公开(公告)号：KR100387407B1

公开(公告)日：2003-10-04

申请号：KR1019970039183

申请日：1997-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: A developing method comprising the steps of (a) keeping a wafer substantially horizontally such that a resist-coated surface is placed at a top portion, (b) starting a rotation of the wafer at a first speed N1, starting discharging developer from a nozzle at a position where the wafer is prevented from being applied thereon during the rotation of the wafer, and starting scan-moving the nozzle along the wafer as discharging developer, (c) starting a first deceleration for decelerating the rotation of the wafer while the nozzle is scan-moving, (d) stopping the scan-movement of the nozzle above a central area of the wafer when the rotation of the wafer reaches a second speed N2, (e) ending the first deceleration when the rotation of the wafer reaches a third speed N3, and (f) starting a second deceleration for decelerating the rotation of the wafer from the third speed N3 to a fourth speed N4 after rotating the wafer at the third speed N3, ending the second deceleration when the rotation of the wafer reaches at the fourth speed N4, and supplying developer onto the wafer while the wafer is being rotated at the fourth speed N4 such that a liquid film of developer having a uniform thickness is formed on the wafer to develop the resist coated on the wafer.

Abstract translation: 一种显影方法，包括以下步骤：（a）保持晶片基本上水平，使得抗蚀剂涂覆表面置于顶部，（b）以第一速度N1开始晶片的旋转，开始从喷嘴排出显影剂 在晶片旋转期间防止晶片被施加在其上的位置处，并开始沿着晶片扫描移动作为排出的显影剂的喷嘴;（c）开始第一减速以用于减速晶片的旋转，而喷嘴 （d）当晶片的旋转达到第二速度N2时，停止喷嘴的扫描移动到晶片的中央区域上方，（e）当晶片的旋转到达第二速度N2时结束第一减速 （f）在以第三速度N3旋转晶片之后，开始第二减速以用于使晶片的旋转从第三速度N3减速至第四速度N4，当旋转时晶圆以第三速度N3旋转时结束第二减速 当晶片以第四速度N4旋转时，晶片的显影剂供应到晶片上，从而在晶片上形成具有均匀厚度的显影剂的液膜，以显影涂覆在晶片上的抗蚀剂 晶圆。

公开(公告)号：KR101387862B1

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：KR1020090009667

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  조사카메구미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 기판상에 소정의 목표 치수의 레지스트 패턴을 형성하는 것을 과제로 한다.
본 발명은, POST 장치의 초기 온도와 레지스트 패턴의 목표 치수를 설정한다 (스텝 S1). 복수의 검사용 웨이퍼에 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴의 치수를 측정한다(스텝 S2∼S4). 치수 측정 결과에 기초하여, POST 장치의 가열 온도와 레지스트 패턴의 치수의 상관을 산출한다(스텝 S5). 레지스트 패턴의 목표 치수에 기초하여, 산출된 상관으로부터, POST 장치의 설정 온도를 산출한다(스텝 S6). 각 POST 장치의 설정 온도를 보정한다(스텝 S7∼S9). 보정된 설정 온도로 가열 처리를 행하여, 웨이퍼상에 목표 치수의 레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S10).

公开(公告)号：KR1020090103705A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090009667

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에 ,  조사카메구미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/324

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70875 ,  H01L21/67098

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method is provided to automatically calculate a set temperature of a heating process and correlation of a dimension of a resist pattern. CONSTITUTION: An initial temperature of a heating process and a target dimension of a resist pattern on a substrate after the heating process are set(S1). A heating process temperature, correlation of a dimension of the resist pattern, and a set temperature of the heating process are automatically calculated(S6). The resist pattern is formed on the substrate(S10). The resist pattern is controlled into the target dimension by heating the substrate at the set temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法，用于自动计算加热过程的设定温度和抗蚀剂图案的尺寸的相关性。 构成：设定加热工序的初始温度和加热工序后的基板上的抗蚀剂图案的目标尺寸（S1）。 自动计算加热处理温度，抗蚀剂图案的尺寸与加热处理的设定温度的关系（S6）。 在基板上形成抗蚀剂图案（S10）。 通过在设定温度下加热衬底将抗蚀剂图案控制到目标尺寸。

公开(公告)号：KR1020080037587A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020070108003

申请日：2007-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠우사카메구미 ,  시노즈카신이치 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/324

