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公开(公告)号：KR1020090048751A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070114771
申请日：2007-11-12
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C01B32/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01P2004/64
Abstract: 본 발명은 금속 나노입자를 원자층 증착법으로 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 종래의 방법으로 제조하는 나노입자에 비하여 어떠한 기질 상에서도 그 크기와 분포 조절이 용이하여 나노 촉매 또는 자성 그리고 나노부유게이트 메모리 소자 용 금속 전하 저장층 등의 다양한 나노 기능 재료로 잘 응용할 수 있다.
나노입자, 나노점 크기 제어, 원자층 증착법, 나노튜브-
公开(公告)号：KR100816543B1
公开(公告)日：2008-03-25
申请号：KR1020060100399
申请日：2006-10-16
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F15/06 , B82B1/00 , C01G51/04 , C01G51/42 , C01P2004/64 , C22B23/00 , C22C19/07 , C22C38/10 , C23C16/18 , C23C16/40
Abstract: A cobalt precursor material, which is existent in very stable black solid state and is used to prepare cobalt and a cobalt oxide nano-material and an alloy including the cobalt, is provided to prepare a cobalt and a cobalt oxide thin films through various deposition methods. A cobalt amino alkoxide compound is represented by the formula(1) of Co7[O-A-NR^1R^2]6(H2O)3(OH)6O6, wherein A is linear or branched C2-4 alkylene substituted or unsubstituted by halogen; and each R^1 and R^2 is independently linear or branched C1-4 alkyl substituted or unsubstituted by halogen. A method for preparing the cobalt amino alkoxide compound of the formula(1) comprises a step of reacting a cobalt compound represented by the formula(3) of [Co(NH3)5X]X2 with an amino alkoxide alkali metal salt compound represented by the formula(4) of MO-A-NR^1R^2, wherein X is Cl, Br or I; M is Li, Na, or K; and A, each R^1 and R^2 is independently linear or branched C1-4 alkyl substituted or unsubstituted by halogen. Further, the method additionally comprises a step of performing work-up in air.
Abstract translation: 提供以非常稳定的黑色固态存在并用于制备钴和钴氧化物纳米材料的钴前体材料和包含钴的合金，以通过各种沉积方法制备钴和氧化钴薄膜 。 钴氨基烷氧基化合物由式（1）表示为Co7 [O-A-NR] 1R ^ 2] 6（H2O）3（OH）6O6，其中A为被卤素取代或未取代的直链或支链C 2-4亚烷基; 并且每个R 1和R 2独立地是被卤素取代或未取代的直链或支链C 1-4烷基。 制备式（1）的氨基钴酸钴化合物的方法包括使[Co（NH 3）5 X] X 2的式（3）表示的钴化合物与由 式（4）的MO-A-NR ^ 1R ^ 2，其中X为Cl，Br或I; M为Li，Na或K; 和A，每个R 1和R 2独立地是被卤素取代或未取代的直链或支链C 1-4烷基。 此外，该方法还包括在空气中进行后处理的步骤。
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公开(公告)号：KR100684993B1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020060031579
申请日：2006-04-06
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G55/00
Abstract: A neodymium complex represented by specific formula as precursor of neodymium oxide thin film is provided to show thermal stability and increased volatile property advantageous to form the thin film of neodymium oxide with high quality by reacting neodymium compound with alkali metal salt compound then substitution reacting the reactive product with alcohol compound. The neodymium oxide precursor is represented by a formula of Nd[O-A-N(R^3)-B-NR(^1)R(^2)]3 wherein A is C2 to C5 alkylene; B is C1-C4 alkylene; A and B are substituted by at least one of linear or branched alkyl group; and R^1, R^2 and R^3 are independently H or C1 to C5 linear or branched alkyl group. More particularly, the neodymium oxide precursor is represented by a formula of Nd[OCR(^4)R(^5)(CH2)mN(R(^3))-(CH2)nNR(^1)R(^2)]3 wherein R^1,R^2,R^3,R^4 and R^5 are independently H or C1 to C5 linear or branched alkyl group, and m and n are integer of 1 to 4. The neodymium oxide precursor is grown into neodymium oxide by MOCVD or ALD.
