公开(公告)号：KR100575310B1

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：KR1020000012720

申请日：2000-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  오모리쓰타에 ,  기무라요시오

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03D5/04 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/38 ,  Y10S134/902

Abstract: 레지스트막 위에 감광기(感光基)를 갖는 용액을 도포하고, 그 위에 현상액을 도포하여, 감광기를 갖는 용액의 전면(全面)을 일괄(一括)적으로 노광(露光)한다. 레지스트막의 현상은, 감광기를 갖는 용액의 도포막이 현상액에 용해되면서 부터 일괄적으로 진행하여, 기판면내(面內)에 있어서의 현상개시의 시간차가 발생하지 않음으로써 균일하게 현상할 수 있기 때문에, 기판면내의 선폭균일성(線幅均一性, CD値均一性)을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 将具有光敏基团的溶液涂覆在抗蚀剂膜上，并将显影剂涂覆在抗蚀剂膜上以使具有光敏基团的溶液的整个表面一次曝光。 由于抗蚀剂膜的现象，通过施加具有感光膜的溶液中，从溶解在显影剂中的批次进行时，它可以均匀地通过不的生成现象在基板平面（面内）的开始之间的时间差显影，在基板 可以改善平面中的线宽均匀性（线宽均匀性，CD值均匀性）。

公开(公告)号：KR101987582B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020180027058

申请日：2018-03-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687

公开(公告)号：KR1020120074197A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020110106751

申请日：2011-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  우에무카이히데토모 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for processing a substrate with liquid and a computer readable recording medium with a substrate liquid processing program are provided to smoothly water-repel a substrate by mixing a water-repellent liquid with a diluted liquid with a high precision. CONSTITUTION: A substrate holding unit(23) horizontally holds a substrate(2). A treatment solution discharge unit(24) discharges treatment solutions to the upper side of the substrate and includes a cleaning outlet(35) and a substitution outlet(36). A water-repellent liquid discharge unit(25) discharges the water-repellent liquid to the upper side of the substrate. A control unit(26) controls the substrate holding unit, the treatment solution discharge unit, and the water-repellent liquid discharge unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用液体处理基板的装置和方法以及具有基板液体处理程序的计算机可读记录介质，以通过以高精度混合疏水液体与稀释液体来平滑地排斥基板。 构成：基板保持单元（23）水平地保持基板（2）。 处理液排出单元（24）将处理液排出到基板的上侧，并且包括清洁出口（35）和替代出口（36）。 防水液体排出单元（25）将拒水液体排出到基板的上侧。 控制单元（26）控制基板保持单元，处理液排出单元和拒水排液单元。

公开(公告)号：KR1020120057504A

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：KR1020110085634

申请日：2011-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이와시타미츠아키 ,  가미카와유지 ,  나카시마미키오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67034

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage media are provided to prevent the high pressure fluid within a treatment basin to be entered in other instrument through a pipe. CONSTITUTION: A process chamber(31) of a supercritical processing unit(30) comprises a process space(310) for processing a wafer(W). The process chamber is connected to a fuzzy gas supply line(406) and an exhaust line(408). An opening for carrying in and out the wafer is formed at the front side of the process chamber. A spiral tube(41) is connected to the process chamber through a supply return line(411). The spiral tube accepts IPA(icosapentaenoic acid) as a liquid state.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以防止处理池内的高压流体通过管道进入其它仪器。 构成：超临界处理单元（30）的处理室（31）包括用于处理晶片（W）的处理空间（310）。 处理室连接到模糊气体供应管线（406）和排气管线（408）。 用于进出晶片的开口形成在处理室的前侧。 螺旋管（41）通过供应返回管线（411）连接到处理室。 螺旋管接受IPA（二十碳五烯酸）为液态。

公开(公告)号：KR101061913B1

公开(公告)日：2011-09-02

申请号：KR1020070074479

申请日：2007-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토가즈히사 ,  가네코사토시 ,  아키모토마사미 ,  도시마다카유키 ,  이토노리히로

