公开(公告)号：KR101270875B1

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020110098798

申请日：2011-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사키요시노리 ,  다카하시데츠로 ,  마에카와고지

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336

Abstract: [과제] 플라즈마 질화 처리에 의해 형성한 산화질화규소막으로부터의 N 이탈에 의한 막 중 질소 농도의 저하를 억제하여, 피처리체 간·로트 간의 질소 농도의 편차를 최소한으로 한다.
[해결수단] 절연막의 개질 방법은, 피처리체의 표면에 노출된 산화규소막을 플라즈마 질화 처리하여 산화질화규소막을 형성하는 질화 처리 공정과, 상기 산화질화규소막의 표면을 산화 처리하는 개질 공정을 행하고, 질화 처리 공정의 종료로부터 상기 개질 공정의 개시까지의 동안, 진공 분위기를 유지한다. 또한, 플라즈마 질화 처리는, 질화 처리 공정 직후의 산화질화규소막의 막 중 질소 농도를 N
C0 라고 하고, 개질 공정 후의 산화질화규소막의 막 중 질소 농도의 목표값을 N
CT 라고 했을 때, N
C0 >N
CT 가 되도록 행한다.

公开(公告)号：KR101257985B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 챔버 내에 웨이퍼를 배치하고, 챔버 내에 플라즈마 생성 공간을 형성하여, 그 플라즈마 생성 공간에 적어도 웨이퍼의 표면을 접촉시킨 상태로 웨이퍼의 표면에 플라즈마 처리를 실시함에 있어서, 웨이퍼의 이면측의 적어도 외주 부분에 플라즈마 생성 공간이 접촉하도록 하여 플라즈마 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR101123538B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020090078578

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반복하여 플라즈마 질화처리를 실행하는 경우에 있어서도, 파티클의 발생이 억제되고, 제품의 수율을 향상시키는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에 의해 처리실내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치에 있어서, Ar 가스 및 N
2 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여, 처리 압력 15 Pa 이하, 마이크로파 파워 1500 W 이상의 조건으로, 플라즈마 폭로 환경하에서 사용되는 석영제부재에 대하여, 5.3 eV초과의 이온 에너지를 갖는 플라즈마에 의해 표면 처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR100936550B1

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：KR1020070075849

申请日：2007-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C23/006 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 본 발명은 반복하여 플라즈마 질화처리를 실행하는 경우에 있어서도, 파티클의 발생이 억제되고, 제품의 수율을 향상시키는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에 의해 처리실내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치에 있어서, Ar 가스 및 N
2 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여, 처리 압력 15 Pa 이하, 마이크로파 파워 1500 W 이상의 조건으로, 플라즈마 폭로 환경하에서 사용되는 석영제부재에 대하여, 5.3 eV초과의 이온 에너지를 갖는 플라즈마에 의해 표면 처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR101032518B1

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020087028017

申请日：2007-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠키지로 ,  다카하시데츠로 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/20 ,  G06F19/00 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L22/12 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/785

Abstract: 실리콘산질화막 및 그 하층에 잔존하는 실리콘 산화막의 합계 막두께 T
1 N을 계측하고, 피측정 기판을 재산화 처리하며, 재산화 처리 후에, 상기 피측정 기판의 상기 실리콘산질화막, 상기 실리콘 산화막 및 재산화 처리에 의해 형성된 실리콘 산화막의 합계 막두께 T
2 N을 계측하고, 별도로 실리콘 산화막이 형성된 비교용 기판을 재산화 처리하고, 재산화 처리 후에 비교용 기판의 실리콘 산화막 및 재산화 처리에 의해 형성된 실리콘 산화막의 합계 막두께 T
2 를 계측하고, 각 합계 막두께 T
1 N, T
2 N 및 T
2 로부터, 하기의 식 (1)에 의거하여 피측정 기판의 재산화 레이트 감소율 RORR을 산출하고, 산출된 재산화 레이트 감소율 RORR에 의거하여 피측정 기판의 실리콘산질화막중의 질소 농도를 결정한다.
RORR(%)={(T
2 -T
2 N)/(T
2 -T
1 N)}×100… (1)

公开(公告)号：KR1020100031720A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: A wafer is arranged in a chamber, a plasma generating space is formed in the chamber, and plasma processing is performed to the front surface of the wafer in a state where at least the front surface of the wafer is brought into contact with the plasma generating space. The plasma processing is performed by having the plasma generating space in contact with at least the outer circumference portion of the wafer rear surface.

Abstract translation: 将晶片布置在腔室中，在室中形成等离子体产生空间，并且在至少晶片的前表面与等离子体产生接触的状态下对晶片的前表面进行等离子体处理 空间。 等离子体处理通过使等离子体产生空间与晶片后表面的至少外周部分接触来进行。

公开(公告)号：KR100939125B1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020077010211

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐 함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR100886029B1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：KR1020067015222

申请日：2005-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카슈우이치 ,  사사키마사루 ,  다카하시데츠로 ,  마에카와고지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32862 ,  B08B7/0035

Abstract: 처리실에 피처리 기판을 수용하고, 상기 피처리 기판에 소정의 처리를 실행하는 기판 처리 장치의 처리실을 청정화함에 있어서, 처리실 내에 산소를 포함하는 가스의 플라즈마를 형성하는 공정과, 처리실 내에 질소를 포함하는 가스의 플라즈마를 형성하는 공정을 교대로 실행한다.

公开(公告)号：KR1020060127104A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067015222

申请日：2005-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카슈우이치 ,  사사키마사루 ,  다카하시데츠로 ,  마에카와고지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32862 ,  B08B7/0035

Abstract: Disclosed is a method for cleaning a process chamber of a substrate processing apparatus where a substrate to be processed is placed in the process chamber and a certain processing is performed on the substrate. In this method, a step for generating a plasma of an oxygen-containing gas in the process chamber and a step for generating a plasma of a nitrogen-containing gas in the process chamber are performed alternately.

Abstract translation: 公开了一种用于清洁基板处理装置的处理室的方法，其中待处理的基板被放置在处理室中并且对基板执行某种处理。 在该方法中，交替地执行用于在处理室中产生含氧气体的等离子体的步骤和在处理室中产生含氮气体的等离子体的步骤。