Abstract translation: 提供由具体化学式表示的钕络合物作为氧化钕薄膜的前体，以显示热稳定性和增加的挥发性，其有利于通过使钕化合物与碱金属盐化合物反应形成高质量的氧化钕薄膜， 产品与酒精化合物。 氧化钕前体由式[Nd-O-A-N（R 3）-B-NR（R 1）R（R 2）] 3表示，其中A是C 2至C 5亚烷基; B是C1-C4亚烷基; A和B被至少一个直链或支链烷基取代; 并且R 1，R 2和R 3独立地为H或C 1至C 5直链或支链烷基。 更具体地说，氧化钕前体由式[Nd（O）（CH 2）m N（R（R 3）） - （CH 2）n NR（R 1）R（R 2） ] 3其中R 1，R 2，R 3，R 4和R 5独立地为H或C 1至C 5直链或支链烷基，并且m和n为1至4的整数。氧化钕前体 通过MOCVD或ALD生长成氧化钕。
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公开(公告)号：KR100621914B1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020040063890
申请日：2004-08-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G27/02
Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及由下式（1）表示的铪前体Hf（mp）
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公开(公告)号：KR100582920B1
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020030071028
申请日：2003-10-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물로부터 나노크기의 기공을 가지는 물질을 주형체로 사용하여 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100576932B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030069585
申请日：2003-10-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F15/04
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 신규한 니켈 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 니켈 선구 물질은 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 자성 물질 박막의 증착 또는 여러 가지 합금의 증착에 니켈의 원료 물질로서 유용하게 사용할 수 있다:
상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이고, n은 2 내지 4 의 정수이며, R 및 R'은 C
1 -C
4 의
선형 또는 분지형 알킬기이다.-
公开(公告)号：KR100544355B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020030032469
申请日：2003-05-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/00
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 산화물 선구 물질 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 산화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 향상되어 양질의 4족 전이 금속 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다.
M[OCR
2 (CH
2 )
m Y]
x (NR"
2 )
(4-x)
상기 식에서, M은 티타늄, 지르코늄 또는 하프늄이고, R은 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬이고, Y는 -OR' 또는 -NR'
2 (여기서, R'은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴이고, R"은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴이고, m은 1 내지 3 범위의 정수이며, x는 1 내지 4 범위의 정수이다.-
公开(公告)号：KR100480756B1
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020020045746
申请日：2002-08-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/403
Abstract: 본 발명은 산화알루미늄 박막 제조 방법에 관한 것으로서, a) 알루미늄 원으로서 알킬산디알킬알루미늄을 증착 반응기에 공급하여 기질 상에 알루미늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계; b) 미반응 알루미늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계; c) 반응기에 산소 원을 공급하여 알루미늄 함유 화학종이 흡착된 기질 상에 산소 함유 화학종을 흡착시키는 단계; 및 d) 미반응 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의하면 기존의 원자층 증착법에 비해 온화한 공정 조건에서 양호한 품질의 산화알루미늄 박막을 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040012257A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020020045746
申请日：2002-08-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/403
Abstract: PURPOSE: Provided is a process for preparing an aluminum oxide thin film of good quality under the mild process conditions in comparison with conventional atom layer deposition method. CONSTITUTION: The process comprises the steps of introducing alkyl acid dialkylaluminum as aluminum source into a deposition chamber to adsorb an aluminum contained chemical species on a substrate; removing the unreacted aluminum source and byproducts from the chamber; introducing an oxygen source into the deposition chamber to adsorb an oxygen contained chemical species on the substrate; and removing the unreacted oxygen source and byproducts from the chamber.
Abstract translation: 目的：提供与常规原子层沉积法相比，在温和的工艺条件下制备质量好的氧化铝薄膜的方法。 构成：该方法包括将作为铝源的烷基酸二烷基铝引入沉积室以将含铝化学物质吸附在基底上的步骤; 从室中除去未反应的铝源和副产物; 将氧源引入所述沉积室以将含氧化学物质吸附在所述基底上; 并从室中除去未反应的氧源和副产物。
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