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/08

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173

Abstract: 액 처리 시스템은 기판(W)에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 복수의 액 처리 유닛(22)이 수평으로 배치된 액 처리부(21b)와, 액 처리부의 복수의 액 처리 유닛으로 공급하는 처리액을 저장하는 처리액 저장부(21h)와, 처리액 저장부로부터 복수의 액 처리 유닛으로 처리액을 유도하는 공급 배관을 갖는 배관 유닛(21f)과, 액 처리부, 처리액 저장부 및 배관 유닛을 수용하는 공통의 케이스(21)를 구비한다. 처리액 저장부, 배관 유닛 및 액 처리부는 아래쪽에서부터 이러한 순서로 배치되며, 배관 유닛의 공급 배관은 복수의 액 처리 유닛의 배열 방향을 따라 수평으로 연장되는 수평 배관부(70a)를 가지며, 수평 배관부로부터 액 처리 유닛으로 처리액이 각각 도입된다.

Abstract translation: 液体处理系统包括：液体处理单元21b，其中水平布置有用于向基板W供给处理液并进行液体处理的多个液体处理单元22; 用于储存液体的处理液储存部分21h，具有用于将处理液从处理液储存部分引导至多个液体处理单元的供应管道的管道单元21f， 还有一个普通的情况（21）用于容纳它。 处理液储存部，配管单元，并且液体处理部从在该顺序的底部设置，配管单元的供给管具有沿着所述多个液体处理单元的排列方向，水平管道水平延伸的水平配管部（70a）上 处理液体被引入到液体处理单元中。

公开(公告)号：KR101049491B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020060092089

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지이야스시 ,  도시마다카유키 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 본 발명은 피에칭막을 에칭한 후 희생막 등의 잔존 물질을 제거하는 처리를 위하여, 그 잔존 물질을 소정의 액에 가용화하고 그 후, 그 소정의 액에 의해 잔존 물질의 제거를 수행할 때에, 패턴 벗겨짐 등의 데미지가 적은 기판 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 상에 형성된 피에칭막을 에칭 처리하여 소정 패턴을 형성하는 공정과, 에칭 처리를 끝낸 후에 잔존하는 물질을 소정의 액에 대하여 가용화하도록 변성시키는 공정과, 그 후, 패턴이 형성된 피에칭막의 표면을 실릴화 처리하는 공정과, 그 후 소정의 액을 공급하여 변성된 물질을 용해 제거하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 当本发明是要经过蚀刻的膜的蚀刻的处理以除去残留的物质，如牺牲层，溶解的剩余材料为预定量，并通过随后进行除去残留材料的，预定的量， 并且提供具有较少损伤的基板处理方法，例如图案的剥离。

公开(公告)号：KR2020090005582U

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：KR2020080016071

申请日：2008-12-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로고우키치 ,  야마모토히데유키 ,  다케시타가즈히로 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: 기판 처리 장치는, 저류된 처리액에 기판을 침지시켜 기판의 처리를 실시한다. 기판 처리 장치는, 대향 배치된 1 쌍의 측벽을 갖는 처리조와, 상기 1 쌍의 측벽에 각각 대응하여 형성된 1 쌍의 처리액 공급 기구를 구비한다. 상기 1 쌍의 처리액 공급 기구는, 상기 1 쌍의 측벽을 연결하는 폭 방향에 있어서의 상기 처리조 내의 중앙측을 향하여 처리액을 공급하여, 상기 처리조 내의 상기 폭 방향에 있어서의 중앙 영역에 있어서 상승류가 형성된다. 상기 1 쌍의 측벽 각각의 내벽면은, 본체부와, 상기 본체부의 상방에 위치하는 돌출부와, 최상방에 위치하고 상기 처리액이 오버 플로우하는 배출구를 형성하는 배출 안내부를 포함한다. 상기 배출 안내부는, 상방을 향하여 상기 폭 방향의 중앙측과는 반대측으로 경사진다. 상기 돌출부는, 상기 본체부 및 상기 배출 안내부보다, 상기 폭 방향에 있어서 중앙측에 위치하는 내방 단부를 포함한다.
기판 처리 장치, 처리액, 돌출부, 배출 안내부

公开(公告)号：KR100849254B1

公开(公告)日：2008-07-29

申请号：KR1020010060911

申请日：2001-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  이이노다다시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/31138 ,  Y10S134/902

