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公开(公告)号：KR1020140127684A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钨前体。钨前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钨薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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公开(公告)号：KR1020140127683A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046347
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황을 포함하는 주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, E는 S, Se 또는 Te이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及以下式1表示的锡前体。作为包含硫的前体的锡前体在制造薄膜时不需要加入单独的硫。 锡前体具有改善的热稳定性，由此形成包含优质硫的锡薄膜。 [式1]（式中，R 1和R 2各自独立地为C 1〜C 10的直链或支链烷基，R 3和R 4各自独立地为C 1〜C 10的直链或支链烷基或C 1 -C 10的直链或支链氟代烷基， C10，E为S，Se或Te，n为选自1〜3的整数。）。
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公开(公告)号：KR1020140127682A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046346
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1 또는화학식 4로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)[화학식 4](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1或化学式4表示的镓前体。镓前体是包含硫的前体，提供了在薄膜的制造过程中分配需要分离加入硫的优点，并且具有 增强的热稳定性，从而形成质量好的硫化镓薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，X为Cl ，Br或I，n为选自1至3的整数。在化学式4中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10 烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，Y为SeCN或SCN，n为选自1至3的整数。
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公开(公告)号：KR1020140127679A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由下式1表示的铅前体。所述前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，在制备薄膜期间不需要加入单独的硫，从而容易地制造高质量的铅 硫化物薄膜。 [式1]（式1中，R 1和R 2各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基或C1的直链或支链的三氟烷基 -C10，N选自1〜3的整数。）。
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公开(公告)号：KR1020140068719A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020120136558
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: The present invention relates to a ruthenium precursor represented by Chemical Formula 1. The ruthenium precursor has improved thermal stability and volatility and does not have to use oxygen during the deposition of a thin film so that a good quality ruthenium thin film can be produced. [Chemical Formula 1](In Formula, R1-R12 are independently H, or C1-C4 linear or branched alkyl groups.).
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌前体。钌前体具有改善的热稳定性和挥发性，并且在沉积薄膜期间不必使用氧气，从而可以生产出优质的钌薄膜。 [化学式1]（式中，R 1 -R 12独立地为H或C 1 -C 4直链或支链烷基）。
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Patent Agency Ranking106.发明授权
公开(公告)号：KR101344214B1
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020110005338
申请日：2011-01-19
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01B1/14 , H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지전극형성에이용가능한비접촉인쇄공정용전도성잉크조성물및 이를이용한태양전지전면전극형성방법에관한것으로, 특히전면전극을형성하는단계에있어서사용되는전도성잉크는금속나노입자, 나노사이즈의유리프릿 (glass frit) 및유기비히클을포함한다. 본발명은기판에물리적손상을주지않는비접촉인쇄공정에적용가능하며, 추가적인마스크패터닝공정없이양질의태양전지전면전극을형성할 수있다.
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公开(公告)号：KR101331971B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120048230
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, n은 1 내지 3이다.)-
公开(公告)号：KR101331970B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120047442
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 인듐 전구체에 관한 것으로, 상기 인듐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화인듐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3이다.)-
公开(公告)号：KR1020130127025A
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020120048239
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F1/08 , C23C16/305 , C23C16/45553
Abstract: The present invention relates to a copper precursor represented by chemical formula 1, wherein the copper precursor includes sulfur, has no need of adding separate sulfur during manufacturing thin films, and improves thermal stability and volatility, thereby allowing high quality copper sulfide thin films. In chemical formula 1, R1 and R2 are linear or branched alkyl of C1-C10, respectively, R3 and R4 are linear or branched alkyl of C1-C10 or fluorinated alkyl of C1-C10, respectively, and n is selected from numbers 1 to 3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铜前体，其中铜前体包括硫，在制造薄膜期间不需要添加单独的硫，并且提高热稳定性和挥发性，从而允许高质量的硫化铜薄膜。 在化学式1中，R1和R2分别是C1-C10的直链或支链烷基，R3和R4分别是C1-C10的直链或支链烷基或C1-C10的氟化烷基，n选自数1至 3。
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公开(公告)号：KR1020130108932A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：KR1020120030785
申请日：2012-03-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C01B32/182 , B01F3/1207 , B01J8/00 , B82B3/0061 , C01B32/23
Abstract: PURPOSE: Provided are a graphene compound wherein an amine group is introduced to easily and efficiently manufacture a graphene which is stable and well dispersed in a solvent, and a manufacturing method therefor, and a dispersion solution including the same. CONSTITUTION: A method for manufacturing a graphene compound wherein an amine group is introduced comprises the steps of: manufacturing graphene oxide having a group selected from a group consisting of an epoxy group, an OH group and a COOH group from graphite; and reacting the graphene oxide with a primary amine or a secondary amine.
Abstract translation: 目的：提供一种石墨烯化合物，其中引入胺基以容易且有效地制备稳定且良好分散在溶剂中的石墨烯及其制备方法，以及包含该石墨烯的分散溶液。 构成：其中引入胺基的石墨烯化合物的制造方法包括以下步骤：从石墨制造具有选自由环氧基，OH基和COOH基组成的组的基团的氧化石墨; 并使氧化石墨烯与伯胺或仲胺反应。
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