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公开(公告)号：KR1020160130200A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020160144636
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室，其一部分由电介质窗形成; 设置在处理室中的基板支撑单元，用于安装目标基板; 处理气体供应单元，用于向处理室供应处理气体以对目标基板执行等离子体处理; 设置在电介质窗外部的RF天线，用于通过处理室中的感应耦合从处理气体产生等离子体; 以及用于向RF天线提供RF功率的RF电源单元。 RF天线包括具有线圈绕行方向的切口部的单绕线圈或多绕线圈导体， 并且来自RF电源单元的一对RF电力线分别经由切口部分彼此相对地连接到线圈导体的一对线圈端部。
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公开(公告)号：KR1020110046354A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to increase the uniformity of a plasma process by controlling the plasma density distribution. CONSTITUTION: A plasma is created as a doughnut shape under the dielectric window(52). The doughnut shape plasma is dispersed in a wide processing space. The density of the plasma is equalized in the susceptor(12) area. A correction ring(70) performs electromagnetic field correction about the RF magnetic field created from the RF antenna. A conduction duty ratio is varied by a switching device(110) by the process condition.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过控制等离子体密度分布来提高等离子体工艺的均匀性。 构成：在电介质窗口（52）下形成等离子体作为环形。 环形等离子体分散在宽的处理空间中。 在基座（12）区域中等离子体的密度相等。 校正环（70）对从RF天线产生的RF磁场进行电磁场校正。 通过开关装置（110）通过处理条件来改变导通占空比。
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公开(公告)号：KR1020090012054A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020080061061
申请日：2008-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67766 , H01L21/67778 , H01L21/67781 , H01L21/68707 , Y10S414/137
Abstract: A substrate transfer module and the substrate processing system are provided to prevent the corrosion of component and particles. The loader module(14) is connected to the process module(11) and the loadlock module(12) performing the etching process on the wafer(W). The loader module comprises the substrate transfer device(16) returning the wafer and the transfer room(15) accommodating the substrate transfer device. The pressure of the transfer room is the atmospheric pressure. The substrate transfer device comprises the peak(19) supporting the wafer and the arm portion(20) moving the peak.
Abstract translation: 提供基板转印模块和基板处理系统以防止组分和颗粒的腐蚀。 装载机模块（14）连接到处理模块（11），负载锁模块（12）对晶片（W）进行蚀刻处理。 装载机模块包括返回晶片的基板传送装置（16）和容纳基板传送装置的传送室（15）。 转运室的压力是大气压力。 衬底传送装置包括支撑晶片的峰（19）和移动峰的臂部分（20）。
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公开(公告)号：KR101910670B1
公开(公告)日：2018-10-22
申请号：KR1020120031835
申请日：2012-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32642 , H01J37/32715
Abstract: 본발명은링 부재의온도를제어함으로써기판이면에의퇴적물의부착량을억제하는것에관한것이다. 용량결합형플라즈마에칭장치에있어서, 배치대(3)의기판배치영역(32)을둘러싸도록상기배치대(3) 상에플라즈마의상태를조정하기위한포커스링(5)을설치한다. 또한, 상기배치대(3)의상면과상기포커스링(5)의하면사이에, 포커스링(5)을따라링형의절연부재(6)를설치하고, 이절연부재(6)에대하여웨이퍼(W)의직경방향으로인접하는위치에있어서, 상기배치대(3)의상면과상기포커스링(5)의하면사이에, 이들상면및 하면에밀착되도록전열부재(7)를설치한다. 플라즈마처리시에, 포커스링(5)의열은전열부재(7)를통해배치대(3)에전달되기때문에, 포커스링(5)이냉각되고, 웨이퍼(W)의이면에의퇴적물의부착량을저감할수 있다.
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公开(公告)号：KR101889726B1
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020120031448
申请日：2012-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: G01K11/14 , G01K5/48 , H01L21/67248
Abstract: (과제) 마모등에의해표면과이면(裏面)의평행이무너지더라도, 저(低)코히어런스광의간섭을이용한온도측정장치를이용하여정확한온도측정을행할수 있는기판처리장치의처리실내 구성부재를제공한다. (해결수단) 진공분위기에서사용되고그리고온도가측정되는포커스링(25)이, 플라즈마에의한소모분위기에노출되는소모면(25a)과, 소모분위기에노출되지않는비(非)소모면(25b)과, 서로평행한상면(25Ta) 및하면(25Tb)을구비한박육부(薄肉部)(25T)와, 박육부(25T)의상면(25Ta)을피복하는피복부재(25d)를갖고, 박육부(25T)의상면(25Ta)과하면(25Tb)에는, 각각경면(鏡面) 가공이시행되어있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101802022B1
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020140158044
申请日：2014-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651
Abstract: 고주파전원에접속되는주 안테나와, 당해주 안테나에대해전기적으로절연된 (플로팅상태의) 보조안테나를배치한다. 또한, 주안테나및 보조안테나를평면에서보았을때의각각의투영영역에대해, 서로겹치지않도록한다. 구체적으로는, 주안테나에대해, 보조안테나를회전테이블의회전방향하류측에배치한다. 그리고, 주안테나를통류하는유도전류를통해보조안테나에전자계를발생시킴과함께, 보조안테나를공진시켜, 주안테나의하방측의영역뿐만아니라, 보조안테나의하방측의영역에있어서도유도플라즈마를발생시킨다.