Abstract: 웨이퍼 등의 금속오염이나 파티클의 발생 및 산화막의 성장을 억제하여 레지스트를 제거할 수 있도록 한다.
웨이퍼(W)를 수용하는 처리용기(10)내에 오존 가스(2)를 공급하는 오존 가스공급관로(40)와, 처리용기(10)내에 수증기(1)를 공급하는 수증기공급관로(30)를 설치하여, 오존 가스공급관로(42)에 설치되는 개폐밸브(49)와, 수증기공급관로(34)에 설치되는 개폐밸브(36)와, 오존 가스생성수단(41)의 스위치(48) 및 개폐밸브(49)를, 제어수단인 CPU(100)에 의해서 제어할 수 있도록 형성한다. 이에 따라, 처리용기(10)내에 오존 가스(2)를 공급하여 웨이퍼(W)의 주위분위기를 가압한 후, 처리용기(10)내에 수증기(1)를 공급함과 동시에, 오존 가스(2)를 공급하여, 수증기(1)와 오존 가스(2)에 의해서 웨이퍼(W)의 레지스트 제거나 금속부식 등을 방지할 수 있다.

Abstract translation: 可以抑制晶片等金属的污染，粒子的生成和氧化膜的生长，从而除去抗蚀剂。

公开(公告)号：KR1020080020988A

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020077025994

申请日：2006-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로고우키치 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  신도나오키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: Disclosed is a substrate processing apparatus for cleaning and drying a substrate such as a semiconductor wafer. This substrate processing apparatus comprises a liquid processing unit for processing a substrate by immersing the substrate in a stored purified water, a drying unit arranged above the liquid processing unit for drying the substrate, a substrate conveying system for conveying the substrate between the liquid processing unit and the drying unit, a fluid supply mechanism for supplying a fluid mixture composed of vapor or mist of purified water and vapor or mist of a volatile organic solvent into the drying unit, and a control unit for controlling supply of the fluid mixture. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种用于清洗和干燥诸如半导体晶片的衬底的衬底处理装置。 该基板处理装置包括：液体处理单元，用于通过将基板浸入存储的净化水中来处理基板;干燥单元，布置在用于干燥基板的液体处理单元的上方;基板输送系统，用于在液体处理单元 以及干燥单元，用于将由净化水的蒸汽或雾以及挥发性有机溶剂的蒸气或雾形成的流体混合物供给到干燥单元中的流体供给机构，以及用于控制流体混合物供给的控制单元。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR1020080010325A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020070074479

申请日：2007-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토가즈히사 ,  가네코사토시 ,  아키모토마사미 ,  도시마다카유키 ,  이토노리히로

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/08

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173

Abstract: A liquid treatment system is provided to save a space through miniaturization and perform a uniform treatment by suppressing the unevenness of a pipe. A liquid treatment system includes a liquid treating part(21b), a treatment liquid storing part(21h), and a pipe unit(21f). The liquid treating unit includes a plurality of liquid treating units(22) for treating liquid by supplying the liquid to a substrate. The treatment liquid storing part stores the treatment liquid supplied to the plurality of liquid treating units of the liquid treating part. The pipe unit is provided with a supply pipe for introducing the treatment liquid to the plurality of liquid treating units from the treatment liquid storing part. The treatment liquid storing part, the pipe unit, and the liquid treating part are laminated in a common case sequentially from the bottom. The supply pipe of the pipe unit is provided with a horizontal pipe portion extending horizontally in the arrangement direction of the plurality of liquid treating units. The treatment liquid is introduced into the liquid treating units from the horizontal pipe portion.

Abstract translation: 提供液体处理系统以通过小型化来节省空间，并通过抑制管的不均匀性来进行均匀的处理。 液体处理系统包括液体处理部（21b），处理液储存部（21h）和管单元（21f）。 液体处理单元包括多个用于通过将液体供应到基底来处理液体的液体处理单元（22）。 处理液储存部存储供给到液体处理部的多个液体处理单元的处理液。 管单元设置有用于将处理液从处理液储存部引入到多个液体处理单元的供给管。 处理液储存部，管单元和液处理部从底部依次层叠成共同的壳体。 管单元的供给管设置有沿多个液体处理单元的排列方向水平延伸的水平管部。 处理液从水平管部引入液体处理单元。