公开(公告)号：KR101392226B1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：KR1020120139358

申请日：2012-12-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  최영민 ,  서영희 ,  이수현 ,  류병환 ,  박장웅 ,  안병완 ,  김겸욱

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08

CPC classification number: C01B32/184 ,  B01J19/121 ,  B01J23/72 ,  C23C16/26

Abstract: The present invention relates to a novel method for synthesizing graphene having excellent properties by using a metal conductive thin film and fine patterns manufactured by metal nanoparticles on which formation of a surface oxide film is suppressed. According to the present invention, graphene having large area and fine nanopatterns can be manufactured.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用金属导电薄膜和由表面氧化膜形成被抑制的金属纳米粒子制成的精细图案，合成具有优异性能的石墨烯的新颖方法。 根据本发明，可以制造具有大面积和精细纳米图案的石墨烯。

公开(公告)号：KR101287938B1

公开(公告)日：2013-07-22

申请号：KR1020110004574

申请日：2011-01-17

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 류병환 ,  최영민 ,  정선호 ,  서영희 ,  김창균 ,  정택모 ,  프리예시모레

IPC: B82B3/00 ,  C01B33/113 ,  C01B33/023

Abstract: 본 발명은 캡핑된 나노 결정 실리콘의 제조방법에 관한 것으로, 자세하게는 환원제 및 캡핑제를 유기 용매에 투입하고, 실리콘 원료로서 테트라에톡시실란(TEOS) 또는 테트라메톡시실란(TMOS)을 사용함으로써 불순물이 없고, 재분산성이 우수하며, 합성방법이 단순하고, 환경 부담이 적은 캡핑된 나노 결정 실리콘의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130041002A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020130027712

申请日：2013-03-15

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 류병환 ,  최영민 ,  정선호 ,  서영희 ,  김창균 ,  정택모 ,  프리예시빌라스모레

IPC: C01B33/021 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C01B33/023 ,  C01P2004/64 ,  C30B29/06

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing nano crystalline silicon is provided to manufacture a hydrophilic or hydrophobic silicon particle based on a capping reagent. CONSTITUTION: A method of manufacturing nano crystalline silicon comprises the following steps. A capping reagent chosen from a reduced agent, C5-C20 alcohol, amin, thiol or fatty acid is added to an organic solution. Tetraehoxysilane(TEOS) or tetramethoxysilane(TMOS) are added to the organic solution to manufacture a spraying solution. The manufactured silicon spraying solution is added to a phase separating solution. The mixed solution from the phase separating solution is separated to make a silicon solution.

Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米晶体硅的方法，以制造基于封盖剂的亲水或疏水硅颗粒。 构成：制造纳米晶体硅的方法包括以下步骤。 将选自还原剂C5-C20醇，氨基，硫醇或脂肪酸的封端剂加入到有机溶液中。 将四乙氧基硅烷（TEOS）或四甲氧基硅烷（TMOS）加入到有机溶液中以制备喷雾溶液。 将制造的硅喷雾溶液加入到相分离溶液中。 将相分离溶液的混合溶液分离，制成硅溶液。

公开(公告)号：KR101096079B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090083357

申请日：2009-09-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  최영민 ,  류병환

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 a)금속 산화물 전구체와 불소도핑 전구체를 혼합하는 혼합용액 제조단계;
b)상기 혼합용액을 기판에 코팅하는 단계; 및
c)상기 코팅된 기판을 열처리하는 단계;
를 포함하여 제조되는 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 종래의 산소 공공(vacancy)만이 포함된 반도체에 비하여 이동 전하의 양이 증가되며, 불소도핑의 방법이 기존의 기상이 아닌 액상에서 이루어지기 때문에 보다 환경 친화적이며, 저가의 대량생산에 적합한 방법이라는 장점을 가지고 있다.
액상 불소 도핑, 용액 공정, 산화물 반도체, 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR101069613B1

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020090083346

申请日：2009-09-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  최영민 ,  류병환

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/324

Abstract: 보다구체적으로저온열처리를통해서결정상을가지는산화물반도체를제조하는장점이있으며, 결정화반응촉진을위한촉매나자외선및 다른공정을거치지않고, 간단한공정으로결정화를제어할수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR101069576B1

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020100014260

申请日：2010-02-17

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  류병환 ,  최영민 ,  김창균 ,  정택모 ,  이병석

IPC: C09D1/00 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0749

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은 a)구리화합물, 인듐화합물및 셀레늄화합물을끓는점이 200℃이상인반응용매와혼합하는단계; b)상기혼합액을마이크로파를조사하여 200~300℃에서 15~40분동안반응하여 CuSe 및 CuSe가형성되어있는 CI(G)S입자의제조단계; 및 c)상기CuSe 및 CuSe가생성되어함유된 CI(G)S 입자를기판에코팅하고열처리하여 CI(G)S 막을제조하는단계; 를포함하는 CI(G)S 막의제조방법에관한것이다본 발명에의한 CI(G)S 입자는저융점이차상인 CuSe 및 CuSe를포함하여상기 c)단계에서 550C 내외의열처리과정를통하여 CI(G)S막을제조하였을때놀랍게도상기제조된 CI(G)S 막의치밀도가우수한효과가있다.

