公开(公告)号：DE102018104581A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102018104581

申请日：2018-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Grabenstruktur, die sich von einer ersten Oberfläche in einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper erstreckt. Die Grabenstruktur enthält eine Hilfselektrode an einem Boden der Grabenstruktur und eine zwischen der Hilfselektrode und der ersten Oberfläche angeordnete Gateelektrode. Ein Abschirmgebiet grenzt an die Hilfselektrode am Boden der Grabenstruktur und bildet einen ersten pn-Übergang mit einer Driftstruktur.

公开(公告)号：DE102014118317B4

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102014118317

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren (300) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Bilden (310) von zumindest einem pn-Übergang innerhalb eines Halbleitersubstrats;Ausführen einer anodischen Oxidation (320) einer Oberflächenregion des Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb einem Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht, während eine hohe Spannungsdifferenz an dem pn-Übergang aufgrund des anziehenden, elektrischen Feldes auftritt; undImplantieren (330) von Dotierstoffen innerhalb der p-dotierten Region oder der n-dotierten Region des pn-Übergangs, um eine Sperrspannung des pn-Übergangs unter die hohe Spannungsdifferenz zu reduzieren, die an dem pn-Übergang während der anodischen Oxidation auftritt.

公开(公告)号：DE102016124968A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102016124968

申请日：2016-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Bodystruktur und eine Driftzone werden in einer Halbleiterschicht ausgebildet, wobei die Bodystruktur und die Driftzone einen ersten pn-Übergang bilden. Eine Siliziumnitridschicht wird auf der Halbleiterschicht gebildet. Eine Siliziumoxidschicht wird aus zumindest einem vertikalen Abschnitt der Siliziumnitridschicht durch Oxidation mit Sauerstoffradikalen gebildet.

公开(公告)号：DE102016116019A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：DE102016116019

申请日：2016-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bilden eines Grabens, der sich von einer Vorderseitenoberfläche eines Halbleitersubstrats in das Halbleitersubstrat erstreckt. Ferner umfasst das Verfahren ein Bilden von Material, das strukturiert werden soll, im Inneren eines Grabens. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Bestrahlen des Materials, das strukturiert werden soll, mit einem geneigten reaktiven Ionenstrahl in einem nicht-orthogonalen Winkel in Bezug auf die Vorderseitenoberfläche, derart, dass ein unerwünschter Abschnitt des Materials, das strukturiert werden soll, aufgrund der Bestrahlung mit dem geneigten reaktiven Ionenstrahl entfernt wird, während eine Bestrahlung eines anderen Abschnitts des Materials, das strukturiert werden soll, durch einen Rand des Grabens maskiert ist.

公开(公告)号：DE102016112020A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016112020

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), der an eine erste Lastanschlussstruktur (11) und an eine zweite Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und ausgebildet ist, einen Laststrom (15) zu führen; eine erste Zelle (141) und eine zweite Zelle (142), die jeweils auf der einen Seite elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden sind und auf der anderen Seite elektrisch mit einer Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10) verbunden sind, wobei die Driftregion (100) Dotanden eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst; eine erste Mesa (101), die in der ersten Zelle (141) enthalten ist, wobei die erste Mesa (101) enthält: eine erste Anschlussregion (1011), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine erste Kanalregion (1012), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist; eine zweite Mesa (102), die in der zweiten Zelle (142) enthalten ist, wobei die zweite Mesa (102) enthält: eine zweite Anschlussregion (1021), die Dotanden eines zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine zweite Kanalregion (1022), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist; wobei jede der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) durch eine Isolationsstruktur (133) in einer Richtung (X) senkrecht zu einer Richtung (Z) des Laststroms (15) innerhalb der jeweiligen Mesa (101,102) räumlich begrenzt ist und in dieser Richtung (X) eine totale Ausdehnung (DX13; DX23) von weniger als 100 nm aufweist. In der Isolationsstruktur ist Folgendes untergebracht: Eine Steuerelektrodenstruktur (131, 132) zum Steuern des Laststroms (15) innerhalb der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102), wobei die Steuerelektrodenstruktur (131, 132) von der ersten Lastanschlussstruktur (11) elektrisch isoliert ist; und eine Führungselektrode (134), die von der Steuerelektrodenstruktur (131, 132) elektrisch isoliert ist und zwischen der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017103326A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102017103326

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  BAKRAN MARK-MATTHIAS ,  HAIN STEFAN

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/30

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren bereitgestellt, die einen Kurzschlusszustand, der sich auf einen Halbleiterschalter bezieht, detektieren. Ein Kurzschlusszustand kann bestimmt werden, wenn ein Steuersignal des Schalters eine erste Referenz übersteigt und eine Änderung des Laststroms des Schalters eine zweite Referenz übersteigt.

