公开(公告)号：KR1020070086783A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020077014854

申请日：2005-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 글렌게일 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  나카무라겐지 ,  구시비키마사토 ,  신도나오키 ,  시미즈아키타카 ,  아시가키시게오 ,  가토요시히로

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device from a laminate having a semiconductor substrate, a high dielectric film formed on the above semiconductor substrate and, formed above the high dielectric film, a SiC based film having a reflection-preventive function and a hardmask function, wherein it comprises a plasma treatment step of applying a plasma to the above SiC based film and the above high dielectric film, for modification, and a cleaning treatment step of removing both of the above SiC based film and the above high dielectric film modified by wet washing.

Abstract translation: 一种由具有半导体衬底的叠层制造半导体器件的方法，在上述半导体衬底上形成的高电介质膜，并且在高电介质膜上形成具有防反射功能和硬掩模功能的SiC基膜， 其包括对上述SiC基膜和上述高介电膜施加等离子体进行改性的等离子体处理步骤，以及去除上述SiC基膜和通过湿洗改性的上述高介电膜的清洗处理步骤 。

公开(公告)号：KR102107248B1

公开(公告)日：2020-05-06

申请号：KR1020140031446

申请日：2014-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  구시비키마사토

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101742324B1

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020110009869

申请日：2011-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구시비키마사토 ,  니시무라에이이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

Abstract: 본발명에따르면, 처리챔버내에혼합가스로이루어지는처리가스를공급하고, 또한복수종의가스중 적어도 1종의가스의유량을제 1 시간동안제 1 유량으로하는제 1 공정과, 제 2 시간동안상기제 1 유량과는다른유량의제 2 유량으로하는제 2 공정으로이루어지는 1 사이클의공정을, 상기처리챔버내에생성된플라즈마를도중에없어지게하지않고연속적으로적어도 3회이상반복해서실행하고, 제 1 시간및 제 2 시간은 1초이상 15초이하이며, 제 1 공정에있어서의처리가스의총 유량과제 2 공정에있어서의상기처리가스의총 유량은동일하거나, 다른경우에는총 유량의차가많은쪽의총 유량의 10% 이하이고, 제 1 공정과제 2 공정의어느것에있어서도피에칭막의에칭을진행시키는가스를처리가스중에포함하는반도체장치의제조방법이제공된다. 본발명에의하면, 미세한패턴을정밀도좋게균일하고또한고선택비로형성할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，供给的混合气体组成进入处理腔室的工艺气体，并且进一步地，其中在第一步骤期间，在第二时间将多个类型的气体中的至少一种的气体的流量在第一流量在第一时间 第一流量，并且通过连续地重复至少3次执行，而不是不包括的其它流量的第二流量的第二步骤的一个循环的第一步骤中，在处理室中产生的等离子体，在第一时间期间 和所述第二时间为15秒或更少的至少1秒，处理气体的处理气体的过程中的总流量分配第二步骤中的第一总流速是相同的，或者在其他情况下，在总流量的页数的差 并且不大于10的总流量的％，提供了一种制造半导体器件的方法，其包括气体1名前进到根据第二工艺气体中的分配处理或者逃跑的蚀刻膜蚀刻工艺。 根据本发明，可以以高精度形成具有高均匀性和高选择比的精细图案。

公开(公告)号：KR101164897B1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：KR1020100050084

申请日：2010-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구시비키마사토 ,  니시무라에이이치

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31608

Abstract: (과제) SWP에 의해 마스크 패턴을 형성하는 경우에, 반사 방지막의 에칭 공정을 생략하여, 마스크 패턴의 패턴 쓰러짐을 방지할 수 있는 마스크 패턴의 형성 방법을 제공한다.
(해결 수단) 레지스트 패턴열의 표면을 등방적으로(isotropically) 산화 실리콘막으로 피복하는 스텝 S14와, 레지스트 패턴열의 사이를 카본막으로 메움과 함께, 상부를 카본막으로 피복하는 스텝 S15와, 카본막을, 레지스트 패턴열의 상부로부터 제거함과 함께, 레지스트 패턴열의 사이에 잔존하도록 에치백 처리하는 스텝 S16과, 잔존하는 카본막을 제거함과 함께, 레지스트 패턴열의 상부를 피복하는 산화 실리콘막을 에치백 처리하는 스텝 S17과, 레지스트 패턴열을 애싱 처리해, 중앙부와, 중앙부를 양측에서 사이에 끼우는 막측벽부를 갖는, 산화 실리콘막으로 이루어지는 제1 마스크 패턴열을 형성하는 스텝 S18을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020110091462A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020110009869

