플라즈마 처리 장치
    12.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020110058699A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:KR1020100117013

    申请日:2010-11-23

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus for improving reproducibility and reliability is provided to enhance a hight frequency cutoff function by controlling a parallel resonance frequency arbitrarily. CONSTITUTION: A filter(102(1)) accepts coaxially a coil(104(1)) within a cylindrical outer conductor(110). A ring member(122) is installed between the coil and the outer conductor coaxially. The ring member comprises a plate extended as an annular shape on a plane in perpendicular to the axial direction of the outer conductor. The ring member is made of copper, aluminum etc. The ring member is electrically connected to the outer conductor. The ring member is electrically insulated from the coil.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于提高再现性和可靠性的等离子体处理装置,以通过任意地控制并联谐振频率来增强高频截止功能。 构成:过滤器(102(1))同轴地接收圆柱形外部导体(110)内的线圈(104(1))。 环形构件(122)同轴地安装在线圈和外导体之间。 环构件包括在垂直于外导体的轴向方向的平面上延伸为环形的板。 环构件由铜,铝等制成。环构件电连接到外导体。 环形构件与线圈电绝缘。

    플라즈마 처리 장치
    13.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子处理设备

    公开(公告)号:KR1020090050007A

    公开(公告)日:2009-05-19

    申请号:KR1020080112882

    申请日:2008-11-13

    CPC classification number: H05H1/46 H01J37/32091 H01J37/32174 H01J37/32724

    Abstract: 본 발명은 원하지 않는 고주파의 노이즈를 감쇠시키기 위한 필터회로내의 RF 전력손실량 및 그 기기 차(장치간의 편차)를 가능한 적게 하고, 프로세스 성능의 재현성·신뢰성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 이 플라즈마 에칭 장치에서는 제 1 및 제 2 급전 라인상에 마련되는 2계통의 제 1 단 공심코일 단체 A(1), A(2)끼리가 보빈(114A)에 동심 형상으로 장착되어 있다. 즉, 양 공심코일 단체 A(1), A(2)를 각각 구성하는 코일도선이 공통의 보빈(114A)의 외주면을 따라 보빈 축방향으로 중첩되어 병진하면서 동일한 권선길이로 나선형상으로 감겨져 있다. 마찬가지로, 제 2 단 공심코일 단체 B(1), B(2)끼리도 각각의 코일도선이 공통의 보빈(114B)의 외주면을 따라 보빈 축방향으로 중첩되어 병진하면서 동일한 권선길이로 나선형상으로 감겨져 있다.

    Abstract translation: 并且其目的在于,提高了可靠性,本发明是尽可能少的RF功率的损失,并在滤波电路的差装置(该装置的偏差)来衰减不希望的高频噪声,并且处理性能&middot的再现性。 该等离子体蚀刻装置被安装在一个第一和一个第一同心形状的空芯线圈端组A(1),A(2)的骨架(114A)彼此在于,设置在第二馈送线的第二系统。 也就是说,它被卷绕在空芯线圈基团的量A(1),螺旋形地在相同的缠绕长度和重叠与筒管沿着线圈引线的外周表面轴向平移是构成A(2),分别共同骨架(114A)。 类似地,第二只空芯线圈组B(1),B(2)kkirido螺旋状在相同的缠绕长度缠绕和翻译是沿各线圈引线的筒管轴线方向的外周面重叠是一种常见的骨架(114B) 。

    플라즈마 처리 장치
    15.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR101687566B1

    公开(公告)日:2016-12-19

    申请号:KR1020100117013

    申请日:2010-11-23

    CPC classification number: H01J37/32174 H01J37/32091 H01J37/32522 H05H1/46

    Abstract: 처리용기내의고주파전극그 외의전기적부재로부터급전라인또는신호선등의선로상에들어오는고주파노이즈에대하여병렬공진주파수를임의로조정할수 있도록하여, 상이한주파수의고주파노이즈를모두효율적으로안정되고확실하게차단한다. 필터(102(1))는, 통형상의외도체(110) 내에코일(104(1))을동축에수용하고, 코일(104(1))과외도체(110) 간에링 부재(122)를동축에설치한다. 링부재(122)는, 바람직하게는외도체(110)의축방향과직교하는평면상에원환형상으로연장되는판체로서구성되고, 바람직하게는구리, 알루미늄등의도체로이루어지고, 외도체(110)에전기적으로접속되고코일(104(1))과는전기적으로절연되어있다.

    Abstract translation: 可以调节并联谐振频率,以便稳定且可靠地阻止流入来自包括处理室内的高频电极的电气部件的馈电线或信号线的线路的不同高频噪声。 过滤器102(1)在圆柱形外部导体110内同轴地容纳线圈104(1),并且环形构件122同轴地安装在线圈104(1)和外部导体110之间。环形构件122可以是 在与外导体110的轴向正交的平面上并且由诸如铜或铝的导体制成并且与外导体110电连接并且与线圈104(1)电绝缘的平板体。

    플라즈마 처리 장치
    16.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020150106366A

