公开(公告)号：KR1020010092703A

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1020010014487

申请日：2001-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10814

Abstract: PURPOSE: To prevent crackings of a plate electrode formed of a tungsten nitride which constitutes a capacitor, even if the electrode is applied with high heat, after processing. CONSTITUTION: A protective film 113a, formed of a metal silicide such as a tungsten silicide, is so formed as to cover the surface of the plate electrode 113. Thereby, outward diffusion of nitrogen from the tungsten nitride is prevented and a changer in the volume of the tungsten nitride is suppressed.

Abstract translation: 目的：为了防止构成电容器的氮化钨形成的平板电极的裂纹，即使电极被加热，加工后也是如此。 构成：由诸如硅化钨的金属硅化物形成的保护膜113a被形成为覆盖板电极113的表面。由此，防止氮从氮化钨向外扩散，并且容积的变化 的氮化钨被抑制。

公开(公告)号：KR1020010087295A

公开(公告)日：2001-09-15

申请号：KR1020010010886

申请日：2001-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor devices is provided to improve the adhesion property of interlevel insulating films as favorably maintaining the trench covering property and the barrier property for tungsten-based material. CONSTITUTION: At first, an interlevel insulating film is formed on a silicon substrate(101). A trench is formed in the(102). Next, a lower underlying film(104) made of a tungsten-based material is formed by thermal chemical vapor deposition to cover a bottom surface and side surface of the trench. An upper underlying film(105) made of a tungsten-based material is formed by thermal chemical vapor deposition on an entire region on the lower underlying film(104). A copper film(106) made of copper fills the trench. The upper underlying film(104) is formed in accordance with thermal chemical vapor deposition by supplying a tungsten source gas and the other source gas such that the other source gas is supplied in an amount larger than that of the tungsten source gas. The lower underlying film(104) is formed in accordance with thermal chemical vapor deposition by increasing a content of the tungsten source gas to be larger than to that of the other source gas in formation of the lower underlying film(104).

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以改善层间绝缘膜的粘附性，有利地保持钨基材料的沟槽覆盖性能和阻挡性能。 构成：首先，在硅衬底（101）上形成层间绝缘膜。 在（102）中形成沟槽。 接下来，通过热化学气相沉积形成由钨基材料制成的下基底膜（104），以覆盖沟槽的底表面和侧表面。 通过热化学气相沉积在下部基底膜（104）上的整个区域上形成由钨基材料制成的上部基底膜（105）。 由铜制成的铜膜（106）填充沟槽。 根据热化学气相沉积，通过供给钨源气体和其它原料气体，使得其它源气体的供给量大于钨源气体的量，形成上层薄膜（104）。 下基底膜（104）根据热化学气相沉积通过在形成下基底膜（104）时将钨源气体的含量增加到大于其它源气体的含量而形成。

公开(公告)号：KR101217393B1

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020100040860

申请日：2010-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  고아쿠츠마사토 ,  누노시게유

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 본발명은피처리체의표면에형성되어있는오목부의내경이나폭이작아도, 박막의성막시의스텝커버리지를향상시키는것이가능한성막방법을제공하는것을과제로한다. 진공배기가가능하게이루어진처리용기(22) 내에오목부(6)를갖는절연층(4)이표면에형성된피처리체(W)를수용하고, 처리용기내에티탄을함유하는원료가스와환원가스를공급하여플라즈마 CVD법에의해가스를반응시켜피처리체에대하여티탄을함유하는박막을형성하는성막방법에있어서, 반응이원료가스의반응율속의반응상태가되도록원료가스와환원가스의각 유량을설정하도록구성한다. 이것에의해, 피처리체의표면에형성되어있는오목부의내경이나폭이작아지거나, 오목부의애스펙트비가커져도, 박막의성막시의스텝커버리지를향상시키는것이가능해진다.

公开(公告)号：KR101204211B1

公开(公告)日：2012-11-26

申请号：KR1020090082951

申请日：2009-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

Abstract: 성막 처리의 때에 파티클(particle)의 발생을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 클리닝 처리시보다도 높은 온도에서의 클리닝 처리가 가능해져, 그만큼 처리량(throughput)을 향상시킬 수 있는 성막 장치를 제공한다. 피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하기 위한 성막 장치(12)에 있어서, 처리 용기(14)와, 그 위에 피처리체를 탑재하는 질화알루미늄제의 탑재대(62)와, 피처리체를 가열하기 위한 가열 수단(66)과, 탑재대에 대향시켜 탑재되고, 처리 용기 내로 필요한 가스를 도입하는 샤워 헤드부(18)와, 샤워 헤드부의 주변부에, 처리 용기 내의 클리닝 처리 후의 승온시에 불활성 가스를 공급하기 위한 헤드 주변부 가스 공급 수단(22)을 구비한다. 이것에 의해, 클리닝 처리시에 생성되어버린 AlF계 물질이 탑재대의 승온시에 파티클이 되어 비산하여도 이것이 대향하는 샤워 헤드부에 부착하지 않도록 한다.

