公开(公告)号：KR1019940016548A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019930030041

申请日：1993-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 요코미조겐지 ,  다시마지하야 ,  무카이에이이치 ,  혼다요시유키 ,  하라무라나오히코 ,  무라카미신야 ,  쵸노야스히로

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판 세정 장치는, 여러개의 기판을 세정하기 위한 세정액이 수용된 처리탱크와, 이 처리탱크내에 여러개의 기판을 서로 평행하게 유지하는 보트와, 처리탱크의 저부에 뚫린 액공급구와, 이 액공급구에 통하게 되어 액공급구를 통하여 처리탱크내에 세정액을 공급하는 액공급 시스템과, 보트에 유지된 여러개의 기판과 상기 액공급구와의 사이에 설치되고, 세정액을 통류시키기 위한 여러개의 구멍을 가지는 정류판을 가진다. 이들 여러개의 구멍은 기판의 배열을 따라서 직렬로 나란한 여러개의 열(列)을 형성하고, 각 열의 구멍은 기판에 대하여 1개 걸러서 위치하며, 또, 그 옆열의 구멍과 위치가 어긋나도록 배열되어 있다.

公开(公告)号：KR1019930020596A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：KR1019930003225

申请日：1993-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 요코미조겐지 ,  다나카오사무 ,  모쿠오쇼오리

IPC: H01L21/304

Abstract: 복수의 웨이퍼를 세정하는 세정장치에 사용되는 처리조이다. 처리조는, 세정액공급원과, 순환펌프와, 필터와, 입구를 바닥부에 가지는 주조와, 복수의 웨이퍼를 주조의 중앙영역에 유지하는 보우트와, 입구와 기판의 사이에 형성된 정류어셈블리를 구비하고 있다. 정류어셈블리는, 상기 입구로부터의 세정액을 수평방향으로 분산시키는 분산판과, 입구로 부터 유입된 세정액을 실질적으로 층류로 하고, 층류화한 세정액을 주조의 중앙영역으로 유도하는 유도유로를 가진다. 유도유로는, 분산판 및 측면판의 상호간극, 또는 분산판의 다수의 구멍에 의하여 형성된다. 이와같은 유도유로에 의하여 웨이퍼의 상호간 공간에 세정액의 대부분을 저극적으로 통하여 흐르게 한다. 또한, 정류어셈블리는, 웨이퍼의 주변 영역에 흐르는 세정액의 양을 억제하기위한 유량억제부를 가진다.

公开(公告)号：KR1020090064430A

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020097006957

申请日：2007-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미조타쇼고 ,  데루오미미나미 ,  요코미조겐지 ,  마사키다이라

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  Y10S134/902

Abstract: A method is provided for reducing the amount of film fragments (66a) discharged into a processing liquid circulation system (73, 73') during removal of films (66) from wafers (W), thereby reducing the frequency of filter (80) cleaning or filter (80) replacement. The method includes exposing a wafer (W) containing a film (66) formed thereon in a process chamber (46) of a substrate processing system (1) to a processing liquid (64), where the wafer (W) is not rotated or is rotated at a first speed (608a, 908a, 1208a) and the processing liquid (64) is discharged from the process chamber (46) to a processing liquid circulation system (73). Subsequently, exposure of the wafer (W) to the processing liquid (64, 64a, 64b) is discontinued and the wafer (W) is rotated at a second speed (608b, 908b, 1208b) greater than the first speed (608a, 908a, 1208a) to centrifugally remove fragments (66a) of the film (66) from the wafer (W). Next, the wafer (W) is exposed to the same or a different processing liquid (64, 64a, 64b) and the processing liquid (64, 64a, 64b) is discharged from the process chamber (46) to a processing liquid drain (78).

Abstract translation: 提供一种用于减少在从晶片（W）移除薄膜（66）期间排出到处理液体循环系统（73,73'）中的薄膜碎片（66a）的量的方法，从而降低过滤器（80）清洁的频率 或过滤器（80）更换。 该方法包括将其上形成的膜（66）的晶片（W）暴露在基板处理系统（1）的处理室（46）中的处理液体（64）中，其中晶片（W）不旋转或 以第一速度（608a，908a，1208a）旋转，并且处理液体（64）从处理室（46）排出到处理液循环系统（73）。 随后，将晶片（W）暴露于处理液（64,64a，64b）中断，晶片（W）以比第一速度（608a，908a）大的第二速度（608b，908b，1208b）旋转 ，1208a）从晶片（W）离心去除膜（66）的碎片（66a）。 接下来，将晶片（W）暴露于相同或不同的处理液（64,64a，64b），处理液（64,64a，64b）从处理室（46）排出到处理液排出口 78）。

