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公开(公告)号：KR1020170073833A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182205
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G06F3/044
Abstract: 본발명은메탈메쉬(Metal Mesh)를이용한단일층터치센서및 제조방법에관한것으로서, 단일층터치센서는, 적어도하나의터치셀 및적어도하나의메탈라인을포함하는터치활성화영역; 및상기터치셀로부터상기메탈라인으로연결되는전극패드를포함하고, 상기터치활성화영역은메탈메쉬로구현되며, 상기터치활성화영역에서상기터치셀 및상기메탈라인을제외한비전극영역은, 메탈메쉬를단선시킨형태로구현되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种单层触摸传感器，并使用金属网（网眼金属），单层触摸传感器，触摸激活区域包括所述触摸细胞中的至少一种和至少一种金属线的制造方法; 并且其中，从所述接触单元包括连接到金属线的电极焊盘，所述触摸激活区域被实施为金属网，非电极区域以外的接触单元和在触摸激活区域是，所述金属网的金属线 并以断开连接的形式实施。
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公开(公告)号：KR1020170073832A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182202
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은은 나노와이어를이용한나노패턴메탈메쉬구현공정방법및 이를이용한하이브리드메탈메쉬에관한것으로서, 상기방법은, 기판상에은 나노와이어를분산하고, 제1 임프린트레진을이용하여상기은 나노와이어의패턴을본 뜨는패턴형성단계; 상기제1 임프린트레진에형성된상기패턴을제2 임프린트레진으로찍어내상기패턴을포함한메탈몰드를형성하는단계; 및제3 임프린트레진을포함한투명기판상에, 상기메탈몰드의상기패턴을찍어패턴을형성하고, 스퀴징(Squeezing) 및열 경화(Thermal Curing) 공정을거쳐메탈메쉬를형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明是一种方法，使用一个纳米线纳米图案的金属网实现的过程，并使用相同的，所述方法包括涉及一种混合金属网：衬底上eeun和纳米线分散，使用纳米线的第一压印树脂sanggieun图案 图案形成步骤; 通过用第二压印树脂印刷形成在第一压印树脂上的图案来形成包括图案的金属模具; 并且通过在包括第三压印树脂的透明基板上形成金属模的图案并且对金属网进行挤压处理和热固化处理来形成图案。
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公开(公告)号：KR101564710B1
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020140063619
申请日：2014-05-27
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61N5/06 , A61B5/0478 , C12M1/42
Abstract: 본발명은발광소자가집적된탐침의제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판상의일부영역에발광소자형성을위한정렬키를형성하고, 제1전극층을형성하는제2단계와, 상기정렬키를기준으로하여발광파장이다른복수개의발광소자를상기기판상에형성하는제3단계와, 상기기판상에형성되며, 상기발광소자와전기적으로연결된금속배선전극을형성하는제4단계와, 상기발광소자와, 상기기판상의전 영역및 상기금속배선전극을감싸도록절연막을형성하는제5단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하는제6단계와, 상기기판의두께를낮추기위해폴리싱또는에칭하는제7단계와, 상기기판상에서탐침모양의패턴을분리하는제8단계를포함하여이루어진것을특징으로하는파장제어가가능한탐침의제조방법및 이에의해제조된탐침을기술적요지로한다. 이에의해, 단일의탐침(기판) 상에발광파장이다른복수개의발광소자를형성함으로써, 한개의탐침으로다양한파장영역대의발광이가능하도록하여, 선택적으로신경의활성과억제의제어가가능하여의학적효용성이매우높으며, 제품의단가를낮추고, 공정의간단화로제품수율을향상시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造与发光二极管集成的探针的方法，更具体地，涉及一种用于制造能够控制波长的探针的方法以及由此制造的探针，其包括：制备基底的第一步骤 ; 形成用于在所述基板的一些区域上形成发光二极管的对准键以形成第一电极层的第二步骤; 基于对准键在基板上形成具有不同发射波长的多个发光二极管的第三步骤; 在与所述发光二极管电连接的基板上形成金属配线电极的第四工序; 形成绝缘膜以覆盖发光二极管，基板上的整个区域和金属互连电极的第五步骤; 在衬底上形成图案以形成探针的第六步骤; 抛光或蚀刻基板以减小基板的厚度的第七步骤; 以及从基板分离探针形图案的第八步骤。 因此，在单个探针（基板）上形成具有不同发射波长的多个发光二极管，以允许单个探针发射各种波长带的光并选择性地控制神经的激活或抑制，从而提供非常高的临床效用，减少 单位产品成本，并简化了提高产量的过程。
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14.发明授权글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 有权因此，用于玻璃基座探针卡的空间变压器和玻璃基座探针卡的空间变压器的制造方法
公开(公告)号：KR101441632B1
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020120156763
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것으로서, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법에 있어서, 글라스 기판을 준비하는 제1단계와, 상기 글라스 기판 상에 비아홀 형성을 위한 마스크 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 글라스 기판에 상기 마스크 패턴층의 설정패턴에 따라 비아홀을 형성하는 제3단계와, 상기 비아홀에 도전재를 채우는 제4단계와, 상기 비아홀과 전기적으로 연결되며, 상기 글라스 기판 표면에 금속배선전극을 형성하는 제5단계 및 상기 글라스 기판 상에 금속배선전극 간 절연을 위한 절연막을 형성하는 제6단계포함하며, 상기 제1단계에서 제6단계를 반복하여 형성되는 제1층의 글라스 기판 스페이스 트랜스포머를 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머에 관한 것이다. 이에 의해 본 발명은, 기존의 다층세라믹 동시소결 방법을 사용하지 않기 때문에 수축 및 팽창으로 인한 스페이스 트랜스포머의 변형이 발생하지 않아 수율을 향상시킴으로써 생산성을 향상 시키고 제조비용이 절감시키는 이점이 있다.
