公开(公告)号：KR1020110017546A

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：KR1020090075063

申请日：2009-08-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상흥 ,  김해천 ,  남은수

IPC: G02B6/12

CPC classification number: H01L25/167 ,  G02B6/124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: An optical wiring element is provided to implement the high speed operation of an electric circuit using the high carrier mobility of a germanium substrate. CONSTITUTION: A first semiconductor chip(301) is arranged on a germanium-on-insulator(GOI) substrate(300). An optical emitter(302) outputting an optical signal by receiving an electric signal from the semiconductor chip is arranged on the GOI substrate. An optical detector(304) detecting the optical signal and converts the optical signal into an electric signal is arranged on the GOI substrate. A second semiconductor chip receiving the electric signal from the optical detector is arranged on the GOI substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种光配线元件，以实现锗衬底的高载流子迁移率的电路的高速运行。 构成：第一半导体芯片（301）布置在绝缘体上（锗）绝缘体（GOI）衬底（300）上。 通过从半导体芯片接收电信号而输出光信号的光发射器（302）配置在GOI基板上。 检测光信号并将光信号转换为电信号的光检测器（304）布置在GOI基板上。 接收来自光学检测器的电信号的第二半导体芯片设置在GOI基板上。

公开(公告)号：KR1020100136163A

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：KR1020090054382

申请日：2009-06-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오명숙 ,  민봉기 ,  심재식 ,  권용환 ,  남은수

IPC: G01S17/02 ,  G02B27/18 ,  G01S17/06

Abstract: PURPOSE: A laser radar having a micro lens array integrated therein is provided to allow an optical signal to be projected on only a light receiving area of a optical detector through the front face of a micro lens array. CONSTITUTION: A light source unit(110) generates an optical signal. A light transmitting optical lens(120) transmits the optical signal from the light source unit to a target. A light receiving optical lens(140) receives the optical signal reflected from the target object. A converting lens(155) converts the received optical signal to a beam shape optical signal. A microlens array(160) condenses the beam shape optical signal.

Abstract translation: 目的：提供集成有微透镜阵列的激光雷达，以使光信号仅通过微透镜阵列的前表面投射到光学检测器的光接收区域上。 构成：光源单元（110）产生光信号。 透光光学透镜（120）将光信号从光源单元传送到目标。 光接收光学透镜（140）接收从目标物体反射的光信号。 转换透镜（155）将接收到的光信号转换成光束形状的光信号。 微透镜阵列（160）会聚束光束形状的光信号。

公开(公告)号：KR1020100066280A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020090026352

申请日：2009-03-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정영준 ,  남은수 ,  심재식 ,  권용환 ,  민봉기

IPC: H01L31/09 ,  H01L29/737

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/09 ,  H01L29/737

Abstract: PURPOSE: An optical receiver and a forming method thereof are provided to simplify a manufacturing process by forming a photodetector and a hetero junction bipolar transistor simultaneously. CONSTITUTION: A lens(50) is integrated with the rear side of a substrate(10). An optical detector(100) is formed on the front side of the substrate. A hetero junction bipolar transistor(200) is formed on the front side of the substrate. The lens concentrates an incident optical signal and transmits the concentrated optical signal to the optical detector. The optical detector comprises an amplification layer on the substrate and an absorption layer(130) on the amplification layer.

Abstract translation: 目的：提供光接收器及其形成方法，以通过同时形成光电检测器和异质结双极晶体管来简化制造过程。 构成：透镜（50）与衬底（10）的后侧一体化。 光学检测器（100）形成在基板的正面上。 在基板的正面上形成异质结双极晶体管（200）。 透镜集中入射光信号，并将浓缩的光信号传输到光检测器。 光学检测器包括衬底上的放大层和放大层上的吸收层（130）。

公开(公告)号：KR1020100064588A

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：KR1020080123093

申请日：2008-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종민 ,  민병규 ,  김성일 ,  윤형섭 ,  이경호 ,  남은수

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/70 ,  H01L29/73

CPC classification number: H01L29/7304 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

