公开(公告)号：KR101019444B1

公开(公告)日：2011-03-07

申请号：KR1020070037375

申请日：2007-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  도시마다카유키 ,  가네코사토시 ,  마츠모토가즈히사 ,  이토노리히로 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

Abstract: 본 발명의 액 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 기판과 함께 회전 가능한 회전 컵과, 회전 컵 및 기판 유지부를 일체적으로 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 기구와, 회전 컵의 배기 및 배액을 행하는 배기·배액부를 포함한다. 배기·배액부는 주로 기판으로부터 털어진 처리액을 받아들여 배액하는 환형을 이루는 배액 컵과, 배액 컵의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전 컵 및 그 주위로부터의 주로 기체 성분을 받아들여 배기하는 배기 컵을 포함하며, 배액 컵으로부터의 배액과 배기 컵으로부터의 배기를 독립적으로 실행한다.

Abstract translation: 本发明的液体处理装置中，水平地保持基板，并旋转基板支架成为可能，通过所述衬底保持器，可旋转的旋转杯保持的基板周围，并与所述基板与所述基板部保持旋转杯以及基板一起一起 用于将处理液供应到基板的液体供应机构以及用于执行旋转杯的排出和排出的排出和分配部。 排气＆middot;排水单元和排水杯主要形成环形排水从衬底接受处理液二进制断，它被设置成围绕排液杯的外侧，旋转杯以及从周围排气排气接受一个主要气体组分 杯子与排水杯和排气杯分开分配。

公开(公告)号：KR100406337B1

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1019980002510

申请日：1998-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코사토시 ,  가미카와유지 ,  고구치아키라 ,  구로다오사무 ,  기타하라시게노리 ,  니시다다츠야

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67769 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67775 ,  H01L21/67778 ,  Y10S134/902

Abstract: A substrate transporting and processing system generally comprises: a supply section of a carrier 1 for housing therein wafers W to be processed, in a horizontal state; a discharge section of the carrier 1; a wafer unloading arm 14 for unloading the wafers W from said carrier 1; a wafer loading arm 16 for loading the wafers W into the carrier 1; an attitude changing unit 40 for changing the attitude of the wafers W between a horizontal state and a vertical state; a processing section 3 for suitably processing the wafers W; and a wafer transport arm 56 for delivering the wafers W between the attitude changing unit 40 and the processing section 3 and for transporting the wafers W into and from the processing section. Thus, after the wafers W housed in the carrier 1 in the horizontal state are unloaded and the attitude of the wafers W is changed into the vertical state, suitable processes are carried out, and the attitude of the wafers W is changed in the horizontal state after processing, so that the wafers W can be housed in the carrier 1. Thus, it is possible to decrease the size of the whole system to improve the throughput and to improve the yield of products.

Abstract translation: 基板搬运处理系统一般包括：载体1的供给部，其以水平状态收纳要处理的晶片W; 载体1的排出部分; 晶片卸载臂14，用于从所述载体1卸载晶片W; 用于将晶片W装载到载体1中的晶片装载臂16; 姿态改变单元40，用于改变晶片W在水平状态和垂直状态之间的姿态; 处理部分3，用于适当处理晶片W; 以及晶片传送臂56，用于在姿态改变单元40和处理部分3之间传送晶片W并用于将晶片W传送到处理部分和从处理部分传送。 因此，在将载置在水平状态的载体1中的晶片W卸载并使晶片W的姿态变为垂直状态之后，进行适当的处​​理，使晶片W的姿势变为水平状态 在处理之后，晶片W可以容纳在载体1中。因此，可以减小整个系统的尺寸以提高产量并提高产品的产量。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR101580708B1

公开(公告)日：2015-12-28

申请号：KR1020110124277

申请日：2011-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로 ,  오가타노부히로 ,  가네코사토시 ,  나가미네슈이치 ,  가이요시히로

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 본발명은, 기판의하면에효율적으로액체세정및 2 유체세정을행할수 있는액 처리장치를제공한다. 기판세정장치(10)는, 기판유지부에유지된기판(W)의아래쪽에위치하여기판의하면에액체와기체를혼합하여이루어지는 2 유체를토출할수 있도록구성된노즐(60)을구비한다. 노즐은, 액체를토출하기위한복수의액체토출로(67a)와, 기체를토출하기위한복수의기체토출로(67b)를갖고있다. 노즐은, 복수의액체토출로에각각대응하는복수의액체토출구(61)를갖고있다. 액체토출구는, 기판유지부에유지된기판의주연부로부터안쪽을향하도록기판의아래쪽으로연장하는수평선상에형성되어있다. 액체토출구는, 기체토출로에기체가공급되지않고액체토출로에액체가공급되고있을때에, 액체토출구로부터기판의하면을향해서토출되는액체의토출방향이, 기판의하면을포함하는평면에대하여회전구동부에의해회전되는기판의회전방향으로어떤각도를이루어경사지도록형성되어있다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够在基板上有效地进行液体清洗和双流体清洗的液体处理装置。 基板清洗装置10设置在被基板保持单元保持的基板W的下方，并且包括喷嘴60，该喷嘴60配置为排出通过在基板上混合液体和气体而形成的两种流体。 喷嘴具有用于排出液体的多个液体排出路径67a和用于排出气体的多个气体排出路径67b。 每个喷嘴具有与多个液体排出路径对应的多个液体排出口61。 液体排出口形成在从基板向下延伸的水平线上，以便从由基板保持部分保持的基板的周边边缘向内面向内。 液体排出口被布置成使得当气体不被供应到气体排出路径并且液体被供应到液体排出路径时从液体排出口朝向基板的表面排出的液体的排出方向被布置， 并且在由基板旋转的基板的旋转方向上倾斜一定角度。

