an emitter zone 11 of a first conduction type and a drift zone 12 of a second conduction type proximate to the emitter zone 11, and a cell array having a plurality of transistor cells. The transistor cell has a source zone 15, a body zone 14 disposed between the source zone 15 and the drift zone 12, and a gate electrode 16 configured to be insulated with respect to the source zone 15 and the body zone 14, respectively. The source zone 15 and the body zone 14 are short-circuited. The emitter zone 11 has a lower emitter efficiency in a region corresponding to the second cell array section 102 than in a region corresponding to the first cell array section 101. The cell array has a first cell array section 101 with a first cell density and a second cell array section 102 with a second cell density that is lower than the first cell density.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供用于改善垂直功率IGBT的闭锁操作的元件结构。 解决方案：功率IGBT包括具有第一导电类型的发射极区域11和接近发射极区域11的第二导电类型的漂移区域12的半导体衬底和具有多个晶体管单元的单元阵列。 晶体管单元具有源极区15，设置在源极区15和漂移区12之间的体区14以及分别相对于源极区15和体区14绝缘的栅电极16。 源区15和体区14短路。 发射极区域11在对应于第二电池阵列部分102的区域中的发射极效率低于对应于第一电池阵列部分101的区域。电池阵列具有第一电池阵列部分101，其具有第一电池密度和 第二单元阵列区102具有低于第一单元密度的第二单元密度。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：DE102018132237B4
公开(公告)日：2025-02-06
申请号：DE102018132237
申请日：2018-12-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAUER JOSEF-GEORG , BRANDENBURG JENS , CAR DIANA , HUMBEL OLIVER , KOCH PHILIPP SEBASTIAN , KOPROWSKI ANGELIKA , KREMP SEBASTIAN , KURZMANN THOMAS , LERCHER ERWIN , RUETHING HOLGER
Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109);- ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist;- ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert;- eine Isolationsschicht (15), die auf der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, wobei ein lateraler Rand (151) der Isolationsschicht (15) wenigstens ein Kontaktloch (H) definiert, wobei das Kontaktloch (H) mit einer Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) gefüllt ist, die sich in Kontakt mit einem dotierten Halbleitergebiet (1711) des Halbleiterkörpers (10) befindet; und- eine Hartpassivierungsschicht (18), die auf eine solche Weise auf der Vorderseite (10-1) in wenigstens einem Teil des Randabschlussgebiets (17) angeordnet ist, dass sich die Hartpassivierungsschicht (18) nicht oberhalb des lateralen Randes (151) der Isolationsschicht (15) erstreckt, wobei die Hartpassivierungsschicht (18) die Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) zumindest teilweise bedeckt.
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公开(公告)号：DE10330571A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：DE10330571
申请日：2003-07-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MAUDER ANTON , RUETHING HOLGER , MILLER GERHARD , SCHULZE HANS-JOACHIM
IPC: H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/70 , H01L21/328
Abstract: A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side of a substrate, a rear side emitter or a cathode emitter and, over that, a rear side metal layer that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region of the component, provision is made of injection attenuation means for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter or the cathode emitter into said edge section.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102015111085A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：DE102015111085
申请日：2015-07-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KIEP ANDREAS , RUETHING HOLGER , WOLTER FRANK
Abstract: Ein Halbleiter-Die enthält ein diskretes Halbleiterbauelement und wenigstens eine Diode. Die Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements wird bestimmt durch Messen eines ersten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer ersten Testbedingung, Messen eines zweiten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer zweiten Testbedingung und Schätzen der Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements auf der Basis der Differenz zwischen der ersten und zweiten Durchlassspannungsabfallmessung.
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公开(公告)号：DE10330571B4
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：DE10330571
申请日：2003-07-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MAUDER ANTON , RUETHING HOLGER , MILLER GERHARD , SCHULZE HANS-JOACHIM
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/861
Abstract: A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side of a substrate, a rear side emitter or a cathode emitter and, over that, a rear side metal layer that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region of the component, provision is made of injection attenuation means for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter or the cathode emitter into said edge section.
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公开(公告)号：DE102018132237A1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE102018132237
申请日：2018-12-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAUER JOSEF-GEORG , BRANDENBURG JENS , CAR DIANA , HUMBEL OLIVER , KOCH PHILIPP SEBASTIAN , KOPROWSKI ANGELIKA , KREMP SEBASTIAN , KURZMANN THOMAS , LERCHER ERWIN , RUETHING HOLGER
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), die eine Leistungshalbleitertransistorkonfiguration aufweist, die Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109); ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist; und ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert. Das Randabschlussgebiet (17) umfasst auf der Vorderseite (10-1) ein Schutzgebiet (172), das keinerlei metallische Strukturen umfasst, außer die metallische Struktur ist elektrisch von unten durch eine Polysiliciumschicht (178) abgeschirmt, die sich um eine laterale Entfernung (d5) von wenigstens 20 µm weiter zu dem lateralen Chiprand (109) als die metallische Struktur erstreckt. Das Schutzgebiet (172) ist in einem sperrenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) dazu konfiguriert, eine Spannungsänderung von wenigstens 90 % einer Sperrspannung innerhalb des Halbleiterkörpers in einer lateralen Richtung von dem aktiven Gebiet (16) zu dem lateralen Chiprand (109) hin aufzunehmen..
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公开(公告)号：DE102009027487B4
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：DE102009027487
申请日：2009-07-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAGINSKI PATRICK , BAYERER REINHOLD , DOMES DANIEL , RUETHING HOLGER
Abstract: Eine in einem Halbleiterkörper integrierte Schaltungsanordnung umfassend:mindestens ein in dem Halbleiterkörper integriertes Leistungshalbleiterbauelement (T) mit einem Steueranschluss (G), einer mit dem Steueranschluss (G) elektrisch verbundenen internen Steuerelektrode (Gint) und einem Lastanschluss (E);ein thermisch mit dem Leistungshalbleiterbauelement (T) gekoppeltes und ebenfalls in den Halbleiterkörper integriertes Widerstandsbauelement (R), das zwischen dem Steueranschluss (G) und dem Lastanschluss (E) des Leistungshalbleiterbauelementes (T) angeordnet ist, wobei das Widerstandsbauelement (R) eine temperaturabhängige Widerstandskennlinie aufweist; undeine Ansteuer- und Auswerteeinheit, die dazu ausgebildet ist, den Strom durch das Widerstandsbauelement (R) oder den Spannungsabfall über dem Widerstandsbauelement (R), auszuwerten und ein davon abhängiges Temperatursignal bereitzustellen, wobeidie Ansteuer- und Auswerteeinheit dazu ausgebildet ist, den Strom durch das Widerstandsbauelement (R) oder den Spannungsabfall über dem Widerstandsbauelement (R) über den Steueranschluss (G) und den Lastanschluss (E) des Leistungshalbleiterbauelement (T) auszuwerten.
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公开(公告)号：DE10330571B8
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：DE10330571
申请日：2003-07-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MAUDER ANTON , RUETHING HOLGER , MILLER GERHARD , SCHULZE HANS-JOACHIM , BAUER JOSEF GEORG , FALCK ELMAR
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/861
Abstract: A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side of a substrate, a rear side emitter or a cathode emitter and, over that, a rear side metal layer that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region of the component, provision is made of injection attenuation means for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter or the cathode emitter into said edge section.
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