Abstract: PURPOSE: A compound semiconductor bipolar transistor and a forming method thereof are provided to improve the stability of a device by directly forming a capacitor on a base layer not the outside of the device. CONSTITUTION: A collector layer(112) is arranged on a substrate. A base layer is arranged on the collector layer. An emitter layer is formed on the base layer and covers a part of the base layer. A bottom electrode(122a) is contacted with the base layer. A pair of resistance electrodes are arranged on the base layer. A dielectric layer covers the bottom electrode. A top electrode(150) faces the bottom electrode and is arranged on the dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种化合物半导体双极晶体管及其形成方法，以通过在基底层而不是设备外部直接形成电容器来提高器件的稳定性。 构成：集电极层（112）布置在基板上。 基层设置在集电极层上。 发射极层形成在基底层上并覆盖基底层的一部分。 底部电极（122a）与基底层接触。 一对电阻电极布置在基层上。 电介质层覆盖底部电极。 顶部电极（150）面向底部电极并布置在电介质层上。

公开(公告)号：KR1020100061608A

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020080120193

申请日：2008-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민병규 ,  이종민 ,  김성일 ,  이경호 ,  윤형섭 ,  남은수

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/73

CPC classification number: H01L29/42304 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371

Abstract: PURPOSE: A heterogeneity laminating bipolar transistor and a formation method thereof are provided to reduce a parasitic capacitance by forming an electrode wiring of an emitter electrode, a base electrode and a collector electrode into an air bridge form using the plating process. CONSTITUTION: A sub-collector pattern(110), a base pattern(120), an emitter pattern(132) and an emitter capping pattern(134) are formed on a substrate. An emitter electrode(136) is formed on the emitter capping pattern. A base electrode(122) is formed on the base pattern. A collector electrode(114) is formed on the sub-collector pattern. The emitter electrode, the base electrode and the collector electrode are exposed by patterning a first dummy pattern. A plating seed layer is formed on the exposed emitter electrode, the base electrode and the collector electrode.

Abstract translation: 目的：提供异质层压双极晶体管及其形成方法，以通过使用电镀工艺将发射电极，基极和集电极的电极布线形成为气桥形式来减小寄生电容。 构成：在基板上形成亚集电体图案（110），基底图案（120），发射极图案（132）和发射极封盖图案（134）。 在发射极盖图案上形成发射电极（136）。 在基底图案上形成基极（122）。 在集电极图案上形成集电极（114）。 通过图案化第一虚拟图案来暴露发射极，基极和集电极。 在暴露的发射极，基极和集电极上形成电镀种子层。

公开(公告)号：KR100790760B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060050225

申请日：2006-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김호영 ,  조경익 ,  김보우 ,  남은수

IPC: H01P5/18 ,  H01P5/08

Abstract: 본 발명은 저온 세라믹 기판에 장착되는 50 GHz 이상의 초고주파 집적회로(MMIC)에서 발생되는 전기적인 신호를 효율적으로 전달하는 다중 도파로 구조를 이용한 대역 신호 전송기를 제공하기 위한 것으로, 기판과, 상기 기판 위에 초고주파 집적회로(MMIC)로부터 와이어링(wiring)되어 적어도 2개 이상 분리된 금속면이 그 폭과 길이 중 하나 이상을 달리하여 적어도 2단 이상으로 직렬 연결된 다단 도파로 형태의 신호 전송로를 포함하여 구성하여, 전기신호 전달의 성능을 향상시키고, 입출력 특성을 향상시킨다.
와이어링, 저온 세라믹 기판, 다중 도파로형, MMIC, 대역 신호 전송기

公开(公告)号：KR100670828B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020050121973

申请日：2005-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  홍선의 ,  오명숙 ,  김용원 ,  김호영 ,  김보우

IPC: H01L31/101

CPC classification number: H01L27/14694 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14687

Abstract: A photo-detector for an image signal of an infrared laser radar and a method of manufacturing the same are provided to acquire a flat upper surface from a substrate structure by using an Fe ion implanted region as an isolation region. A multilayer compound semiconductor layer is formed on a semi-insulating compound semiconductor substrate(100). A plurality of PN junction diodes are arranged within a selected region of the compound semiconductor layer. A ion implanted region(170) is formed in the compound semiconductor layer to isolate the plurality of PN junction diodes from each other. The ion implanted region is used as an isolation region. The ion implanted region is implanted with Fe ions.