公开(公告)号：KR101566274B1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：KR1020120022479

申请日：2012-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코사토시 ,  가이요시히로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B7/061 ,  B05B7/0853 ,  B05B7/0892 ,  B05B7/10

Abstract: 기판의표면에데미지를주지않고양호하게액처리할수 있는 2 유체노즐, 또는이 2 유체노즐을이용한기판액처리장치및 기판액처리방법및 기판액처리프로그램을제공하는것이다. 본발명에서는, 제 1 액체를토출하는제 1 액체토출구(45)와, 기체를토출하는기체토출구(47)를가지고, 제 1 액체토출구(45)로부터토출한제 1 액체와기체토출구(47)로부터토출한기체를외부에서혼합하여피처리체(기판(2))를향해혼합유체(52)를토출하는 2 유체노즐(34)에서, 피처리체(기판(2))에토출된혼합유체(52)의피처리체상에서의타겟스팟의외연부또는타겟스팟의외연부보다내측을향해제 2 액체를공급하기위한제 2 액체토출구(53)를갖도록했다.

公开(公告)号：KR1020150065601A

公开(公告)日：2015-06-15

申请号：KR1020140173110

申请日：2014-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코사토시 ,  모토마츠카즈키 ,  사카모토가즈노리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C18/1675 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1664 ,  C25D21/12 ,  H01L21/306 ,  H01L21/68

Abstract: 기판의표면온도와상이한온도의처리유체로기판을처리할경우에, 기판의온도의균일성을향상시켜양호하게처리하는것이다. 본발명에서는, 제 1 노즐(24)을기판(3)의중앙부의소정위치(전역처리개시위치(P2))로부터기판(3)의외주부의소정위치(전역처리종료위치(P5))를향해기판(3)의외주측으로이동시키면서제 1 노즐(24)로부터기판(3)을향해기판(3)의표면온도와는상이한온도의처리유체를토출하여기판(3)을처리하는기판전역처리를행하고, 이후, 제 1 노즐(24)을전역처리개시위치(P2)보다외주측의소정위치(외주역처리개시위치(P6))를향해기판(3)의내주측으로이동시킨후에, 제 1 노즐(24)을외주역처리개시위치(P6)로부터기판(3)의외주부의소정위치(외주역처리정지위치(P7))를향해기판(3)의외주측으로이동시키면서제 1 노즐(24)로부터기판(3)을향해처리유체를토출하여기판(3)을처리하는기판외주역처리를행하는것으로했다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置，该基板处理装置能够通过提高不同于基板表面的温度的加工流体对基板进行加工而提高温度的均匀性，从而优良地处理基板。 根据本发明，第一喷嘴（24）在基板（3）的外侧朝向基板（3）的外周部的规定位置（整个区域整理处理位置（P5））移动的同时， ）从衬底（3）的中心部分的整个区域处理开始位置（P2）的预定位置通过以与衬底（3）的表面的温度不同的温度排出处理流体来处理衬底（3） （3）。 在第一喷嘴（24）朝向预定位置移动到基板（3）的内周侧之后，从整个区域处理开始位置（P2）的外周侧的外周区域处理开始位置（P6） 同时第一喷嘴24从外周区域处理开始位置朝向基板（3）的预定位置（外周区域处理停止位置（P7））移动到基板（3）的外周侧 （P6）中，通过从第一喷嘴（24）向基板（3）排出处理流体，进行用于处理基板（3）的基板外周区域处理。

公开(公告)号：KR101423811B1

公开(公告)日：2014-07-25

申请号：KR1020110030723

申请日：2011-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노요시후미 ,  가네코사토시

IPC: H01L21/68

CPC classification number: B23Q3/15 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68714 ,  Y10T29/49998 ,  Y10T279/11 ,  Y10T279/23 ,  Y10T279/26

Abstract: 본 발명은, 기준 위치에 정확하게 장착된 기준 부재를 갖는 위치 결정 장치를 제공한다.
본 발명의 위치 결정 장치는, 위치 결정을 위해 기준이 되는 기준 부재와, 상기 기준 부재를 지지하기 위한 지지부와, 상기 지지부에 마련되어, 상기 기준 부재와 상기 지지부를 고정하거나 또는 고정을 해제하는 제1 고정 부재를 포함하며, 상기 기준 부재는, 이동 가능한 상태로 상기 지지부와 접속되어 있고, 위치 결정된 후 상기 제1 고정 부재에 의해 상기 지지부에 고정되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020120140633A

