公开(公告)号：KR1020040065254A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：KR1020047009053

申请日：2002-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노부히코 ,  아다치히카루 ,  오사다유키

IPC: H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32256 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01P5/103

Abstract: 매칭 회로를 소형화함으로써 마이크로파 발생원 등을 실드 뚜껑부 상에 일체화시켜서 탑재하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
플라즈마 처리 장치는 진공 배기 가능하게 이루어진 처리용기(42)와, 상기 처리용기내에 설치된 피 처리체를 탑재하는 탑재대(44)와, 상기 처리용기의 천정의 개구부에 설치된 마이크로파 투과판(70)과, 상기 마이크로파 투과판을 거쳐서 상기 처리용기내에 마이크로파를 공급하기 위한 평면 안테나부재(74)와, 상기 평면 안테나부재의 위쪽을 피복하도록 접지된 실드 덮개(78)와, 마이크로파 발생원으로부터의 마이크로파를 상기 평면 안테나부재로 인도하기 위한 도파관(82)과, 상기 평면 안테나부재와 상기 실드 덮개와의 사이의 상하 방향의 거리를 상대적으로 변화시키는 부재 승강 기구(85)와, 상기 도파관내에 대하여 삽입 가능하게 설치된 동조막대(104)와, 상기 동조막대를 그 삽입량이 조정 가능하게 이동시키는 동조막대 구동 장치(102)와, 상기 안테나 부재의 승강량과 상기 동조막대의 삽입량을 제어함으로써 매칭 조정을 하는 매칭 제어부(114)를 구비한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020100122894A

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：KR1020107007491

申请日：2009-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다아츠시 ,  아다치히카루 ,  티안카이종 ,  후쿠다요시노리 ,  혼고도시아키 ,  요시오카마사오

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 전자파 발생원에서 발생한 전자파를 도입하는 평면 안테나 부재로서, 도전성 재료로 이루어지는 평판형 기재와, 상기 평판형 기재에 형성된, 전자파를 방사하는 복수의 관통구를 구비하고, 상기 관통구는, 상기 평면 안테나 부재의 중심에 그 중심이 겹쳐지는 원의 둘레 상에 배열된 복수의 제1 관통구와, 상기 제1 관통구의 외측에 상기 원과 동심원 형상으로 배열된 복수의 제2 관통구를 포함하고 있으며, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제1 관통구의 중심까지의 거리(L1)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L1/r)가, 0.35 ∼ 0.5의 범위이고, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제2 관통구의 중심까지의 거리(L2)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L2/r)가, 0.7 ∼ 0.85의 범위인 � �을 특징으로 하는 평면 안테나 부재이다.

公开(公告)号：KR1020100054826A

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020107005342

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타료사쿠 ,  아다치히카루 ,  나카니시도시오 ,  우에다아츠시 ,  강송윤 ,  모로즈파울 ,  벤트젝피터

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229

Abstract: A microwave plasma processing device (100) of the slot antenna type includes a planar antenna plate (31) constituting a flat waveguide and a cover (34) formed by a conductive member. The cover (34) has a stub (43) as a second waveguide for adjusting field distribution in the flat waveguide. The stub (43) is arranged at a position superposed by slots (32) constituting a slot pair arranged at the outermost circumference of the planar antenna plate (31) when viewed from above. By appropriately arranging the stubs (43), it is possible to control the field distribution in the flat waveguide and generate a uniform plasma.

Abstract translation: 缝隙天线型微波等离子体处理装置（100）包括构成平坦波导的平面天线板（31）和由导电部件形成的盖（34）。 盖（34）具有作为用于调整平面波导中的场分布的第二波导的短截线（43）。 当从上方观察时，短截线体（43）被布置在叠置有构成设置在平面天线板（31）的最外周的槽对的槽（32）的位置。 通过适当地布置短截线（43），可以控制平坦波导中的场分布并产生均匀的等离子体。

公开(公告)号：KR100956466B1

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020067017788

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명에 있어서는, 산화막 형성 후의 기판에 대해서, 마이크로파에 의해서 발생시킨 플라즈마에 의해 질화 처리하여 산질화막을 형성할 때, 마이크로파의 공급을 단속적으로 행한다. 단속적으로 마이크로파를 공급함으로써, 전자 온도의 저하에 따른 이온 충격이 저하하고, 또한 산화막에 있어서의 질화물 시드의 확산 속도가 저하하며, 그 결과 산질화막의 기판측 계면에 질소가 집중하여 그 농도가 높게 되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 산질화막의 막질을 향상시켜 리크 전류의 저하, 동작 속도의 향상, 및 NBTI 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020090058000A

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020097006327

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  아다치히카루 ,  기타가와주니치 ,  야마모토노부히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: A plasma oxidizing method includes a step of placing an object to be processed and having a surface containing silicon on a susceptor disposed in a processing vessel of a plasma processing apparatus, a step of producing a plasma from a processing gas containing oxygen in the processing vessel, a step of supplying high-frequency electric power to the susceptor and applying a high-frequency bias to the object to be processed when the plasma is produced, and a step of forming a silicon oxide film by oxidizing silicon in the surface of the object to be processed by the plasma.

Abstract translation: 等离子体氧化方法包括将待处理物体放置在等离子体处理装置的处理容器中的基座上的步骤，在处理容器内从含有氧的处理气体生成等离子体的步骤 向基座提供高频电力的步骤，在制造等离子体时向待处理物体施加高频偏压的步骤，以及通过在物体的表面氧化硅来形成氧化硅膜的步骤 由等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020080079339A

公开(公告)日：2008-08-29

申请号：KR1020087019543

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: At the time of forming an oxynitride film on a substrate by nitriding the substrate with plasma generated by microwaves after forming an oxide film, the microwaves are intermittently supplied. Ion bombardment due to electron temperature reduction is reduced by intermittently supplying the microwaves, and the diffusing speed of a nitride seed in the oxide film is reduced. As a result, nitrogen concentrates on a nitride film interface on the substrate side, and the concentration increase can be suppressed. Thus, the film quality of the oxynitride film can be improved, a leak current can be reduced, and operation speed and NBTI resistance can be improved.

Abstract translation: 在通过在形成氧化膜之后通过微波产生的等离子体对基板进行氮化而在基板上形成氧氮化物膜时，间歇地供给微波。 通过间歇地供给微波来降低电子温度降低引起的离子轰击，减少氮化物种子在氧化膜中的扩散速度。 结果，氮浓缩在基板侧的氮化物膜界面上，并且可以抑制浓度增加。 因此，可以提高氮氧化物膜的膜质量，可以降低漏电流，并且可以提高操作速度和NBTI电阻。