Abstract translation: 连接到高频电源的主天线和与主天线电绝缘的辅助天线（处于浮动状态）。 而且，当从平面看时，主天线和辅助天线在各个投影区域中彼此不重叠。 具体而言，对于主天线，辅助天线设置在旋转台的旋转方向的下游侧。 通过穿过主天线的感应电流在辅助天线中产生电磁场，并且使辅助天线谐振以不仅在主天线的下侧的区域中而且在辅助天线的下侧的区域中产生感应等离子体 从而。
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公开(公告)号：KR101794380B1
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020130068486
申请日：2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 본발명은각 처리가스노즐에대해회전테이블의회전방향으로이격시켜플라즈마처리부를설치하는동시에, 회전테이블을통해플라즈마처리부를면하는위치에, 당해회전테이블에접촉하지않도록바이어스전극부를설치하는것이다. 그리고, 이바이어스전극부에대해, 바이어스전압인가부로부터바이어스전압을인가함으로써, 회전테이블상의웨이퍼(W)에대해비접촉으로바이어스전압을인가한다.
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公开(公告)号：KR1020150056061A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020140158044
申请日：2014-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651 , H05H1/46 , H01J37/32715 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 고주파전원에접속되는주 안테나와, 당해주 안테나에대해전기적으로절연된 (플로팅상태의) 보조안테나를배치한다. 또한, 주안테나및 보조안테나를평면에서보았을때의각각의투영영역에대해, 서로겹치지않도록한다. 구체적으로는, 주안테나에대해, 보조안테나를회전테이블의회전방향하류측에배치한다. 그리고, 주안테나를통류하는유도전류를통해보조안테나에전자계를발생시킴과함께, 보조안테나를공진시켜, 주안테나의하방측의영역뿐만아니라, 보조안테나의하방측의영역에있어서도유도플라즈마를발생시킨다.
Abstract translation: 配置有与高频电源连接的主天线以及与主天线电绝缘（处于浮动状态）的辅助天线。 此外，当在平面处观察主天线和辅助天线时，每个投影区域被调整为不重叠。 更具体地，主天线设置在旋转台的旋转方向的下游侧。 然后，通过在主天线中流动的感应电流在辅助天线中产生电磁场，并且辅助天线被谐振以不仅在主天线的下部的区域中而且在主天线的区域中产生感应等离子体 辅助天线的下半部分。
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公开(公告)号：KR101453123B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020100024310
申请日：2010-03-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 본 발명은 처리실 용기(챔버)로부터 배출되는 배출 가스에 포함되는 대전한 파티클이 배기유로의 내벽면에 부착되는 것에 의한 배기유로의 막힘을 방지할 수 있는 배기 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(50)와, 챔버(50)의 용기내 가스를 배기하는 배기유로(51)와, 배기유로(51)에 가스 유통 방향을 따라서 순차적으로 마련된 드라이 펌프(52) 및 배기가스 중의 유해 성분을 포집하는 제해 장치(53)를 갖는 기판 처리 장치의 챔버(50)의 용기내 가스를 배기하는 배기 방법에 있어서, 배기유로(51)를 흐르는 배기가스에, 드라이 펌프(52)의 상류측의 배기유로(51)에 접속된 이온화가스 공급관(55)으로부터 이온화가스를 공급해서 배기가스에 포함되는 대전한 파티클을 제전하고, 배기가스와 함께 계외로 배출한다.
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公开(公告)号：KR1020110046352A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105149
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the uniformity of the plasma density by preventing the existence of a specific point. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus comprises: a processing chamber(10); a substrate supporting unit(14), provided in the processing chamber, for mounting a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the processing chamber to perform a plasma process on the target substrate; an RF antenna, provided outside the dielectric window, for generating a plasma from the processing gas by an inductive coupling in the processing chamber; and an RF power supply unit for supplying an RF power to the RF antenna.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过防止特定点的存在来提高等离子体密度的均匀性。 构成：等离子体处理装置包括：处理室（10）; 设置在处理室中的用于安装目标基板的基板支撑单元（14）; 处理气体供应单元，用于向处理室供应处理气体以对目标基板执行等离子体处理; 设置在电介质窗外部的RF天线，用于通过处理室中的感应耦合从处理气体产生等离子体; 以及用于向RF天线提供RF功率的RF电源单元。
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