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020120066917

申请日：2012-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이요시히로 ,  가네코사토시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A two-fluid nozzle, and a method and apparatus for processing a substrate with liquid are provided to improve a liquid processing effect by properly dispersing processing liquid from each liquid outlet. CONSTITUTION: A two-fluid nozzle(34) sprays a droplet of processing liquid made by mixing the processing liquid from a liquid outlet(48) with gas from a gas outlet(52) to an object. The liquid outlet is composed of a plurality of liquid discharge holes(47) which discharge the processing liquid in an outer direction of a circle.

Abstract translation: 目的：提供双流体喷嘴，以及用液体处理基板的方法和装置，以通过从每个液体出口适当地分散处理液来改善液体处理效果。 构成：双流体喷嘴（34）喷射通过将来自液体出口（48）的处理液与来自气体出口（52）的气体混合到物体而制成的处理液滴。 液体出口由在圆的外侧方向排出处理液的多个液体排出孔47构成。

公开(公告)号：KR101202203B1

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：KR1020117018772

申请日：2009-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노요시후미 ,  가네코사토시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 액처리 장치는, 제 2 하우징(20)과, 제 2 하우징(20)에 접촉 가능한 제 1 하우징(10)과, 피처리체(W)를 보지(保持)하는 보지부(1)와, 보지부(1)에 의해 보지된 피처리체(W)를 회전시키는 회전 구동부(60)와, 보지부(1)에 의해 보지된 피처리체(W) 표면의 주연부에 처리액을 공급하는 표면측 처리액 공급 노즐(51a, 52a)과, 보지부(1)에 의해 보지된 피처리체(W)의 이면측에 배치되어 피처리체(W)를 거친 처리액을 저장하는 저장부(23)를 구비하고 있다. 제 1 하우징(10) 및 제 2 하우징(20) 각각은 일 방향으로 이동 가능해져, 제 1 하우징(10)과 제 2 하우징(20)이 접촉 및 이격 가능해져 있다.

公开(公告)号：KR1020120103465A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：KR1020120022479

申请日：2012-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코사토시 ,  가이요시히로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B7/061 ,  B05B7/0853 ,  B05B7/0892 ,  B05B7/10

Abstract: PURPOSE: A two-fluid nozzle, a substrate liquid-processing device, a substrate liquid-processing method, and an electronically decodable recording medium in which a substrate liquid-processing program is recorded are provided to prevent the damage of a substrate surface by preventing a liquid film from becoming a thin film. CONSTITUTION: A second fluid nozzle(34) includes a first liquid discharging hole(45) and a gas discharging hole(47). The second fluid nozzle mixes first liquid discharged from the first liquid discharging hole with gas discharged from the gas discharging hole. The second fluid nozzle discharges the mixed fluid(52) to a substrate. A second liquid discharging hole(53) supplies second liquid to an extensional part of a target spot or an inner side than the extensional part of the target spot.

Abstract translation: 目的：提供记录基板液体处理程序的双流体喷嘴，基板液体处理装置，基板液体处理方法和电子可解码记录介质，以防止基板表面的损坏 液膜成为薄膜。 构成：第二流体喷嘴（34）包括第一液体排放孔（45）和气体排出孔（47）。 第二流体喷嘴将从第一液体排出孔排出的第一液体与从气体排出孔排出的气体混合。 第二流体喷嘴将混合流体（52）排放到基底。 第二液体排出孔（53）将第二液体供给到目标点的延伸部分或者比目标点的伸展部分的内侧。

公开(公告)号：KR100979979B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020087000737

申请日：2007-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  가네코사토시 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지시키며 웨이퍼(W)와 함께 회전 가능한 기판 유지부(2)와, 기판 유지부(2)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 환형을 이루고, 웨이퍼(W)와 함께 회전 가능한 환형을 이루는 회전컵(4)과, 회전컵(4)과 기판 유지부(2)를 일체적으로 회전시키는 회전 기구(3)와, 웨이퍼(W)의 처리액 및 회전컵(4)의 세정액을 공급하는 노즐(5)과, 노즐(5)에 처리액 및 세정액을 공급하는 액 공급부(85)와, 웨이퍼(W)에 액을 토출하는 제1 위치와 회전컵(4)의 외측 부분에 액을 토출하는 제2 위치 사이에서 노즐(5)을 이동시키는 노즐 이동 기구를 구비하고, 노즐(5)을 웨이퍼 처리 위치에 위치시킨 상태에서 웨이퍼(W)를 액처리하며, 노즐(5)을 회전컵 세정 위치에 위치시킨 상태에서 회전컵의 외측 부분에 세정액을 토출한다.