    公开(公告)日:2015-09-21

    申请号:KR1020150033098

    申请日:2015-03-10

    Abstract: 처리 용기 내의 고주파 전극 이외의 전기적 부재로부터 급전 라인 또는 신호선 등의 선로 상으로 들어오는 고주파의 노이즈를 분포 정수 선로의 다중 병렬 공진 특성을 이용하여 차단하는 경우에, 고주파 노이즈에 대한 임피던스 기능 또는 내전압 특성을 저하시키지 않고, 공진 주파수를 임의로 시프트하여 조정 또는 최적화하는 것이다. 이 필터 유닛에서는, 양 공심 코일(104(1), 104(2)) 각 권선 갭에 빗살 부재(114)의 빗살(M)이 삽입되어 있다. 예를 들면, 코일 중앙부의 유효 구간(A) 내에는 표준의 두께(ms)보다 작은 두께(m-)를 가지는 제 1 빗살(M-)이 주로 배치되고, 그 양측 내지 양 단부의 비유효 구간(B) 내에는 표준의 두께(ms)와 동일하거나 또는 그보다 큰 두께(m+)를 가지는 제 2 빗살(M+)이 배치된다.

    Abstract translation: 当通过使用分布式的多个并联谐振特性阻止来自处理室内的高频电极之外的电气部件到诸如馈线或信号线等的线路的高频噪声, 恒定线路,通过任意地移动谐振频率来调节或优化谐振频率,而不降低相对于高频噪声的电阻电阻特性或阻抗函数。 在过滤器单元中,将梳齿构件(114)的组合件(M)插入每个空心线圈(104(1),104(2))的每个绕组间隙中。 例如,厚度(m-)小于标准厚度(ms)的第一组合(M-)主要设置在线圈中心的有效部分(A)的内部,并且具有第二组合(M +),其具有 大于或等于标准厚度(ms)的厚度(m +)设置在两端的无效部分(B)的两侧。

    플라즈마 처리 장치, 급전 유닛, 및 탑재대 시스템
    18.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치, 급전 유닛, 및 탑재대 시스템 审中-实审
    等离子体加工设备,电源单元和安装台系统

    公开(公告)号:KR1020150046734A

    公开(公告)日:2015-04-30

    申请号:KR1020140140615

    申请日:2014-10-17

    Abstract: 마이크로파에의해처리가스를여기시키는플라즈마처리장치가제공된다. 이플라즈마처리장치에서는, 탑재대의정전척 내에히터가마련되어있다. 히터는필터유닛및 봉형상의급전체를거쳐서히터전원에접속되어있다. 급전체는절연체로구성된통 형상부의내공에통과되고있다. 또한, 통형상부를거쳐서전파하는마이크로파를억제하는초크부가급전체와통 형상부의사이에마련되어있다. 초크부는도전성을갖고, 제 1 부분및 제 2 부분을포함하고있다. 제 1 부분은급전체로부터그 급전체의긴 방향에교차하는방향으로연장되고있다. 제 2 부분은통 형상을갖고있고, 통형상부와급전체의사이에있어서제 1 부분의주연으로부터연장되고있다.

    Abstract translation: 提供了一种通过微波激发处理气体的等离子体处理装置。 等离子体处理装置包括:安装台的静电卡盘中的加热器。 加热器通过棒状的供电体和过滤器单元连接到加热器电源。 供电体通过由绝缘体制成的管形成部分的内孔。 而且,在电源主体和管形成部之间准备防止由管形成部传播的微波的扼流部。 扼流部件具有导电性并且包括第一部分和第二部分。 第一部分从电源部分延伸到与电源部分长方向有关的方向。 第二部分具有管状并且在第一部分的周边部分在管形成部分和电源部分之间延伸。

    플라즈마 처리 장치
    19.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020140050560A

    公开(公告)日:2014-04-29

    申请号:KR1020130124177

    申请日:2013-10-17

    Abstract: By providing a filter unit on a heater power feed line that electrically connects a heating element in a mounting table disposed in a processing vessel and a heater power supply disposed outside the processing vessel, influence on an electron density distribution on the mounting table or in-plane uniformity of process characteristics can be minimized. In a plasma processing apparatus, a heating element (50) provided in a susceptor (12) is electrically connected to a heater power supply (58(IN)) disposed outside a chamber (10) via an internal conductor (51) provided through the susceptor (12), a power feed conductor (52) provided across a space (SP), a filter unit (54) and an electric cable (56). A casing (110) of the filter unit (54) is vertically fastened, from a bottom of the chamber (10), to an opening (114) formed in a bottom wall (base) (10a) of the chamber (10) to be adjacent to a cylindrical conductive cover (42) that surrounds a power feed rod (40). The casing (110) is physically or electrically coupled to the bottom wall (10a) of the chamber (10).

    Abstract translation: 通过在设置在处理容器中的安装台中的加热元件与设置在处理容器外部的加热器电源之间电连接的加热器供电线上设置过滤器单元,对安装台上的电子密度分布的影响, 工艺特性的平面均匀性可以最小化。 在等离子体处理装置中,设置在基座(12)中的加热元件(50)通过内部导体(51)电连接到设置在室(10)外部的加热器电源(58(IN)) 基座(12),跨越空间(SP)设置的馈电导体(52),滤波器单元(54)和电缆(56)。 过滤器单元(54)的壳体(110)从腔室(10)的底部垂直地紧固到形成在腔室(10)的底壁(底座)(10a)中的开口(114)到 邻近于围绕供电杆(40)的圆柱形导电盖(42)。 壳体(110)物理或电耦合到腔室(10)的底壁(10a)。

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