CPC classification number: G05D23/1931 ,  H01L21/67248

Abstract: A temperature setting method for a heat treating plate, a computer-readable recording medium for recording program, and a temperature setting device for the heat treating plate are provided to accurately estimate a process status of a substrate after temperature setting is changed. A treatment status in a substrate surface is measured with respect to a substrate on which a series of substrate processes including a thermal treatment are performed, and then improvement-possible tendency and improvement-impossible tendency in the substrate surface are calculated by changing a temperature compensation value of each region on a heat treating plate from tendency in the substrate surface of the measured treatment status(S2). An average residual tendency is added to the calculated improvement-impossible tendency in the substrate surface to estimate tendency in the substrate surface after changing the temperature compensation value(S3). The average residual tendency is calculated by a process for calculating the improvement-possible tendency in the substrate surface due to the changing of the temperature compensation value of each region of the heat treating plate, a process for computing a temperature compensation value of each region of the heat treating plate whose improvement-possible tendency approaches to zero based on the calculated improvement-possible tendency and a calculated computing model(S4), a process for changing a setting temperature of each region on the heat treating plate at the calculated temperature compensation value(S5), a process for calculating a residual tendency of the improvement-possible tendency in the substrate surface after changing the setting temperature(S6), and a process for repeating the residual tendency calculation to average the residual tendencies(S7).

Abstract translation: 提供一种用于热处理板的温度设定方法，用于记录程序的计算机可读记录介质和用于热处理板的温度设定装置，以精确地估计温度设定改变后的基板的处理状态。 相对于其上进行包括热处理的一系列基板处理的基板测量基板表面中的处理状态，然后通过改变温度补偿来计算基板表面中的改善可能的倾向和改善不可能的趋势 从处于测定的处理状态的基板表面的趋势来看，热处理板上的各区域的值（S2）。 在改变温度补偿值之后，在基板表面中计算出的改善不可能趋势的平均残余倾向被添加到基板表面的倾向（S3）。 通过用于计算由于热处理板的每个区域的温度补偿值的改变而导致的基板表面的改善可能趋势的处理，计算每个区域的温度补偿值的处理来计算平均残留倾向 基于所计算的改进可能趋势，改进可能趋势接近零的热处理板和计算出的计算模型（S4），在所计算的温度补偿值下改变热处理板上各区域的设定温度的处理 （S5），改变设定温度后的基板表面的改善倾向的残余倾向的计算处理（S6），以及重复余量趋势计算以平均残留倾向的处理（S7）。

公开(公告)号：KR100645166B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020010012839

申请日：2001-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  우에무라료이치 ,  다테야마마사노리 ,  나카지마요시유키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/162

Abstract: 바탕막이 형성된 웨이퍼상에 레지스트막을 형성하고, 해당 레지스트막에 대하여 노광처리 및 현상처리를 실시함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성하는 기판 처리방법에 있어서, 레지스트막의 형성전에 바탕막에 대하여 노광 처리시에 조사하는 노광광과 동일한 파장의 빛을 조사하여 그 반사광을 해석하는 바탕막 반사광 해석공정과, 이 반사광의 해석에 의거하여 레지스트막 형성조건, 노광처리 조건 중에서 적어도 하나를 제어하는 처리조건 제어공정을 구비한다. 이에 따라 레지스트 패턴의 고정밀도의 선폭 제어가 가능해진다.

Abstract translation: 膜在薄膜上形成抗蚀剂所形成的晶片，在通过进行曝光处理，并在抗蚀剂膜上的显影处理形成所需抗蚀剂图案的基板处理方法，在抗蚀剂膜形成之前在曝光处理时检查的基础膜 照射相同波长的具有控制的抗蚀剂膜形成条件中的至少一个，所述基础膜的基础上的曝光处理条件的处理条件控制步骤中的曝光光的光的反射光的分析过程，用于分析所述反射光，反射光的分析 。 由此，可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。

公开(公告)号：KR1020020035439A

公开(公告)日：2002-05-11

申请号：KR1020010067417

申请日：2001-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미타히로시 ,  오가타구니에 ,  사카구치기미나리 ,  이와시타야스하루 ,  우에무라료이치 ,  나카쓰루마사히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: To reduce labor necessary for setting or for re-setting or correcting the number of rotation of a substrate and improve throughput by automating the above works, when coating film is formed by using spin coating method. CONSTITUTION: In a coating unit, a plurality of recipes for a production line and recipes for measuring film thickness where the kind of coating liquid is identical but target film thickness is different are prepared. Among the recipes, recipes with the kind of coating liquid and the target film thickness corresponding to each other are linked by a common spin curve. A recipe for measuring film thickness is performed, and a correction value of the number of rotation is calculated for each film thickness measuring datum. Setting values for the number of rotation of the respective recipes can be corrected collectively, by using the correction value.