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15.发明公开글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 有权用于玻璃基础探针卡的空间变压器的制造方法和玻璃基探针卡的空间变换器
公开(公告)号：KR1020140086375A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120156763
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to space transformer for a probe card. A method of manufacturing the space transformer for a probe card comprises the following steps. In a first step, a glass substrate is prepared. In a second step, a mask pattern layer for forming a via-hole is formed on the glass substrate. In a third step, the via-hole is formed on the glass substrate according to a set pattern of the mask pattern layer. In a fourth step, the via-hole is filled with a conductive material. In a fifth step, a metal interconnection electrode, which is electrically connected with the via-hole, is formed on the glass substrate. And, an insulation film for insulating the metal interconnection electrodes from one another is formed on the glass substrate in a sixth step. By the method of manufacturing the space transformer for a glass-based probe card according to the present invention, single layer glass substrate space transformers, which are formed by repeating the first through sixth steps, are stacked to form the space transformer for a glass-based probe card. According to the present invention, a conventional multilayer ceramic simultaneous sintering process is not adopted, and deformation of the space transformer due to contractions and expansions is thus prevented. Furthermore, a manufacturing yield and productivity are improved and a manufacturing cost is reduced.
Abstract translation: 本发明涉及探针卡的空间变压器。 一种制造用于探针卡的空间变压器的方法包括以下步骤。 在第一步骤中，制备玻璃基板。 在第二步骤中，在玻璃基板上形成用于形成通孔的掩模图案层。 在第三步骤中，根据掩模图案层的设定图案在玻璃基板上形成通孔。 在第四步骤中，通孔填充有导电材料。 在第五步骤中，在玻璃基板上形成与通孔电连接的金属互连电极。 并且，在第六步骤中，在玻璃基板上形成用于使金属互连电极彼此绝缘的绝缘膜。 通过制造根据本发明的玻璃基探针卡的空间变压器的方法，通过重复第一至第六步骤形成的单层玻璃基板空间变压器被堆叠，以形成用于玻璃基探针卡的空间变压器， 基于探针卡。 根据本发明，不采用常规的多层陶瓷同时烧结工艺，因此防止了由于收缩和膨胀引起的空间变压器的变形。 此外，提高了制造成品率和生产率，降低了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130080492A
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020120001307
申请日：2012-01-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: PURPOSE: A wafer clamp with a cooling device is provided to easily cool the wafer clamp heated in a wafer etching process by supplying coolants to a coolant tube through a coolant supplying device. CONSTITUTION: A top wafer clamp (110) corresponds to a bottom wafer clamp (120). A top insertion groove (111) and a bottom insertion groove (121) are formed along the frames of the top wafer clamp and the lower wafer clamp. A coolant tube (200) is inserted through the top insertion groove and the bottom insertion groove. A combination member (131) combines the top wafer clamp with the bottom wafer clamp. The combination member is combined with a combination hole (130).
Abstract translation: 目的：提供具有冷却装置的晶片夹具，以通过冷却剂供应装置向冷却剂管提供冷却剂来容易地冷却在晶片蚀刻工艺中加热的晶片夹具。 构成：顶部晶片夹（110）对应于底部晶片夹（120）。 沿顶部晶片夹具和下部晶片夹具的框架形成顶部插入槽（111）和底部插入槽（121）。 冷却剂管（200）穿过顶部插入槽和底部插入槽插入。 组合构件（131）将顶部晶片夹具与底部晶片夹具组合。 组合构件与组合孔（130）组合。
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公开(公告)号：KR101828293B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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18.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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公开(公告)号：KR20180012386A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5826
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR1020160124986A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150055383
申请日：2015-04-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은제1TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제1볼로미터; 및상기제1볼로미터와상이한제TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제2볼로미터를포함하는것을특징으로하는볼로미터어레이시스템을제공한다. 본발명에의하면, 볼로밑터가측정한현재온도의오차를줄일수 있다.
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