그래핀 저온 전사방법
    139.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101905646B1

    公开(公告)日:2018-10-10

    申请号:KR1020160133143

    申请日:2016-10-13

    CPC classification number: B01J21/00 B01J23/00 H01B1/04 H01B5/14

    Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

    3차원 그래핀 구조체 및 이를 이용한 전극 제조방법
    140.
    发明授权
    3차원 그래핀 구조체 및 이를 이용한 전극 제조방법 有权
    3三维Grapheene结构及其制造方法及其应用

    公开(公告)号:KR101573241B1

    公开(公告)日:2015-12-01

    申请号:KR1020140054793

    申请日:2014-05-08

    Abstract: 본발명은 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한리튬이차전지용전극에관한것으로, 보다상세하게는그래핀소재와나노금속소재를복합화하여복합나노소재를제조하고, 추가적으로복합나노소재의표면에그래핀을형성시켜 3차원그래핀구조체를제조함으로써, 그래핀간의네트워킹을형성시켜전기전도성이향상된 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한전극제조방법에관한것이다.

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