公开(公告)号：KR1019940008004A

公开(公告)日：1994-04-28

申请号：KR1019930017680

申请日：1993-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  이와타데루오

IPC: H01L21/302

Abstract: 대미 분위기 및 진공분위기 각각으로부터, 또는 이들 분위기에 직접 또는 간접으로 기판이 반입/반출되는 공간을 규정하는 챔버를 설치하고, 상기 챔버내를 배기하며, 그 중기압이 환경온도하에서 1기압 이상으로 되며, 또 환경온도 미만의 온도하에서 10Torr이하로 되는 가스를 상기 챔버의 공간내에 충전하고, 상기 기판을 상기 챔버내에 장입하며, 상기 가스를 냉각하고, 이것을 응고시킴으로써 상기 챔버의 내압을 고레벨 진공상태에 도달시키고, 상기 기판을 상기 챔버 내로부터 반출하며, 상기 옹고물을 가열하고, 이것을 기화시킴으로써 상기 챔버의 내압을 대가압으로 되돌린다.

公开(公告)号：KR100927912B1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：KR1020077020452

申请日：2006-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  가네코히로시 ,  이와타데루오 ,  다케야마다마키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568

Abstract: A method of processing a substrate by a substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a processing container including a first space where a first processing gas or a second processing gas is supplied onto the substrate and a second space formed around the first space; a first exhaust unit configured to evacuate the first space; and a second exhaust unit configured to evacuate the second space. The method includes a first step of supplying the first processing gas into the first space; a second step of discharging the first processing gas from the first space; a third step of supplying the second processing gas into the first space; and a fourth step of discharging the second processing gas from the first space; wherein the pressure in the second space is adjusted by a pressure-adjusting gas supplied into the second space.

Abstract translation: 公开了一种通过基板处理设备处理基板的方法。 该基板处理装置包括：处理容器，其具有向基板供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和形成于第一空间的周围的第二空间; 第一排气单元，所述第一排气单元构造成排空所述第一空间; 以及构造成排空第二空间的第二排气单元。 该方法包括将第一处理气体供应到第一空间中的第一步骤; 从第一空间排出第一处理气体的第二步骤; 将第二处理气体供给到第一空间的第三步骤; 以及从第一空间排出第二处理气体的第四步骤; 其中第二空间中的压力通过供应到第二空间中的压力调节气体来调节。

公开(公告)号：KR1020050119684A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：KR1020057019032

申请日：2004-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히루 ,  이와타데루오 ,  아미쿠라마나부

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: A heat treating apparatus, wherein a treated body (W) is placed on the upper surface of a loading table (32) which is erected from the bottom part of a treatment container (4) through a column and in which a heating means (38) is buried and a specified heat treatment is applied to the treated body. Insulating cover members (72), (74), and (76) are installed on the upper surface, side surface, and lower surface of the loading table. Thus, since metallic atoms causing contamination can be prevented from being thermo-diffused from the loading table, various contaminations such as metallic contamination and organic substance contamination can be prevented from occurring.

Abstract translation: 一种热处理装置，其中处理体（W）被放置在从处理容器（4）的底部通过柱竖立的装载台（32）的上表面上，并且其中加热装置（38） ），并对被处理体施加特定的热处理。 绝缘盖构件（72），（74）和（76）安装在装载台的上表面，侧表面和下表面上。 因此，由于可以防止由于引起污染的金属原子从装载台热扩散，所以可以防止诸如金属污染物和有机物质污染的各种污染物发生。

公开(公告)号：KR100307998B1

公开(公告)日：2001-12-01

申请号：KR1019950004417

申请日：1995-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루.엔지니아링구가부시끼가이샤

Inventor： 고시료이치로 ,  이와타데루오 ,  이시이노부오 ,  히구치기미히로 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/3065

Abstract: 처리용기내에서 설치된 피처리체에 대하여 플라즈마 막형성처리등의 플라즈마처리를 행하는 플라즈마 처리방법이 개시된다. 이 방법은, 처리용기내로 불활성가스를 도입하는 제 1 의 공정과, 처리용기내로 불활성가스의 플라즈마를 발생시키는 제 2 의 공정과, 계속하여 처리용기내로 피처리체를 처리하는 처리가스를 도입하는 제 3 의 공정과, 처리용기내로 처리가스의 플라즈마를 발생시켜서 피처리체를 처리하는 제 4 의 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100238629B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019930028254

申请日：1993-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 이시카와겐지 ,  고미노미쓰아키 ,  이와타데루오 ,  미쓰이다다시 ,  아리이이즈미 ,  다하라요시후미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C23C16/466 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/6831

Abstract: 반도체 웨이퍼의 플라즈마 에칭장치는 진공처리실내에 설치된 서셉터를 구비한다. 서셉터의 재치면에 열전달 가스를 통하기 위한 홈이 형성된다. 홈은 재치면의 외연에 따라 형성된 환형상홈을 구비하고, 여기에 서셉터을 수직으로 관통하는 가스 통로가 접속된다. 홈을 덮도록 기밀한 상태에서 시일형상의 정전척이 서셉터의 재치면에 첩착된다. 정정척에는 복수의 관통구명이 형성되고, 이들은 홈에 따라 또 그 바로위에 설치된다. 가스통로, 홈 및 관통구멍을 통하여 종존척과 반도체 웨이퍼와의 사이에 열전달가스가 도입된다. 열전달가스는 서셉터 하부에 설치된 액체질소원으로 부터 내열을 웨이퍼에 전달하는 것에 기여한다.