申请日：2011-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구시비키마사토 ,  니시무라에이이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing method and a plasma etching device are provided to include a gas which is proceeding etching of a silicon dioxide film among a process gas, thereby eliminating degradation of an etching rate. CONSTITUTION: A pre-etched film formed in a substrate(W) which is included in a process chamber(1) is etched. A process gas comprised of a mixing gas of predetermined plural kinds of gases in the process chamber is supplied. A process of a first cycle comprised of a first process and second process is repeated at least more than three times consecutively by keeping the plasma created in the process chamber during the process. A flow rate of at least one kind of a gas among plural kinds of gases is a first flow rate during a first hour in the first process. A flow rate different to the first flow rate during a second hour is a second flow rate in the second process.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件制造方法和等离子体蚀刻装置，以包括在处理气体中正在进行二氧化硅膜蚀刻的气体，从而消除蚀刻速率的劣化。 构成：蚀刻形成在处理室（1）中的衬底（W）中的预蚀刻膜。 提供由处理室中的预定多种气体的混合气体构成的处理气体。 通过在处理过程中保持在处理室中产生的等离子体，连续地重复包括第一工艺和第二工艺的第一循环的工艺至少三次以上。 多种气体中的至少一种气体的流量是第一流程中的第一小时内的第一流量。 在第二时间段内与第一流量不同的流速是第二过程中的第二流量。

公开(公告)号：KR100593826B1

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：KR1020037013572

申请日：2002-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고아키테루 ,  미우라도시히로 ,  후카사와다카유키 ,  시미즈아키타카 ,  구시비키마사토 ,  야마시타아사오 ,  히구치후미히코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32137

Abstract: 에칭 가스로서 Cl
2 +O
2 의 가스를 사용하고, 플라즈마 에칭에 의해서 텅스텐 실리사이드층(104)을 에칭한다. 텅스텐 실리사이드층(104)의 에칭이 거의 종료한 시점에서 에칭 가스를 Cl
2 +O
2 +NF
3 로 변경하고, 플라즈마 에칭에 의한 오버에칭을 하고, 텅스텐 실리사이드층(104)의 하측에 형성된 폴리실리콘층(103)을 약간 균일하게 에칭한 상태로 에칭 공정을 종료한다. 이것에 의해서 종래에 비교하여 폴리실리콘층(103)의 잔막량을 균일화할 수 있고, 양질인 반도체 장치를 안정적으로 제조할 수 있다.
에칭, 드라이 에칭, 에칭 가스.

Abstract translation: 作为蚀刻气体，Cl

公开(公告)号：KR1020050031375A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1020040073632

申请日：2004-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구시비키마사토 ,  사와타이시마사유키 ,  시미즈아키타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/40

Abstract: An etching method and a readable computer storage medium storing program for controlling same are provided to etch an etching target layer according to a predetermined pattern width by adjusting a pattern width of a mask layer. A first process is performed to deposit plasma reaction products on sidewalls of pre-patterned mask layer(212-1,212-2) and increase pattern widths of the pre-patterned mask layer. A second process is performed to etch an etching target layer by using the pre-patterned mask layer as a mask having the increased pattern widths. The second process is performed by etching the etching target layer while reducing the pattern widths of the mask layer by etching the sidewalls of the pre-patterned mask layer.

Abstract translation: 提供蚀刻方法和用于控制其的可读计算机存储介质存储程序，以通过调整掩模层的图案宽度来根据预定图案宽度蚀刻蚀刻目标层。 执行第一工艺以在预图案化掩模层（212-1,212-2）的侧壁上沉积等离子体反应产物并增加预图案化掩模层的图案宽度。 通过使用预先图案化的掩模层作为具有增加的图案宽度的掩模来执行第二工艺来蚀刻蚀刻目标层。 通过蚀刻蚀刻目标层，同时通过蚀刻预图案化掩模层的侧壁来减小掩模层的图案宽度来进行第二工艺。

公开(公告)号：KR1020040035596A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020037013572

申请日：2002-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고아키테루 ,  미우라도시히로 ,  후카사와다카유키 ,  시미즈아키타카 ,  구시비키마사토 ,  야마시타아사오 ,  히구치후미히코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32137

Abstract: 에칭 가스로서 Cl
2 +O
2 의 가스를 사용하고, 플라즈마 에칭에 의해서 텅스텐 실리사이드층(104)을 에칭한다. 텅스텐 실리사이드층(104)의 에칭이 거의 종료한 시점에서 에칭 가스를 Cl
2 +O
2 +NF
3 로 변경하고, 플라즈마 에칭에 의한 오버에칭을 하고, 텅스텐 실리사이드층(104)의 하측에 형성된 폴리실리콘층(103)을 약간 균일하게 에칭한 상태로 에칭 공정을 종료한다. 이것에 의해서 종래에 비교하여 폴리실리콘층(103)의 잔막량을 균일화할 수 있고, 양질인 반도체 장치를 안정적으로 제조할 수 있다.