公开(公告)号：KR100551323B1

公开(公告)日：2006-02-13

申请号：KR1020030046357

申请日：2003-07-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  이선숙 ,  안기석 ,  백재윤

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 기질 위에 수산화 기 단층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 또는 금속 표면에 할로겐 원소를 흡착시킨 후 물을 이용하여 수산화 기 단층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 반도체 또는 금속 표면에 수산화 기 단층을 형성할 수 있고, 박막 침착 공정에서 별도로 반도체 또는 금속 표면에 산화막을 형성할 필요가 없으며 특히 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD) 공정 초기의 부화 기간 (incubation period)을 줄일 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 수산화 기 단층을 형성한 반도체 및 금속의 표면은 표면 과학의 새로운 연구 대상이 될 수 있고 또한 이들을 기질로 하여 분자 단층 (molecular monolayer)을 입힐 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050033737A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：KR1020030069585

申请日：2003-10-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  정영숙 ,  한기철

IPC: C07F15/04

CPC classification number: C07F15/045 ,  C23C16/18

Abstract: Volatile nickel aminoalkoxide complexes, a preparation method thereof and a process for formation of a nickel thin film by using the same compounds are provided, which compounds have high volatility and sufficient thermal stability, and are reduced to nickel by self-pyrolysis without a reducing agent. so that the compounds are useful as a MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) precursor for formation of the nickel thin film. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (1) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (2) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The method for preparing the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) comprises a halogenized hexamine nickel compound of Ni(NH3)6X2 with an alkali metal salt of aminoalkoxide of MOCR'2(CH2)mNR2 or MOCR'2(CH2)mO(CH2)nNR2, wherein X is Cl, Br or I; and M is Li or Na. The process for formation of the nickel thin film comprises growing the nickel thin film by using the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) as a precursor at 250 to 350 deg. C.

Abstract translation: 提供挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其制备方法和通过使用相同化合物形成镍薄膜的方法，该化合物具有高挥发性和足够的热稳定性，并且通过自热解而不用还原剂还原成镍 。 使得这些化合物可用作用于形成镍薄膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）前体。 提供由式（1）表示的挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其中m为1至3的整数; 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 提供由式（2）表示的挥发性镍氨基醇盐络合物，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 制备式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物的方法包括Ni（NH 3）6 X 2的卤化六甲基镍化合物与MOCR'2（CH2）mNR2或MOCR'2（CH2）mNR2的氨基醇盐的碱金属盐 CH2）mO（CH2）nNR2，其中X是Cl，Br或I; M为Li或Na。 形成镍薄膜的方法包括使用式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物作为前体在250至350℃下生长镍薄膜。 C。

公开(公告)号：KR1019960007835A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940020711

申请日：1994-08-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  황진수 ,  정필조

IPC: C30B25/02

Abstract: 본 발명은 질화칼륨(Gallium Nitride, GaN)을 집광성 레이저광 여기(coherent laser aided vapour phase epitaxy, LVPE)방법에 의해 육방정계의 부루자이트(Wurtzite) 단결정 격자구조로 피복성장시키는 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 기판위에 질화알루미늄(Aluminum nitride, AIN)완충막을 인시츄(in-situ)방법에 의해 도입하고 갈륨 함유 반응물과 질소함유 반응물을 약 800℃의 낮은 온도와 0.1~3.8torr의 낮은 증기압하에서 공명적 에너지 광분해 증착법에 의해 단결정 두께 2~20μm를 갖는 청색 발광성 질화갈륨 적층막(epitaxial film)을 제조하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019950027014A

公开(公告)日：1995-10-16

申请号：KR1019940004820

申请日：1994-03-11

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 황진수 ,  이선숙 ,  정필조

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

公开(公告)号：KR102234684B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020190058978

申请日：2019-05-20

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석

IPC: C01B32/921 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 본발명은질소를함유한단분자의온도에따른상태변화를이용하여질소가도핑된타이타늄탄화물을제조하는방법과, 상기의제조방법에의해제조되는질소가도핑된타이타늄탄화물및 이를포함하는전극소재에관한것이다.

