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公开(公告)号：KR1020160043797A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140138458
申请日：2014-10-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C01B2204/22
Abstract: 본발명은그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것으로, 보다상세하게는그래핀위에금속촉매를코팅하고, 코팅된금속촉매위에다시그래핀을형성하여, 그래핀의결함을보완하여투과도의감소없이전기전도도가향상된그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种叠层石墨烯结构体及其制备方法。 更具体地说，本发明涉及一种层叠石墨烯结构体的制备方法，其在石墨烯上涂覆金属催化剂并在涂覆的金属催化剂的顶部形成石墨烯; 和由其制备的层叠石墨烯结构。 堆叠的石墨烯结构补偿石墨烯的缺陷，并且具有改善的电导率而不会降低透光率。
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102.发明授权
公开(公告)号：KR101598492B1
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140040094
申请日：2014-04-03
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01B1/04 , H01B5/00 , H01L29/772
Abstract: 그래핀막에증착된복수의탄소나노튜브들을포함하는박막으로서상기복수의탄소나노튜브들이상기그래핀막에평면상으로배열되는탄소나노튜브-그래핀하이브리드박막은, 우수한투명성및 면저항을가지며, 스핀코팅등의간편한공정에의해제조될수 있으므로, 투명전극및 전계효과트랜지스터등의분야에유용하다.
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公开(公告)号：KR101572086B1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：KR1020140027158
申请日：2014-03-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는 4족금속전구체에관한것으로, 상기 4족전이금속전구체는열적으로안정하고휘발성이좋으므로양질의 4족전이금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R은 C1-C10의선형또는분지형알킬기, C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기, 또는 C6-C12의방향족탄화수소이며, R, R은각각독립적으로 H이거나 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)
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公开(公告)号：KR101506640B1
公开(公告)日：2015-03-27
申请号：KR1020140015358
申请日：2014-02-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/131 , H01M10/052
Abstract: 본 발명은 전도성 물질을 이용한 리튬이차전지용 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 표면 대전 전위가 제어 가능함에 따라 복합화 소재를 이용한 전극 소재로서 사용될 수 있는 나노 금속 산화물을 제조하여 보다 쉽게 물리적 혼성화가 가능하며 이는 표면 전위 상태가 상이한 타 이종 화합물과의 복합화를 통하여 고용량을 가지면서 출력 특성이 우수한 리튬이차전지용 전극 소재를 제조하는 방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用导电材料的锂二次电池用电极及其制备方法。 根据本发明，制备纳米金属氧化物，其可以通过允许表面电荷势控制而使用复合材料用作电极材料，这有利于物理杂化，并且这与具有不同表面电位状态的另一种非均相化合物组合 使得可以以高水平的容量和输出特性制备用于锂二次电池的电极材料。 根据本发明的方法包括：a）制备含有金属氧化物前体，氧化剂和第一导电材料的混合溶液的步骤; b）通过混合溶液的水热反应制备表面处理的纳米金属氧化物的步骤; c）通过向表面处理的纳米金属氧化物中加入第二导电材料然后在其上进行还原热处理来制备电极活性材料的步骤; d）制备在电极活性材料中含有碳基材料和粘合剂的电极浆料的步骤; 以及e）通过将电极浆料涂敷在基材上来制备电极的步骤。
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105.发明授权
公开(公告)号：KR101350706B1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020110123712
申请日：2011-11-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/52 , H01B1/14 , H01B1/20 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 나노사이즈 글래스 프릿이 함유된 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 전면 전극에 관한 것으로, 특히 전도성 잉크를 제조하는 단계에 있어서 사용되는 졸-겔 공정에 의한 나노 사이즈의 글래스 프릿 (glass frit)의 제조 방법을 포함한다. 글래스 프릿은 실리콘 태양전지 전면전극 재료에 필수 성분이며, 잉크젯 프린팅과 같은 비접촉 인쇄공정에 적용 가능 할 수 있도록 금속 전도성 잉크와 함께 높은 분산성을 가질 수 있다. 본 발명은 낮은 비용으로 태양전지 전극 조성물을 제조하고, 비접촉 인쇄공정을 통해 고효율 실리콘 태양전지 제조에 적용 할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101344856B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020120013032
申请日：2012-02-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/7869
Abstract: 본발명은아연및 주석전구체를사용하여화학기상증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)으로아연주석산화물박막을형성하는방법및 이를이용한 TFT(thin film transistors) 소자제조방법에관한것으로, 본발명에따른아연주석산화물박막의제조방법은주석과아연의조성제어가가능하며, 낮은온도에서공정이가능하며, 삼차원구조의기재상에서도두께가균일한박막을제조할수 있고제조된주석산화물은높은전계효과이동도(field effect mobility)를가지고있어 TFTs의채널재료로적용할수 있다.
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公开(公告)号：KR101336805B1
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020110059903
申请日：2011-06-21
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544
Abstract: 본 발명은 단결정을 성장하는 압력용기에 있어서, 내열 합금으로 제조되는 압력용기본체, 상기 압력용기본체의 내부에 삽입되는 라이너 및 상기 압력용기본체의 하부로 관통 삽입되어 상기 라이너의 하부를 지지하는 하부지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 압력용기.
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公开(公告)号：KR101335019B1
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120026274
申请日：2012-03-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 안티몬 박막의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 안티몬 박막의 제조 방법은 진공 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 안티몬 전구체 물질을 준비하는 단계; 상기 안티몬 전구체 물질로 소스가스를 준비하는 단계; 수소 가스를 포함하는 반응가스를 준비하는 단계; 퍼지가스를 준비하는 단계; 금속 전구체 물질로 금속 전구체 가스를 준비하는 단계; 및 상기 진공챔버 내에 상기 소스가스, 반응가스, 퍼지가스 및 상기 금속 전구체 가스를 순차적으로 공급하는 1사이클의 공정을 실시하여 상기 기판 상에 안티몬-금속의 단원자층 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 안티몬 전구체 물질은 다음 화학식 1로 표시되는 안티몬 아미노알콕사이드인 것을 특징으로 하는 안티몬 박막의 제조 방법: [화학식 1] Sb[OA-NR
1 R
2 ]
3 상기 식 중, A는 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C
2 내지 C
5 의 알킬렌이고; R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.-
公开(公告)号：KR101306811B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049229
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoamide halogen compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby simply manufacturing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of making a compound of chemical formula 2 react with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.
Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基酰胺卤素化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而简单地制造含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。生长含钨的薄膜 通过使用钨化合物的化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。
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公开(公告)号：KR101306810B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049225
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoalkoxide compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby easily producing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of reacting a compound of chemical formula 2 with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.
Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基烷氧基化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而容易地生产含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。含有钨的薄膜通过 化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。
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