公开(公告)号：DE102015101977A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102015101977

申请日：2015-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  GRIEBL ERICH

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H01L23/544 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Aussparung (205a, 205b) wird in einer ersten Halbleiterschicht (110a) gebildet, die auf einer halbleitenden Basisschicht (105) vorgesehen ist. Die Aussparung (205a, 205b) erstreckt sich von einer Prozessoberfläche (101x) der ersten Halbleiterschicht (110a) zu der Basisschicht (105). Eine rückgebildete Maskenauskleidung (203) wird auf einen Teil einer Seitenwand der Aussparung (205a, 205b) entfernt zu der Prozessoberfläche (101x) gebildet oder ein Maskenstöpsel wird in einem Teil der Aussparung (205a, 205b) entfernt zu der Prozessoberfläche (101x) gebildet. Eine zweite Halbleiterschicht (120a) wird durch Epitaxie auf der Prozessoberfläche (101x) aufgewachsen. Die zweite Halbleiterschicht (120a) überspannt die Aussparung (205a, 205b).

公开(公告)号：DE102014118328A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014118328

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/24

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Bilden einer elektrischen Struktur auf einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats und das Ausführen einer anodischen Oxidation einer Rückseitenoberflächenregion einer Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht auf der Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats zu bilden.

公开(公告)号：DE102014108641A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：DE102014108641

申请日：2014-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  OTREMBA RALF ,  SCHIESS KLAUS

IPC: H01L25/16 ,  H05K1/18

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen können eine Schaltungsanordnung (100) bereitstellen. Die Schaltungsanordnung (100) kann einen Träger (102) mit mindestens einer elektrisch leitfähigen Leitung enthalten; eine Mehrzahl diskreter eingekapselter integrierter Schaltungen (110, 120), die auf dem Träger (102) angeordnet sind; wobei eine erste integrierte Schaltung (110) der Mehrzahl integrierter Schaltungen (110, 120) in elektrischem Kontakt mit einer zweiten integrierten Schaltung (120) der Mehrzahl integrierter Schaltungen (110, 120) ist, um einen ersten Strompfad (106), der den Träger (102) umgeht, zu bilden; und wobei die erste integrierte Schaltung (110) der Mehrzahl integrierter Schaltungen (110, 120) in elektrischem Kontakt mit der zweiten integrierten Schaltung (120) der Mehrzahl integrierter Schaltungen (110, 120) ist, um einen zweiten Strompfad (104) über die mindestens eine elektrisch leitfähige Leitung zu bilden.

公开(公告)号：DE102012108302A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102012108302

申请日：2012-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELSL HANS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/328 ,  H01L29/772 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist eine Halbleiterdiode (100) auf. Die Halbleiterdiode (100) weist ein Driftgebiet (107) und ein erstes Halbleitergebiet (101) von einem ersten Leitfähigkeitstyp auf, das in oder auf dem Driftgebiet (107) ausgebildet ist. Das erste Halbleitergebiet (101) ist über eine erste Oberfläche (103) eines Halbleiterkörpers (130) elektrisch mit einem ersten Anschluss (102) gekoppelt. Die Halbleiterdiode (100) weist ein Kanalgebiet (104) von einem zweiten Leitfähigkeittyp auf, welches elektrisch mit dem ersten Anschluss (102) gekoppelt ist, wobei eine Unterseite (105) des Kanalgebiets (104) an das erste Halbleitergebiet (101) angrenzt. Eine erste Seite (106) des Kanalgebiets (104) grenzt an das erste Halbleitergebiet (101) an.