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公开(公告)号：KR100261263B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970040213
申请日：1997-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/739
Abstract: PURPOSE: A high power electronic device using an optical gate element is provided to cause electrons to move through vacuum or gas space to decide the movement of the electrons using only external electric field without the interference between the electrons and another particles, thereby enhancing the mobility of the electrons and obtaining fast operational performance. CONSTITUTION: An insulating layer(15) is divided into two portions about a space on a substrate(21). A discharge electrode(14) and a receiving electrode(19) are formed with a thin film shape separated from each other on the insulating layer(15) to discharge and receive electrons. A filling layer(18) are formed on the respective thin film type electrodes(14,19) so that the space between the electrodes(14,19) is filled with any gas or is vacuumed. An upper plate(13) has a light source(16) for irradiating light to the electrodes and an optical window(17) for controlling the light intensity of the light source(16), and covers the filling layer(18).
Abstract translation: 目的：提供使用光栅元件的大功率电子器件，使电子移动通过真空或气体空间，以仅使用外部电场来决定电子的移动，而不会在电子和另一个颗粒之间产生干扰，从而提高电流 的电子并获得快速的操作性能。 构成：绝缘层（15）围绕基板（21）上的空间分成两部分。 放电电极（14）和接收电极（19）形成为在绝缘层（15）上彼此分离的薄膜形状，以放电和接收电子。 在各个薄膜型电极（14,19）上形成填充层（18），使得电极（14,19）之间的空间被任何气体填充或被抽真空。 上板（13）具有用于向电极照射光的光源（16）和用于控制光源（16）的光强度的光学窗口（17），并且覆盖填充层（18）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100233254B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960069791
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
CPC classification number: G09G3/22 , G09G3/2014 , G09G2300/08 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/319
Abstract: 본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로, 하나의 절연성 기판 위에 화소 어레이와 스캔 및 데이터 구동회로가 집적화되어 있는 전계 에미터 패널을 제공하여, 고화질 및 고밀도의 전계 방출 디스플레이를 저 가격으로 제공하고자 한다. 본 발명에서는 상기 화소 어레이의 전계방출소자를 절연성 기판 위에 형성된 실리콘 전계방출소자로 구성함으로써, 상기 스캔 구동 회로 및 데이터 구동회로의 기본회로로 사용되는 상보형 다결정실리콘 박막트랜지스터를 상기 화소 어레이가 형성되어 있는 기판에 쉽게 집적화시킬 수 있다. 또한, 상기 화소 어레이의 각 화소에 하나의 고전압 박막트랜지스터를 부착시키고, 디스플레이의 신호를 상기 고전압 박막트랜지스터를 통해 인가함으로써 상기 스캔 및 데이터 구동회로의 저전압화가 가능하고, 아울러 고전압이 아닌 통상의 구동전압에서 고속으로 동작하는 상보형 다결정 박막트랜지스터로 상기 스캔 및 데이터 구동회로를 보다 쉽게 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100233243B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960069279
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치 및 측정방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
간섭계 전체의 크기에 대해서 소형화 및 구조의 단순화가 가능하며, 웨이퍼의 표면의 넓은 측정 영역에 걸쳐 높은 정밀도로 초점을 측정 및 웨이퍼의 수직 방향의 미소 이동 거리를 측정할 수 있는 반도체 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치를 제공하고자 함.
