公开(公告)号：KR1020090103805A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090026118

申请日：2009-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  나카야마히로유키 ,  이와타마나부 ,  사토마나부 ,  나리시게가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma etching method are provided to improve the uniformity of the etching property in the etching processes. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus includes the treatment basin(10), the bottom electrode, the top of inside electrode(60), the outer side upper electrode(62), the processing gas supply part(76), the first radio frequency feeding unit, the first direct current feeding unit, and the second direct current feeding unit. The bottom electrode mounts the processed substrate within the process chamber. The inner side upper electrode is arranged to the front side of the bottom electrode within the process chamber. The processing gas supply part supplies the process gas to the process space of the gap of the inner side and outer side upper electrode and bottom electrode. The first direct current feeding unit applies the first direct current voltage to the top of inside electrode. The second direct current feeding unit applies the second direct current voltages of a variable to the outer side upper electrode.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，以提高蚀刻工艺中的蚀刻性能的均匀性。 构成：等离子体处理装置包括处理池（10），底部电极，内部电极（60）的顶部，外侧上部电极（62），处理气体供给部（76），第一射频供给 单元，第一直流供电单元和第二直流供电单元。 底部电极将处理过的衬底安装在处理室内。 内侧上部电极配置在处理室内的底部电极的前侧。 处理气体供给部将处理气体供给到内侧和外侧上部电极和底部电极的间隙的处理空间。 第一直流馈电单元将第一直流电压施加到内部电极的顶部。 第二直流供电单元将外部上部电极的第二直流电压施加到外侧上部电极。

公开(公告)号：KR1020090089265A

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：KR1020090013008

申请日：2009-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타마나부 ,  나카야마히로유키 ,  마스자와겐지 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a storage medium are provided to find a proper plasma process condition by controlling a voltage value applied to an electrode to obtain the wanted uniformity of the plasma density. A process container to perform a vacuum-exhaust receives a substrate to be processed. A first electrode is divided to an outer electrode(34a) comprising an outer part and an inner electrode(34b) classifying a center area. A second electrode supports the substrate to be processed. A first high frequency power applying unit applies the first high frequency power with the high frequency to a second electrode. A second high frequency power applying unit applies the second high frequency power with relatively low frequency to the second electrode. A first direct current voltage applying circuit(47a) applies the DC voltage to the outer electrode. A second direct voltage applying circuit(47b) applies the DC voltage to the inner electrode.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和存储介质以通过控制施加到电极的电压值来获得等离子体密度的所需均匀性来找到适当的等离子体处理条件。 执行真空排气的处理容器接收待处理的基板。 第一电极被分成包括对中心区域进行分类的外部部分和内部电极（34b）的外部电极（34a）。 第二电极支撑待处理的基板。 第一高频功率施加单元将高频率的第一高频功率施加到第二电极。 第二高频功率施加单元将具有较低频率的第二高频功率施加到第二电极。 第一直流电压施加电路（47a）将直流电压施加到外部电极。 第二直流施加电路（47b）将直流电压施加到内部电极。

公开(公告)号：KR100843009B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：KR1020070028050

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  고다마노리아키

IPC: H01L21/205

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 접지 전극의 표면 상에 퇴적막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 기판 처리실, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 공급하는 RF 전극, 처리 공간에 DC 전압을 공급하는 DC 전극, 기판 처리실에 적어도 일부가 노출되는 접지 전극을 구비한다. 기판 처리실의 복수의 내면이 교차하여 형성되는 교차 부분에는 접지 전극이 배치된다.

Abstract translation: 等离子体处理装置可以防止沉积膜形成在接地电极的表面上。 具有至少其部分暴露于处理空间供给高频电力向处理空间的基板进行等离子体处理，以将衬底处理腔室在其中，RF电极的接地电极，所述直流电压提供给所述处理空间DC电极，和该基板处理室 的。 接地电极设置在基板处理室的多个内表面彼此交叉的交叉点处。

公开(公告)号：KR1020070096864A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070028146

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠모토나오키 ,  다나카사토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32834

Abstract: A plasma processing apparatus and method and a storage medium are provided to prevent plasma from being leaked into an exhaust space by interrupting inflow of electrons into the exhaust space. A substrate processing chamber(11) has a processing space(PS) for a plasma process, an exhaust space(ES) exhausting a gas out of the processing space, and an exhaust flow path(16) communicating the exhaust space and the processing space. A ground component(16) is disposed in the exhaust flow path, and has a conduction portion(45) made of a conductive material. The conduction portion has an area exposed to the exhaust flow path in the range of 100 to 1000 cm^2.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和方法以及存储介质，以通过中断电子流入排气空间来防止等离子体泄漏到排气空间中。 基板处理室（11）具有用于等离子体处理的处理空间（PS），从处理空间排出气体的排气空间（ES）以及将排气空间与处理空间连通的排气流路 。 接地部件（16）设置在排气流路中，并且具有由导电材料制成的导电部（45）。 导电部分具有在100至1000cm 2的范围内暴露于排气流路的区域。

