公开(公告)号：KR101139078B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: A method for using a film formation apparatus for a semiconductor process includes setting an idling state where a reaction chamber of the film formation apparatus accommodates no product target substrate therein, and then, performing a purging process of removing a contaminant present in an inner surface of the reaction chamber by causing radicals to act on the inner surface of the reaction chamber. The radicals are generated by activating a purging process gas containing oxygen and hydrogen as elements.

公开(公告)号：KR1020060053275A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050096766

申请日：2005-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  엔도오아쯔시 ,  니시무라도시하루 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리 장치 내에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공한다. 열처리 장치(1)의 제어부(100)는 반응관(2) 내를 400 ℃ 내지 700 ℃로 가열하는 동시에, 처리 가스 도입관(17)으로부터 불소와 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다.
열처리 장치, 반응관, 배기구, 진공 펌프, 덮개

公开(公告)号：KR1020060044813A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050025304

申请日：2005-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  니시무라도시하루 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185

Abstract: A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes removing by a cleaning gas a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus, and then chemically planarizing the inner surface of the reaction chamber by a planarizing gas. The inner surface contains as a main component quartz or silicon carbide. The removing is performed while supplying the cleaning gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a first temperature and first pressure to activate the cleaning gas. The planarizing is performed while supplying the planarizing gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a second temperature and second pressure to activate the planarizing gas. The planarizing gas contains fluorine and hydrogen fluoride. The second temperature is within a range of from 300 to 800° C.

公开(公告)号：KR101243584B1

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：KR1020070104986

申请日：2007-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 처리용 처리 장치의 사용 방법은, 제품용 피처리 기판을 수용하지 않는 상기 처리 장치의 처리 용기 내에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 있어서, 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스가 활성화하는 제1 환경하에서 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스를 반응시켜 활성종을 발생시키는 공정과, 상기 활성종을 사용하여 상기 처리 용기의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제거하는 공정을 포함한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 지지판, 지지 로드, 덮개, 밀봉 부재

公开(公告)号：KR1020130018210A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020120137159

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A semiconductor processing apparatus and a method for using the same, and a computer readable medium are provided to prevent metal contamination by performing a cleaning process after a film forming process is performed and byproducts are removed. CONSTITUTION: Semiconductor wafers(W) are loaded in a wafer boat(6). The wafer boat includes two supporting plates(6A) made of quartz and support rods(6B). The wafer boat moves up and down through the lower opening of a process basin(4). A gas supply device(28) supplies gas into the process basin. The gas supply device includes a source air system(30), a first reduction gas supply system(32), and a second reduction gas supply system(34). [Reference numerals] (44) Device control unit

Abstract translation: 目的：提供一种半导体处理装置及其使用方法，以及计算机可读介质，以在执行成膜处理并除去副产物之后通过执行清洁处理来防止金属污染。 构成：将半导体晶片（W）装载在晶片舟皿（6）中。 晶片舟包括由石英和支撑杆（6B）制成的两个支撑板（6A）。 晶片舟皿上下移动通过处理池（4）的下部开口。 气体供给装置（28）将气体供给到处理池中。 气体供给装置包括源空气系统（30），第一还原气体供给系统（32）和第二还原气体供给系统（34）。 （附图标记）（44）设备控制单元

公开(公告)号：KR1020080100784A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: The film forming apparatus for processing the semiconductor and the method of using the same are provided to prevent the contamination of the film. The method of use of the film forming apparatus for the semiconductor processing is provided. A process is for setting up the reaction chamber of the film forming apparatus as the idle state which does not receive the processed substrate for product. A process is for performing the fuzzy treatment to remove the contaminant existing in the inner surface of the reaction chamber. The radicals are obtained by activating the fuzzy treatment gas including the oxygen and hydrogen. The radicals are activated in the inner surface of the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于处理半导体的成膜装置及其使用方法，以防止膜的污染。 提供了用于半导体处理的成膜装置的使用方法。 一种方法是将成膜装置的反应室设置为不接收用于产品的处理衬底的空闲状态。 一个过程是进行模糊处理以去除存在于反应室内表面中的污染物。 通过激活包括氧和氢的模糊处理气体获得自由基。 自由基在反应室的内表面被活化。

公开(公告)号：KR1020080035485A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：KR1020070104986

申请日：2007-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: A method for using a semiconductor processing apparatus is provided to reduce the quantity of metal contamination by performing a process for removing a byproduct layer after a film forming treatment is performed by a predetermined number of times and by performing a cleaning process. A substrate to be processed is received in a process receptacle(4). A heater heats the inside of the process receptacle. An exhaust system exhausts the inside of the process receptacle. A main process gas supplying system supplies main process gas for performing a semiconductor treatment to the surface of the substrate, installed in the process receptacle. An oxidative gas supplying system and a reductive gas supplying system supply oxidative gas and reductive gas for removing contaminants from the inner surface of the process receptacle, installed in the process receptacle. A control part controls the operation of a semiconductor processing apparatus, performing the following steps. The oxidative gas and reductive gas are supplied to the process receptacle in which the substrate is not received. In the process receptacle, the oxidative gas and the reductive gas are reacted under first circumstances where the oxidative gas and the reductive gas are activated so that an active species is generated. The contaminants are removed from the inner surface of the process receptacle by using the active species.