3. 발명이 해결 방법의 요지
레이저 광을 발생하는 반도체 레이저(101); 상기 반도체 레이저에서 방출된 광을 단면이 원형인 평면파로 변환시키는 광 정형수단(103);상기 광 정형수단을 통과한 광이 상기 레이저로의 귀환을 차단하는 광분리수단(104); 상기 광분리수단으로부터 입사된 광의 편광 직교 성분에 따라 반사 또는 투과시키는 편광 빔스플릿터(105); 상기 편광 빔스플릿터를 투과한 광을 소정 주파수만큼 변조하는 음향광학변조수단(107); 상기 음향광학변조수단를 소정 주파수로 구동하는 신호발생수단(109); 상기 편광 빔스플릿터를 통과하여 상기 음향광학변조수단에서 변조된 광 및 상기 편광 빔스플릿터에서 반사된 광을 검출하는 광검출수단(110); 및 상기 광검출수단(110)의 신호와 상기 신호발생수단(109)의 신호가 입력되어 비교되는 위상비교수단(113)을 포함하여 이루어진 반도체 레이저를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치를 제공하며, 상기 장치를 이용한 측정방법에 있어서,반도체 레이저로부터 방출된 레이저 광을 원형 단면의 평면파로 바꾸는 광정형 단계;상기 평면파 레이저 광을 기준 거울로 반사시키고, 상기 음향광학소자로 투과시키는 빔스플릿터 단계; 상기 투과된 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 소정 주파수로 변조하는 제1변조단계; 일차 변조된 레이저 광을 웨이퍼에 조사하는 단계; 웨이퍼에 조사된 후, 반사되어 되돌아온 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 다시 변조하는 제2변조단계; 상기 기준 거울에 반사되어 돌아온 기준 신호광과 상기 제2변조단계를 통해 돌아온 신호광을 검출하는 광검출 단계; 및 상기 광검출 단계에서 검출된 신호와 음향광학소자를 구동하는 신호 발생기의 신호의 위상을 상호 비교하는 단계를 포함하여 이루어진 초점 측정방법을 제공함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 노광장비에 적용되어, 웨이퍼 초점 신호의 측정 정밀도를 향상시키고 넓은 측정 범위에서도 동작이 가능하며, 간단한 구조를 가지며, 소형화된 자동 초점장치를 간단하게 구성할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100233237B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019970046644
申请日：1997-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01F5/003 , H01F17/0033
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 장치.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
일반적인 IC 공정으로, 3차원 코일 구조를 가지며 코일의 내부가 빈 인덕터 및 그 형성 방법을 제공하여, 평면 구조의 인덕터에 비하여 면적이 감소되고, 코일의 고주파 전류에 흐름에 의한 기생 캐패시턴스의 용량을 줄일 수 있도록 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
절연막 상에 형성된 홈 내부에, 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴 및 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴으로 3차원 코일 구조 미세 인덕터를 형성한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치 및 그 제조 방법에 이용됨-
公开(公告)号：KR100218672B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960039064
申请日：1996-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J9/025
Abstract: 본 발명은 스퍼터링 공정을 이용한 진공 소자의 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 등방성 및 이방성 식각법으로 실리콘 필라를 형성하여 방출 전극을 형성하고 게이트 절연막을 형성한 후 게이트 전극을 스퍼터링법을 이용하여 형성함으로써 게이트 전극이 방출 전극에 쉽게 인접할 수 있게 형성되고, 방출 전극과 게이트 전극간의 거리를 쉽게 조절할 수 있을 뿐 아니라 게이트 전극과 방출 전극간의 간격을 조절하면 원하는 저전압의 구동을 실현할 수 있고, 반도체 공정을 이용하므로 균일하고 안정된 진공소자를 제작할 수 있는 진공 소자의 구조 및 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100218677B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960072531
申请日：1996-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F1/22 , G03F1/70 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 얼라인먼트 윈도우(alignment window)부분의 멤브레인 위에 얼라인먼트 마크(alignment mark)를 형성하고, 얼라인먼트 윈도우 부분에서 얼라인먼트 마크 부분을 제외한 멤브레인 부분을 제거하여 관통공(through hole)들이 형성되게 함으로써, X-선 리소그래피(lithography) 공정동안에 얼라인먼트 마크에서 발생되는 얼라인먼트 신호(alignment signal)의 콘트라스트(contrast)를 최대로 할 수 있도록 한 기술이다.
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