公开(公告)号：KR1020070096850A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070028050

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  고다마노리아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32532

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to prevent a deposit film from being formed on a surface of a ground electrode by disposing the ground electrode at a corner portion. A substrate processing chamber(11) has a space for processing with plasma at a surface of a substrate. An RF electrode(15) applies RF electrical power to the processing space, and a DC electrode applies a DC voltage to the processing space. At least portion of a ground electrode(47) is exposed in the substrate processing chamber. The ground electrode is disposed in a corner portion formed by intersecting internal surfaces in the substrate processing chamber.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于通过将接地电极设置在角部来防止在接地电极的表面上形成沉积膜。 衬底处理室（11）具有用于在衬底的表面处等离子体处理的空间。 RF电极（15）向处理空间施加RF电力，并且DC电极向处理空间施加DC电压。 接地电极（47）的至少一部分露出在基板处理室中。 接地电极设置在由基板处理室的内表面相交形成的角部。

公开(公告)号：KR1020070044374A

公开(公告)日：2007-04-27

申请号：KR1020060103002

申请日：2006-10-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  니폰 제온 가부시키가이샤

Inventor： 기타무라아키노리 ,  혼다마사노부 ,  히라이노조미 ,  나카무라마사히로 ,  스기모토다쓰야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 포토레지스트막을 마스크로 하여 포토레지스트막에 대하여 SiO
2 막을 선택적으로 플라즈마 에칭하여 홀을 형성한다. 플라즈마 에칭에는 C
x F
y O(x는 4 또는 5, y는 정수이며 y/x는 1 내지 1.5)로 표시되는 불포화의 산소함유 플루오로카본 가스를 포함하는 에칭 가스를 사용한다. 불포화의 산소함유 플루오로카본 가스로서는, 예컨대 C
4 F
4 O 가스 및 C
4 F
6 O 가스를 이용한다.

公开(公告)号：KR101957348B1

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：KR1020147007790

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

公开(公告)号：KR101928579B1

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：KR1020120026385

申请日：2012-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  사이토유스케 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 기판의 플라즈마 에칭에 있어서, 에칭에 대해서 높은 면내 균일성을 얻을 수 있는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다.
웨이퍼(W)에 형성된 다층막(7)의 각각에 대하여 면내 균일성이 높은 에칭을 행할 수 있는 적절한 포커스 링(3)의 온도를 사전에 파악하여, 설정 온도로서 처리 레시피(64)에 반영하고, 연속하여 에칭되는 각 막마다, 포커스 링(3)의 온도가 그 설정 온도를 포함하는 적절한 온도 영역에 들어가도록 가열 기구 및 냉각 기구를 제어한다. 또한, 포커스 링(3)의 가열 기구로서 레이저에 의한 열복사를 이용한다. 포커스 링(3)의 냉각에서는, 열매체인 히터를 통하지 않고서 포커스 링(3)의 열을 지지대(2)에 방출하도록 구성하여, 가열 기구와 냉각 기구를 상호 독립적으로 분리하고 있다.

公开(公告)号：KR101913889B1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：KR1020147001328

申请日：2012-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  혼다마사노부 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

Abstract: 플라즈마화된처리가스에의해기판을에칭하는플라즈마에칭장치에있어서, 처리용기와, 상기처리용기내에마련된, 기판을유지하는유지부와, 상기처리용기내에마련된, 상기유지부와대향하는전극판과, 상기유지부와상기전극판의사이에있는공간에처리가스를공급하기위한, 상기기판의지름방향에대하여각각다른위치에배치된복수의공급부와, 상기유지부또는상기전극판의적어도한쪽에고주파전력을공급하는것에의해, 상기복수의공급부에의해상기공간에공급된처리가스를플라즈마화하는고주파전원과, 상기복수의공급부의각각에대응하여, 처리가스의공급조건을조절하는조절수단과, 상기기판위에있어서의, 플라즈마화된처리가스에포함되는활성종의농도분포에대하여, 공급된처리가스의확산의영향이공급된처리가스의흐름의영향보다큰 위치와, 상기공급된처리가스의흐름의영향이상기공급된처리가스의확산의영향보다큰 위치에서, 상기공급조건을바꾸도록상기조절수단을제어하는제어부를갖는플라즈마에칭장치.

公开(公告)号：KR1020160124670A

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：KR1020160044063

申请日：2016-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이청종 ,  가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 유기막의플라즈마에칭에있어서, 하드마스크의형상을개선한다. 일실시형태의방법에서는, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서수소가스및 질소가스를포함하는처리가스의플라즈마가생성된다. 처리가스의플라즈마의생성에의해, 하드마스크로부터노출되어있는유기막의일부영역이변질영역으로변화한다. 계속해서, 처리용기내에있어서희가스의플라즈마가생성된다. 희가스의플라즈마에의해, 변질영역이제거되고, 상기변질영역으로부터방출되는물질이하드마스크의표면상에퇴적한다. 이방법에서는, 처리가스의플라즈마의생성과희가스의플라즈마의생성이교대로반복된다.