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公开(公告)号：KR101925972B1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：KR1020160083250
申请日：2016-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 배치대에 고파워의 고주파 전력을 인가하는 경우에, 배기부에 대하여 플라즈마가 침입하는 것 및 배플판의 상방에서 방전이 불안정해지는 것을 효과적으로 방지한다. 처리실(4) 내에서 배치대(23)의 배치면에 배치된 기판(G)에 대하여, 배치대(23)에 고주파 바이어스를 인가하면서 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치는, 배기구(30) 부분에 마련된 제 1 개구 배플판(34) 및 제 2 개구 배플판(35)을 가지고, 제 1 개구 배플판(34)은 배기 경로 하류측, 제 2 개구 배플판(35)은 배기 경로의 상류측에 마련되고, 제 1 개구 배플판(34)은 접지되고, 제 2 개구 배플판(35)은 전기적으로 플로팅 상태이며, 제 1 및 제 2 개구 배플판(34, 35)은 이들 사이에 안정 방전이 생성 가능한 간격으로 마련되어 있다.
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公开(公告)号：KR101872076B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020150154315
申请日：2015-11-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32183
Abstract: (과제) 피처리기판에대하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서, 플라즈마밀도의면 내분포를조정할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 처리용기(1) 내의탑재대(21)상에탑재된피처리기판 W에대하여, 처리가스를플라즈마화하여처리를행하는플라즈마처리장치는, 유도결합에의해처리가스를플라즈마화하는플라즈마발생부를구비한다. 플라즈마발생부의제 1 고주파안테나(541)는, 양단에개방단을갖고, 고주파의주파수에대응하는공진주파수를갖는소용돌이코일로이루어지고, 그중앙부에고주파의공급점과, 콘덴서(64)를통해서접지되는접지점을구비한다. 제 2 고주파안테나(542)는, 소용돌이코일로이루어지고, 제 1 고주파안테나(541)를구성하는고주파안테나소자(541a, 541b)의사이에배치된다. 임피던스조정부(62~65)는, 양고주파안테나소자(541a, 541b)에서로상이한공진주파수를갖게한다.
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公开(公告)号：KR101715249B1
公开(公告)日：2017-03-10
申请号：KR1020110016746
申请日：2011-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , F27B17/00 , F27D11/12 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D11/12
Abstract: 간단하고쉬운구성으로효율적으로처리챔버내파트를가열할수 있는반도체제조장치의처리챔버내파트의가열방법및 반도체제조장치를제공한다. 처리챔버내에기판을수용하고, 기판에소정의처리를실시하는반도체제조장치의처리챔버내에설치된처리챔버내파트를가열하는반도체제조장치의처리챔버내파트의가열방법으로서, 제 1 처리챔버내파트를투과하고, 제 1 처리챔버내파트와는상이한재료로이루어지는제 2 처리챔버내파트에흡수되는파장역의가열용의광을발생시키는가열용광원을처리챔버의외측에배치하고, 가열용의광을제 1 처리챔버내파트를투과시켜제 2 처리챔버내파트에조사하고제 2 처리챔버내파트를가열한다.
Abstract translation: 提供了一种用于加热在处理室中具有基板的半导体制造装置的处理室内的部件并在基板上进行处理的方法。 该加热方法包括产生由设置在处理室外部的加热光源产生的加热灯，并且具有能够通过处理室中的第一部分并被吸收到处理室中的第二部分中的波长带 与第一部分不同的材料，并且通过使加热灯通过处理室中的第一部分并且将加热灯照射到处理室中的第二部分来加热处理室中的第二部分。
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公开(公告)号：KR1020110098661A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020110016746
申请日：2011-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , F27B17/00 , F27D11/12 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D11/12 , H01L21/02 , H01L21/02266 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H05H1/46
Abstract: 간단하고 쉬운 구성으로 효율적으로 처리 챔버내 파트를 가열할 수 있는 반도체 제조 장치의 처리 챔버내 파트의 가열 방법 및 반도체 제조 장치를 제공한다. 처리 챔버 내에 기판을 수용하고, 기판에 소정의 처리를 실시하는 반도체 제조 장치의 처리 챔버 내에 설치된 처리 챔버내 파트를 가열하는 반도체 제조 장치의 처리 챔버내 파트의 가열 방법으로서, 제 1 처리 챔버내 파트를 투과하고, 제 1 처리 챔버내 파트와는 상이한 재료로 이루어지는 제 2 처리 챔버내 파트에 흡수되는 파장역의 가열용의 광을 발생시키는 가열용 광원을 처리 챔버의 외측에 배치하고, 가열용의 광을 제 1 처리 챔버내 파트를 투과시켜 제 2 처리 챔버내 파트에 조사하고 제 2 처리 챔버내 파트를 가열한다.