Abstract translation: 提供一种使用半导体处理装置的方法，通过在成膜处理进行预定次数之后执行除去副产物层的处理并进行清洗处理，来减少金属污染的量。 待处理的基板被接收在处理容器（4）中。 加热器加热过程容器的内部。 排气系统排出过程容器的内部。 主工艺气体供应系统为安装在过程容器中的基板表面提供用于执行半导体处理的主工艺气体。 氧化气体供应系统和还原气体供应系统提供氧化气体和还原气体，用于从安装在过程容器中的过程容器的内表面去除污染物。 控制部分控制半导体处理装置的操作，执行以下步骤。 将氧化性气体和还原性气体供给到不接收基板的处理容器。 在工艺容器中，氧化气体和还原气体在氧化性气体和还原性气体被激活的第一种情况下反应，从而产生活性物质。 污染物通过使用活性物质从处理容器的内表面除去。

公开(公告)号：KR1019990037438A

公开(公告)日：1999-05-25

申请号：KR1019980045270

申请日：1998-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오승호 ,  이시이가츠토시 ,  니시무라도시하루 ,  다카하시유타카

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명에 의한 종형처리장치(10)는 내부에 개구부가 형성된 고리형상의 하단면(37)을 갖춘 원통상의 처리용기(2)와, 고리형상의 하단면(37)에 대응하는 고리형상의 접합부(32)및, 고리형상의 접합부(32)의 내측에 형성된 재치면(6p;載置面)을 갖춘 원판상의 캡(6)을 구비하고 있다. 캡(6)의 재치면(6p)에는 피처리체(W)를 지지하는 웨이퍼보트(8)가 얹어 놓여진다. 캡(6)의 접합부(32)에는 링형상 홈(34A)이 형성되어 있다. 링형상 홈(34A)에는 링형상 홈(34A)내로 불활성가스를 도입하는 불활성가스 도입로(38)가 공급헤더(16)를 매개로 연통해 있다. 링형상 홈(34A)의 안쪽둘레측에는 링형상 홈(34A)내와 처리용기(2) 내부를 연통하는 불활성가스 분사용 개구(36)가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100182089B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950701981

申请日：1994-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호사카아쓰시 ,  이와시타미쓰아키 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 반도체 웨이퍼(W) 등의 피처리체 표면에 불순물이 도프된 막을 형성하기 위한 성막장치는, 그 길이방향을 연직으로 해서 배치되고, 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 영역을 갖는 반응관(2,20)을 갖고, 반응관(2,20)내의 그 영역에는 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 피처리체가 간격을 두고 연직방향으로 겹쳐진 상태로 배열되고, 이 반응관(2,20)내에 성막가스도입관(6,61)을 통해서 성막가스가 도입되며, 이 장치는 가스유출구(76,77,77a,77b)가 반응관(2,20)내의 상기 피처리체 배치영역보다 하방에 위치하고, 거기에서 상방을 향해 도프가스를 도입하기 위한 주도프가스도입관(71)과; 가스유출구(76,77,77a,77b)가 주도프가스도입관(71)의 유출구보다 상기 반응관(2,20)의 상방에 설치되고, 주도프가스도입관(71)으로부터의 도프가스의 공급을 보충하기 위해 도프가스를 도입하는 적어도 1개의 부도프가스도입관(72,72a,72b)과; 상기 반응관(2,20)내의 가스를 배출하기 위한 배기계와; 반응관(2,20)내를 가열하기 위한 가열수단을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR101196576B1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020080099372

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미야하라다까히로 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: 본 발명은 인 또는 붕소가 도프된 폴리실리콘막을 형성하는 폴리실리콘막의 형성 방법은, 반응 용기 내에 피처리 기판을 배치하고, 피처리 기판을 감압 분위기 하에서 가열하면서, 실리콘 성막용 가스와, 인 또는 붕소를 막 중에 도프하기 위한 가스와, 폴리실리콘 결정의 주상화를 막고 폴리실리콘 결정의 미세화를 촉진하는 성분을 포함하는 입경 조정용 가스를 상기 반응 용기 내에 도입하고, 상기 피처리 기판 상에 인 또는 붕소가 도프된 실리콘막을 퇴적하는 공정을 구비한다.
인, 붕소, 폴리실리콘막, 피처리 기판, 반응 용기