公开(公告)号：KR1020110094703A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020100014260

申请日：2010-02-17

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정선호 ,  류병환 ,  최영민 ,  김창균 ,  정택모 ,  이병석

IPC: C09D1/00 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0749

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C09D1/00 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0749

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a CI(G)S thin-film is provided to prepare a film with excellent density including low melting point CuSe and CuSe2 binary phase through an inexpensive process and to control the stoichiometric ratio of Cu : In : Se without a separate additional process. CONSTITUTION: A method for fabricating a CI(G)S thin-film comprises the steps of: (i) mixing a copper compound, an indium compound and a selenium compound with a reaction solvent having the boiling point of 200 °C or greater; (ii) irradiating microwaves to the mixed solution and performing the reaction at 200~300 °C for 15~40 minutes to prepare CI(G)S particles in which CuSe and CuSe2 are formed; and (iii) applying CI(G)S particles to a substrate and heating the coated material to prepare the CI(G)S thin-film.

Abstract translation: 目的：提供一种制备CI（G）S薄膜的方法，通过廉价的方法制备具有低熔点CuSe和CuSe2二元相的密度极好的膜，并控制Cu：In：Se的化学计量比，不含 一个单独的附加过程。 构成：制备CI（G）S薄膜的方法包括以下步骤：（i）将铜化合物，铟化合物和硒化合物与沸点为200℃或更高的反应溶剂混合; （ii）向混合溶液中照射微波，在200〜300℃反应15〜40分钟，制备形成CuSe和CuSe2的CI（G）S颗粒; 和（iii）将CI（G）S颗粒施加到基材上并加热涂覆的材料以制备CI（G）S薄膜。

公开(公告)号：KR100917993B1

公开(公告)日：2009-09-18

申请号：KR1020070130506

申请日：2007-12-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 권계시 ,  고정국 ,  류병환 ,  최영민

IPC: B41J29/393 ,  B41J2/01 ,  B41J2/07

Abstract: 본 발명은 프린트헤더에서 분사되는 잉크의 속도를 측정하는 방법에 관한 것이다. 잉크젯 프린터기의 프린터헤더에서 분사되는 잉크방울의 속도를 측정하는 방법에 있어서, 상기 프린터헤더에서 분사되는 잉크방울을 카메라로 촬영하는 단계;상기 카메라에서 촬영된 이미지를 컴퓨터에 저장하는 단계; 상기 저장된 이미지 중 관심영역(ROI)을 지정하는 단계; 상기 관심영역에 해당하는 부분만을 이미지 프로세싱(image processing)하는 단계; 상기 이미지 프로세싱된 잉크방울의 위치차를 이용하여 속도를 측정하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
잉크방울, 프린트헤더, 스레숄딩값, 관심영역.

公开(公告)号：KR100803948B1

公开(公告)日：2008-02-18

申请号：KR1020070012074

申请日：2007-02-06

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 류병환 ,  김창균 ,  정택모 ,  최영민 ,  공기정 ,  임종선 ,  윤성철 ,  장세진 ,  채원묵

IPC: C01G11/00 ,  B82B3/00 ,  C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: A cadmium selenide complex is provided to produce pure cadmium selenide nanoparticles useful for manufacturing cadmium selenide quantum dots at low temperature. A cadmium selenide complex has a structure represented by the formula 1 of Y-Cd-Se(CH2)mO(CH2)nO-R', wherein Y is a halogen element or C1-7 linear or branched alkyl, R' is a C1-7 linear or branched alkyl, and m and n are, independently of each other, 1-7. A method for preparing a cadmium selenide complex represented by the formula 2 of X-Cd-Se(CH2)mO(CH2)nO-R' includes the step of reacting a cadmium(II) halide compound represented by the formula 3 of CdX2 with a selenide alkali metal salt compound represented by the formula 4 of MSe(CH2)mO(CH2)nOR'. In the formulae 2-4, X is a halogen element, R' is a C1-7 linear or branched alkyl, m and n are, independently of each other, 1-7, and M is Li, Na, or K.

Abstract translation: 提供硒化镉络合物以制备用于在低温下制造硒化镉量子点的纯硒化镉纳米颗粒。 硒化镉配合物具有由Y-Cd-Se（CH 2）m O（CH 2）n O-R'的式1表示的结构，其中Y是卤素元素或C 1-7直链或支链烷基，R'是C1 -7直链或支链烷基，m和n彼此独立地为1-7。 由X-Cd-Se（CH2）mO（CH2）nO-R'的式2表示的制备硒化镉络合物的方法包括使由CdX2的式3表示的卤化镉（II） 由MSe（CH 2）m O（CH 2）nOR'的式4表示的硒化物碱金属盐化合物。 在式2-4中，X是卤素元素，R'是C 1-7直链或支链烷基，m和n彼此独立地是1-7，M是Li，Na或K.

公开(公告)号：KR100756320B1

公开(公告)日：2007-09-07

申请号：KR1020050056879

申请日：2005-06-29

Applicant: 한국화학연구원 ,  단국대학교 산학협력단

Inventor： 이정오 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  장현주 ,  류병환 ,  나필선 ,  최영민 ,  박노정

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.
탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면