Abstract translation: 提供了一种用于加热在处理室中具有基板的半导体制造装置的处理室内的部件并在基板上进行处理的方法。 该加热方法包括产生由设置在处理室外部的加热光源产生的加热灯，并且具有能够通过处理室中的第一部分并被吸收到处理室中的第二部分中的波长带 与第一部分不同的材料，并且通过使加热灯通过处理室中的第一部分并且将加热灯照射到处理室中的第二部分来加热处理室中的第二部分。
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公开(公告)号：KR1020080107996A
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：KR1020080041757
申请日：2008-05-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: An absorbing method and a storage medium are provided to decrease the time required for the vacuum suction without causing the fault based on the moisture. An absorbing method of the vacuum processing device including vacuum process room includes the following steps: the first pressure adjustment step which is the sub atmospheric pressure and maintains the pressure within the vacuum process room over 6.7Î102 Pa (5Torr) in the vacuum suction; the second pressure adjustment step which boosts up the pressure in the vacuum process room higher than the pressure of the first pressure adjustment step and lower than the pressure of the sub atmospheric pressure, following the first pressure adjustment step.
Abstract translation: 提供一种吸收方法和存储介质，以减少真空抽吸所需的时间，而不会导致基于湿气的故障。 包括真空处理室的真空处理装置的吸收方法包括以下步骤：作为次大气压的第一压力调节步骤，并且在真空处理室内保持在真空吸附过程中的最大吸力为6.7〜102Pa（5Torr）的压力; 所述第二压力调节步骤在所述第一压力调节步骤之后，将所述真空处理室中的压力升高到高于所述第一压力调节步骤的压力并且低于所述次大气压的压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101989324B1
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：KR1020180166229
申请日：2018-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683
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公开(公告)号：KR101974691B1
公开(公告)日：2019-05-02
申请号：KR1020150154648
申请日：2015-11-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
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公开(公告)号：KR1020170137015A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020170160011
申请日：2017-11-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32651 , H01J2237/334
Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括具有第一和第二天线元件的高频天线。 第一天线元件的一端接地，另一端连接到高频电源。 另一端连接第一天线单元的一端和另一端，第二天线单元的线路长度为（（π/ 4）+nπ/ 2） λ是真空中高频波的波长，n是自然数）乘以收缩因子。 当从高频电源观看高频天线侧时，该电路被配置为使得当通过调节阻抗调节单元改变高频电力的频率时出现两个谐振频率。
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公开(公告)号：KR101804341B1
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020150154193
申请日：2015-11-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32651 , H01J2237/334
Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.
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公开(公告)号：KR1020170004888A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020160083250
申请日：2016-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 배치대에고파워의고주파전력을인가하는경우에, 배기부에대하여플라즈마가침입하는것 및배플판의상방에서방전이불안정해지는것을효과적으로방지한다. 처리실(4) 내에서배치대(23)의배치면에배치된기판(G)에대하여, 배치대(23)에고주파바이어스를인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치는, 배기구(30) 부분에마련된제 1 개구배플판(34) 및제 2 개구배플판(35)을가지고, 제 1 개구배플판(34)은배기경로하류측, 제 2 개구배플판(35)은배기경로의상류측에마련되고, 제 1 개구배플판(34)은접지되고, 제 2 개구배플판(35)은전기적으로플로팅상태이며, 제 1 및제 2 개구배플판(34, 35)은이들사이에안정방전이생성가능한간격으로마련되어있다.
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