公开(公告)号：KR102224235B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190122739

申请日：2019-10-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  정하균 ,  송우석 ,  장문정

IPC: G01N27/407 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00 ,  C08L83/08

Abstract: 본발명에따른알코올가스센서는게이트전극이형성된게이트절연막및 상기게이트절연막일면에형성되는금속산화물층; 금속산화물층상에형성되며, 서로이격배치되는소스전극및 드레인전극; 및금속산화물층, 소스전극및 드레인전극상에형성되는실리콘계고분자층;을포함하되, 실리콘계고분자층의고분자가하기화학식 1 및화학식 2의구조단위를포함한다. [화학식 1] JPEG112019101282187-pat00015.jpg4528 [화학식 2] JPEG112019101282187-pat00016.jpg3430 [상기화학식 1 및화학식 2에서, R1은 C1-C4의알킬이고; L은 2가의연결기이고; R2는시아노이고; R3은 C1-C4의알킬이고; R4는 C6-C20의아릴이고, x와 y의몰비는 1:9 내지 9:1이다.]

公开(公告)号：KR102119411B1

公开(公告)日：2020-06-08

申请号：KR1020180136004

申请日：2018-11-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  한진규 ,  정하균

IPC: H01B13/00 ,  H01B13/32 ,  H01G11/32 ,  G01N27/30

公开(公告)号：KR102119409B1

公开(公告)日：2020-06-08

申请号：KR1020180108811

申请日：2018-09-12

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 임종선 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  송우석 ,  명성 ,  박보근 ,  김자희 ,  임이랑

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101826251B1

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020160125074

申请日：2016-09-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  한진규 ,  이영범

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/43 ,  H02N2/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L41/18 ,  B82Y40/00 ,  H01L41/43 ,  H02N2/18

Abstract: 본발명은압전소재, 이의제조방법및 이를포함하는플렉서블나노제너레이터에관한것이다. 상기압전소재는특유한구조로인해힘을받는방향에구애없이다양한방향으로휘더라도우수한압전특성을나타낼수 있어웨어러블소자또는유연소자에전력을공급하는플렉서블나노제너레이터를제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种压电材料及其制造方法以及包括该压电材料的柔性纳米发生器。 压电材料可以由于特定的结构来提供灵活的纳米发电机用于向佩戴元件或柔性设备，而不考虑电力接收方向在各个方向弯曲，即使可以表现出优异的压电特性供电。

公开(公告)号：KR101796778B1

公开(公告)日：2017-11-13

申请号：KR1020160109062

申请日：2016-08-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최성호 ,  이선숙 ,  주지영 ,  김진규 ,  정하균 ,  강영구

IPC: C01G45/02 ,  C01B31/04 ,  H01M4/587 ,  H01M4/133

CPC classification number: C01G45/02 ,  C01B32/194 ,  H01M4/133 ,  H01M4/587 ,  Y02E60/122

Abstract: 본발명은망간산화물-환원된산화그래핀복합체의제조방법및 이를이용하여제조된망간산화물-환원된산화그래핀복합체에관한것으로, 상세하게는, 이산화망간-산화그래핀복합체를형성하는단계(단계 1); 및상기형성된이산화망간-산화그래핀복합체를열처리하여망간산화물-환원된산화그래핀복합체를형성하는단계(단계 2);를포함하되, 상기열처리하는온도에따라다른상의망간산화물을포함하는망간산화물-환원된산화그래핀복합체가형성되는것을특징으로하는, 망간산화물-환원된산화그래핀복합체의제조방법이다. 또한, 상기방법으로제조된망간산화물-환원된산화그래핀복합체는높은충/방전용량및 전기전도특성이있어, 리튬이차전지의전극활물질및 음극에서뿐만아니라그래핀및 금속산화물의복합체를활용하는슈퍼캐패시터또는센서등에서사용할수 있다.

Abstract translation: 本发明是锰氧化物涉及还原的氧化石墨烯复合物，具体而言，锰还原的氧化石墨烯复合物的二氧化碳的制造方法和一种形成鳍缀合物通过氧化是制备这种氧化锰（步骤 1）; 以及通过对所形成的二氧化锰 - 氧化石墨烯复合物进行热处理来形成氧化锰还原氧化物石墨烯复合物的步骤（步骤2），其中， 形成还原的氧化石墨烯复合物，其特征在于形成还原的氧化石墨烯复合物。 此外，通过上述方法制备的氧化锰 - 的还原的氧化石墨烯复合物A的高充电/放电容量和导电性，以及作为电极活性材料和锂二次电池的负极是超级利用销的配合物和金属氧化物 电容器或传感器。