公开(公告)号：KR100543363B1

公开(公告)日：2006-01-20

申请号：KR1019990048110

申请日：1999-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코미조겐지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체웨이퍼(W)를 수직상태로 하여 처리액과 세정액에 침지하여 세정처리하는 기판세정처리방법에 있어서, 처리액에서의 처리가 끝난 반도체웨이퍼(W)를 오버플로우하는 순수(L)에 침지할 때, 순수(L)의 액면과 반도체웨이퍼(W)의 하부를 접촉시켜 일단 정지한다. 이에 따라 반도체웨이퍼(W)의 하부에 잔류하는 처리액에 포함되는 파티클을, 오버플로우의 흐름에 따라 확산하고, 제거할 수 있음과 동시에, 다시 침지할 때에 반도체웨이퍼(W) 상에 파티클이 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 제품 생산수율의 향상이 도모된다.

公开(公告)号：KR100357316B1

公开(公告)日：2002-10-19

申请号：KR1020010051301

申请日：2001-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  모쿠오쇼리 ,  요코미조겐지 ,  미나미데루오미

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A substrate drying apparatus is provided to unnecessarily exhaust treatment liquid during a standby time of a dry process such that the treatment liquid is vapor of the treatment liquid coagulated and stored in a container for receiving the water eliminated from an object to be treated. CONSTITUTION: A process bath(14) has the object to be treated. A treatment liquid containing region contains a volatile treatment liquid(16). A heating member evaporates the treatment liquid. A receiving container(10) receives water removed from the object with use of the evaporated treatment liquid, provided below the object containing region. An exhaust pipe(42) exhausts the water from the container to the outside of the process bath, attached to the container. A cooling device condenses the evaporated treatment liquid, provided above the object containing region of the process bath. The exhaust pipe has a valve and a branch pipe branched from the exhaust pipe such that the branch pipe is closer to the container than the valve is.

公开(公告)号：KR100188453B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019920004018

申请日：1992-03-11

Applicant: 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시오카가즈토시 ,  요코미조겐지 ,  아키모토마사미 ,  요시모토유우지

IPC: H01L21/68

Abstract: 다운플로우중에 배치된 피처리체에 처리를 하는 여러 개의 처리부에, 피처리체를 반송 및 실어서 이송하기 위한 장치는, 처리부간을 이동이 자유롭게 설치된 반송부와, 반송부를 이동시키는 제1구동기구와, 반송부에 이동이 자유롭게 설치되고, 처리부내에서 소정의 온도로 온도조정된 피처리체에 대하여 사용되는 제1아암과, 반송부에 이동이 자유롭게 설치되고, 온도조정된 피처리체 이외의 피처리체에 대하여 사용되는 제2아암과, 제1 및 제2아암을 각각 이동시키기 위한 제2구동기구를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1019960030342A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019960000944

申请日：1996-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  요코미조겐지

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판세정장치는, 여러개의 웨이퍼가 수용되는 처리조와, 이 처리조내에 세정액을 공급하는 세정액 공급원과, 처리조로부터 흘러넘친 세정액을 다시 처리조내에 되돌리는 제1유로와, 헹굼액을 공급하는 헹굼액 공급원과, 헹굼액이 흘러 통과되는 제2유로와, 제1 및 제2유로의 각각에 연통함과 동시에 처리조의 저부에도 연통하는 공용유로와, 제1유로에 설치된 제1밸브와, 제2유로에 설치된 제2밸브와, 제1유로로부터 분기하여 세정액을 배출하는 배출유로와, 이 배출유로에 설치된 제3밸브와, 제1, 제2 및 제3밸브의 각 동작을 제어하는 제어부를 구비하고 있으며,상기 제1밸브는, 제1유로를 개폐하는 제1밸브체와, 제1유로와 병렬로 설치되고 제1유로보다도 작은 직경의 제3유로와, 이 제3유로를 개폐하는 제2밸브체를 갖고 있으며, 제1밸브체를 개방하고 제2 브체를 폐쇄하고 또한 제3밸브로 폐쇄함에 의해 세정액을 처리조내에 유입시키는 한편, 제1밸브의 제1밸브체를 폐쇄하고 제2밸브체를 개방하고 또한 제3밸브도 개방함에 의해 헹굼액을 처리조내에 유입시킴과 동시에 제1 제3 유로내에 체류하는 세정액을 헹굼액과 함께 배출유로를 통하여 배출한다.