公开(公告)号：KR1019940016554A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019930028254

申请日：1993-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 이시카와겐지 ,  고미노미쓰아키 ,  이와타데루오 ,  미쓰이다다시 ,  아리이이즈미 ,  다하라요시후미

IPC: H01L21/306

Abstract: 반도체 웨이퍼의 플라스마 에칭장치는 진공처리실내에 설치된 서셉터를 구비한다. 서셉터의 재치면에 열전달 가스를 통하기 위한 홈이 형성된다. 홈은 재치면의 외연에 따라 형성된 환형상홈을 구비하고, 여기에 서셉터를 수직으로 관통하는 가스 통로가 접속된다. 홈을 덮도록 기밀한 상태에서 시일형상의 정전척이 서셉터의 재치면에 첩착된다. 정정척에는 복수의 관통구멍이 형성되고, 이들은 홈에 따라 또 그 바로위에 설치된다. 가스통로, 홈 및 관통구멍을 통하여 종존척과 반도체 웨이퍼와의 사이에 열전달가스가 도입된다.
열전달가스는 서셉터 하부에 설치된 액체 질소원으로 부터 냉열을 웨이퍼에 전달하는 것에 기여한다.

公开(公告)号：KR101336363B1

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020117020104

申请日：2010-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  구와지마료 ,  아미쿠라마나부 ,  하시모토츠요시 ,  우치다히로아키

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565

Abstract: 성막 장치(100)는 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(1)와, 챔버(1)내에서 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(2)와, 서셉터(2)상의 웨이퍼 W를 가열하는 히터(5a, 5b)와, 서셉터(2)에 대향해서 마련되고, 웨이퍼(W)를 향해 성막을 위한 처리 가스를 토출하는 본체가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 샤워 플레이트(12)를 구비하고, 웨이퍼(W)의 표면에, 성막 온도에 있어서 열팽창율이 샤워 플레이트(12)의 본체(13)의 열팽창율보다 5×10
-6 /℃ 이상 낮은 막을 성막하는 것이며, 샤워 플레이트(12)는 본체(13)의 서셉터(2)에 대향하는 면에 두께가 10㎛ 이상의 양극 산화 피막(14)이 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020110122147A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020117020104

申请日：2010-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  구와지마료 ,  아미쿠라마나부 ,  하시모토츠요시 ,  우치다히로아키

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565

Abstract: 성막 장치(100)는 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(1)와, 챔버(1)내에서 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(2)와, 서셉터(2)상의 웨이퍼 W를 가열하는 히터(5a, 5b)와, 서셉터(2)에 대향해서 마련되고, 웨이퍼(W)를 향해 성막을 위한 처리 가스를 토출하는 본체가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 샤워 플레이트(12)를 구비하고, 웨이퍼(W)의 표면에, 성막 온도에 있어서 열팽창율이 샤워 플레이트(12)의 본체(13)의 열팽창율보다 5×10
-6 /℃ 이상 낮은 막을 성막하는 것이며, 샤워 플레이트(12)는 본체(13)의 서셉터(2)에 대향하는 면에 두께가 10㎛ 이상의 양극 산화 피막(14)이 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020070102607A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020077020452

申请日：2006-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  가네코히로시 ,  이와타데루오 ,  다케야마다마키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568

Abstract: A method of substrate treatment by means of a substrate treating apparatus holding a treatment object substrate and including a treatment vessel having thereinside a first space wherein a first treating gas or second treating gas is fed on the treatment object substrate and a second space defined around the first space and communicating with the first space; first evacuation means for evacuating the first space; and second evacuation means for evacuating the second space, which method is characterized by including the first step of feeding the first treating gas to the first space; the second step of discharging the first treating gas from the first space; the third step of feeding the second treating gas to the first space; and the fourth step of discharging the second treating gas from the first space, while the pressure of the second space is controlled by a pressure regulation gas fed into the second space.

Abstract translation: 一种基板处理装置的方法，所述基板处理装置保持处理对象基板并且包括处理容器，所述处理容器具有第一空间，其中所述第一处理气体或第二处理气体被供给到所述处理对象基板上， 第一空间与第一空间通信; 用于撤离第一空间的第一撤离装置; 以及用于抽空第二空间的第二抽空装置，该方法的特征在于包括将第一处理气体供给到第一空间的第一步骤; 从第一空间排出第一处理气体的第二步骤; 将第二处理气体供给到第一空间的第三步骤; 以及从第一空间排出第二处理气体的第四步骤，同时第二空间的压力由供给到第二空间的压力调节气体控制。

公开(公告)号：KR100749378B1

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：KR1020067003016

申请日：2005-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  아미쿠라마나부 ,  후타무라무네히사 ,  다카하시즈요시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4486 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405

Abstract: 본 발명의 성막 장치는 액상 원료를 공급하는 원료 공급부와, 액상 원료를 기화하여 원료 가스를 생성하는 기화기와, 원료 가스를 도입하여 피처리 기판상에 박막을 형성하는 성막실을 갖는 성막 장치이다. 상기 기화기는, 원료 공급부로부터 공급된 액상 원료를 분사하는 분무 노즐과, 분무 노즐가 개구하는 일단부 및 폐쇄된 타단부를 갖고, 분무 노즐로부터 분사된 미스트 형상의 액상 원료를 기화하여 원료 가스를 생성하는 기화실과, 기화실을 가열하는 히터와, 분무 노즐의 근방에 있어서 기화실로 개구하고, 기화실로부터 원료 가스를 도출하는 도출구를 구비한다. 상기 기화실의 폐쇄된 타단부는 분무 노즐로부터 분사된 액상 원료가 기화하기 위해 충분한 거리만큼 분무 노즐로부터 떨어져 있다.