Abstract translation: 提供了用于红外激光雷达的图像信号的光检测器及其制造方法，以通过使用Fe离子注入区域作为隔离区域从基板结构获取平坦的上表面。 在半绝缘化合物半导体基板（100）上形成多层化合物半导体层。 多个PN结二极管被布置在化合物半导体层的选定区域内。 在化合物半导体层中形成离子注入区（170），以将多个PN结二极管彼此隔离。 离子注入区域用作隔离区域。 离子注入区域注入Fe离子。

公开(公告)号：KR100584697B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040080344

申请日：2004-10-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김호영 ,  남은수 ,  조경익 ,  김보우 ,  오명숙

IPC: G02B6/293

CPC classification number: H01S3/067 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/07 ,  H01S3/0809 ,  H01S3/082 ,  H01S3/1055

Abstract: 본 발명은 차세대(~5세대) 초고속 무선 인터넷 서비스를 위한 밀리미터파 무선 가입자 통신 시스템의 기지국에서 무선 가입자에게 전송되는 밀리미터파의 발진 주파수 신호원으로 사용될 수 있는 밀리미터파 대역 주파수 광 발진기에 관한 것으로, 루프 거울의 입/출력포트에 각각 광섬유 증폭기 및 광섬유 격자 거울을 병렬로 연결하여 각각의 파장에 적합한 레이저 모드 두 개가 동시에 발진할 수 있는 이중 모드 레이저 공진기를 형성함으로써, 두 개의 레이저 모드 사이의 맥놀이 현상에 의해 초고주파(60㎓ 이상)로 변조되는 광원을 얻을 수 있다.
광 발진기, 루프 거울, 광증폭 광섬유, 광섬유 격자 거울, 이중 모드

Abstract translation: 本发明涉及一种可以用作下一代毫米波波段频率的光学振荡器（1-5代）的毫米波的振荡频率信号将被发送到在用于高速无线互联网服务人的毫米波无线用户通信系统的基站无线用户 通过连接各光纤放大器和光纤光栅镜在平行屋顶镜的输入/输出端口，以形成双模式激光谐振器的两个合适的激光模式的狗可以在每个波长的同时摆动，两个激光模式之间的差拍现象 可以通过其与非常高的频率（以后60㎓）调制的光源来获得。

公开(公告)号：KR100518451B1

公开(公告)日：2005-09-30

申请号：KR1020030085822

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이경호 ,  민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  주철원 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: 절연막 리프트-오프(lift-off)를 활용한 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT) 마이크로웨이브 단일기판 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC) 제작방법을 제시한다. 본 발명에서는 HBT MMIC의 제작에서 필수적인 비아(via)를 형성하기 위하여 형상반전패턴인 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 양질의 절연막을 저온에서 증착한다. 그런 다음, 포토레지스트 패턴과 절연막을 동시에 리프트-오프하여 비아를 개방한다. 이렇게 함으로써, 고온의 절연막 증착 공정과 절연막 식각 공정으로 비아를 형성하던 종래에 비하여 전류이득 감소를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040049527A

公开(公告)日：2004-06-12

申请号：KR1020020077325

申请日：2002-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김홍승 ,  임종원 ,  김혜진 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A HBT(hetero-junction bipolar transistor) is provided to embody low metal contact resistance and base resistance and improve a cut-off frequency and maximum resonant frequency by forming an outer base layer of a superhigh density through an ion implantation process. CONSTITUTION: A substrate(1) is prepared. A collector layer(3) is formed on the substrate. A base layer is formed on the collector layer. An emitter layer pattern is patterned on the base layer. An emitter metal pattern(6a) is formed on the emitter layer pattern. A base metal pattern(6b) is formed on the base layer, separated from the emitter metal pattern by a predetermined interval. An insulation sidewall(7a) is formed between the emitter metal pattern and the base metal pattern.

Abstract translation: 目的：通过离子注入工艺形成超高密度外基层，提供HBT（异质结双极晶体管），以实现低金属接触电阻和基极电阻，并提高截止频率和最大谐振频率。 构成：制备基材（1）。 在基板上形成集电体层（3）。 在集电体层上形成基层。 发射极层图案在基底层上图案化。 发射极金属图案（6a）形成在发射极层图案上。 在基底层上形成贱金属图案（6b），与发射极金属图案分开预定间隔。 在发射极金属图案和基底金属图案之间形成绝缘侧壁（7a）。