公开(公告)号：KR101178663B1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020077005723

申请日：2005-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코 ,  루진크게릿제이 ,  맥필리펜튼알 ,  제미슨폴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/517

Abstract: 본 발명은 산소-함유 분위기로의 후속 노출 동안 하지 금속층의 특성 및 모폴로지를 보존하는 패시배이팅된 금속층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 방법은 프로세스 챔버(1)에 기판(50, 302, 403, 510)을 설치하는 단계, 화학적 기상 증착 프로세스로 상기 기판(50, 302, 403, 510) 상에 레늄 금속층(304, 408, 508)을 적층하기 위하여, 상기 기판(50, 302, 403, 510)을 레늄-카르보닐 전구체를 포함하는 프로세스 가스에 노출시키는 단계; 및 상기 레늄 금속 표면 상의 레늄-함유 노듈들(306)의 산소 유발된 성장을 금지하기 위하여, 상기 레늄 금속층(304, 408, 580) 상에 패시배이션층(414, 590)을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120091397A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020127016796

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 처리 용기내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다. 또한, 처리 용기내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.

公开(公告)号：KR101088931B1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020067006035

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  마츠다츠카사 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  다치바나,미츠히로 ,  마츠자바고우메이 ,  가와노유미코 ,  레우싱크게르트제이. ,  멕펠리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치. ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 본 발명은 간헐적 전구체 가스 플로우 프로세스(intermittent precursor gas flow process)를 사용하여 기판 상에 금속 층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 환원성 가스에 기판을 노출시킴과 아울러 그 기판을 금속-카르보닐 전구체(metal-carbonyl precursor) 가스의 펄스에 노출시키는 것을 포함한다. 상기 프로세스는 소망의 두께를 지닌 금속 층이 기판 상에 형성될 때까지 실행된다. 상기 금속 층은 기판 상에 형성될 수 있거나, 그 대안으로 금속 층은 금속 핵형성 층 상에서 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080045652A

公开(公告)日：2008-05-23

申请号：KR1020070118450

申请日：2007-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시가키시게오 ,  야마사키히데아키 ,  사코다도모유키 ,  스즈키미키오 ,  나카무라겐지 ,  레우싱크게리트제이

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: A method of integrating metal-containing films into a semiconductor device is provided to deposit and integrate a tungsten-containing film and another metal-containing film of the low pollution level into the semiconductor device. A substrate is provided into a process chamber(210). A tungsten-containing film is deposited on the substrate at a first substrate temperature by exposing the substrate in a deposition gas containing tungsten carbonyl precursor(220). The tungsten-containing film is annealed at a second substrate temperature higher than the first substrate temperature, so as to eliminate CO gas(230). A barrier layer is formed on the annealed tungsten containing film(240).

Abstract translation: 提供了将含金属膜整合到半导体器件中的方法，以将含钨薄膜和低污染等级的含金属膜沉积并整合到半导体器件中。 衬底被提供到处理室（210）中。 通过在含有羰基钨前体（220）的沉积气体中暴露衬底，在第一衬底温度下在衬底上沉积含钨膜。 含钨膜在高于第一基板温度的第二基板温度下退火，以便消除CO气体（230）。 在退火的含钨膜（240）上形成阻挡层。

公开(公告)号：KR1020080037729A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020087006700

申请日：2006-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: A raw material feeding device for feeding a gaseous raw material formed by the sublimation of a solid raw material into a film formation system, characterized by comprising a raw material container for holding the solid raw material therein, the first heating means placed on the first side of the container, the second heating means placed on the second side thereof, the first temperature control means for conducting the first management of controlling the first and second heating means so as to make the temperature of the first side higher than that of the second side and thereby sublimate the solid raw material on the first side, and the second temperature control means for conducting the second management of controlling the first and second heating means so as to make the temperature of the second side higher than that of the first side and thereby sublimate the solid raw material on the second side.

Abstract translation: 一种用于将通过固体原料的升华形成的气态原料供给到成膜系统中的原料供给装置，其特征在于包括用于将固体原料保持在其中的原料容器，第一加热装置放置在第一侧 所述第二加热装置设置在所述第二侧上，所述第一温度控制装置用于进行第一管理以控制所述第一和第二加热装置，以使所述第一侧的温度高于所述第二侧的温度 从而使第一侧的固体原料升华，以及第二温度控制装置，用于进行第二管理以控制第一和第二加热装置，以使第二侧的温度高于第一侧的温度，从而 在第二面升华固体原料。

公开(公告)号：KR1020080023741A

公开(公告)日：2008-03-14

申请号：KR1020087001229

申请日：2006-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/34 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: Disclosed is a film-forming method comprising a film-forming step wherein a thin metal compound film of a high-melting-point metal is formed on the surface of an object to be processed which is placed in an evacuatable process chamber by supplying a high-melting-point metal organic raw material gas and a nitrogen-containing gas into the process chamber. The partial pressure of the nitrogen-containing gas is set at not more than 17% in the film-forming step for increasing the concentration of carbon contained in the thin film. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其包括成膜步骤，其中在被处理物体的表面上形成高熔点金属的薄金属化合物膜，该物体通过提供高的位置而放置在可抽空的处理室中 - 熔点金属有机原料气和含氮气体进入处理室。 在用于提高薄膜中所含的碳浓度的成膜步骤中，含氮气体的分压设定为不超过17％。 ®KIPO＆WIPO 2008