Abstract translation: 目的：通过使用旋涂法形成涂膜，减少设定或重新设定或校正基板旋转数量所需的劳动力，并通过自动化以上工作提高生产率。 构成：在涂布单元中，制备多个用于生产线的配方和用于测量涂层液体的种类相同但靶膜厚度不同的膜厚度的配方。 在配方中，具有涂布液的种类和彼此对应的目标膜厚度的配方通过共同的自旋曲线连接。 执行用于测量膜厚度的配方，并且对于每个膜厚测量基准计算旋转次数的校正值。 可以通过使用校正值来集中地校正各配方的旋转次数的设定值。

公开(公告)号：KR1020010051371A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000064535

申请日：2000-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A heating treatment apparatus is provided to prevent the generation of an irregularity in the line widths of a pattern consisting of a coating film on a substrate. CONSTITUTION: A sensor part(64) for measuring the thickness of a resist film on the surface of a wafer(W) is movably provided in a post exposure baking device(44) and the measurement is measured during a heating treatment on the wafer(W). The set temperature of a heater(62) which is built in a heating plate(61) is adjusted from the correlation between the previously found step and the final line width of a pattern consisting of a coating film on the substrate after continuous treatments on the substrate so that the step is confined within the prescribed extent.

Abstract translation: 目的：提供一种加热处理装置，以防止由基板上的涂膜构成的图案的线宽度的不规则性产生。 构成：用于测量晶片（W）表面上的抗蚀剂膜的厚度的传感器部分（64）可移动地设置在后曝光烘烤装置（44）中，并且在对晶片进行加热处理期间测量 W）。 内置在加热板（61）中的加热器（62）的设定温度根据在先前发现的步骤与由连续处理后的基板上的涂膜组成的图案的最终线宽度之间的相关性进行调整 底物，使步骤限制在规定的范围内。

公开(公告)号：KR1019980018735A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019970039183

申请日：1997-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼와 같은 기판을 스핀 회전시키면서 현상액을 비산시켜 포토 레지스트를 현상하는 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
현상액의 소비량을 저감시킬 수 있으며, 현상처리 시간을 단축시킬 수 있는 현상처리 방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
기판에 도포된 포토 레지스트를 현상액으로 현상하는 연상처리방법은, (a) 레지스트 도포면이 위로 되도록 기판을 실질적으로 수평으로 유지하고, (b) 제 1 회전속도(N1)로 기판의 회전을 개시하고, 기판의 회전중에, 현상액이 기판에 묻지 않도록 떨어진 위치에서 노즐로부터 현상액의 토출을 개시하며, 그대로 현상액의 토출을 계속하면서 노즐을 기판을 따라 이동시키는 스캔 이동을 개시하고, (c) 이 노즐의 스캔 이동 중에 기판의 회전을 감속시키는 제1감속을 개시하며, (d) 이 제1감속 중에서, 기판의 회전속도가 제2회전속도(N2)에 도달할 때에, 노즐을 기판의 중앙영역의 바로 위에서 정지시키고, (e) 기판의 회전속도가 제3회전속도(N3)에 도달하였을 때 제1감속을 종료하고, (f) 제3회전속도(N3)로 기판을 회전시킨 후에, 또 기판의 회전을 제3회전속도(N3)� �서 제4회전속도(N4)까지 감속시키는 제2감속을 개시하고, 기판의 회전속도가 제4회전속도(N4)에 도달하였을 때 제2감속을 종료하며, 제4회전속도(N4)로 기판을 회전시키면서 현상액을 기판상에 연속적으로 공급함으로써 기판상에 실질적으로 일정한 두께의 현상액의 액막을 형성하여, 이것에 의해 기판에 도포된 레지스트를 현상한다.
4. 발명의 중요한 용도
기판에 현상액을 비산시켜 포토 레지스트를 현상하는 데 이용한다.

公开(公告)号：KR101980508B1

公开(公告)日：2019-05-20

申请号：KR1020187026627

申请日：2011-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로이와게이조오 ,  오가타구니에 ,  마츠오카노부아키 ,  다사키노부유키 ,  미야타아키라

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G03F7/30 ,  G03F7/26

公开(公告)号：KR101433391B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020090015302

申请日：2009-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  오가타구니에

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 기판의 초기조건으로서 기판상의 피처리막의 막 두께, 피처리막의 굴절률, 피처리막의 흡수 계수, 또는 기판의 휨량의 어느 하나를 측정하는 제 1 공정과, 상기 초기조건의 측정결과에 기초하여, 미리 구해진 초기조건과 피처리막의 패턴 치수와의 제 1 관계로부터, 소정의 처리 후의 피처리막의 패턴 치수를 추정하는 제 2 공정과, 패턴 치수의 추정결과에 기초하여, 미리 구해진 소정의 처리에 있어서의 처리조건과 피처리막의 패턴 치수와의 제 2 관계로부터, 소정의 처리에 있어서의 처리조건의 보정치를 구하는 제 3 공정과, 보정치에 기초하여, 소정의 처리에 있어서의 처리조건을 보정하는 제 4 공정과, 보정된 처리조건으로 기판에 소정의 처리를 행하여, 기판상의 피처리막에 소정의 패턴을 형성하는 제 5 공정을 갖는다.