公开(公告)号：KR1020040013781A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020046851

申请日：2002-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강대근 ,  고용선 ,  황인석 ,  윤병문

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823443 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/665

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicide layer of a semiconductor device is provided to form correctly a silicide region by performing a thermal process for a silicide blocking layer. CONSTITUTION: A gate oxide layer(120) is formed on a semiconductor substrate(100). A gate electrode including polysilicon is formed on the gate oxide layer(120). A source/drain region is formed by performing an ion implantation process. A silicide blocking layer pattern(160a) is formed on the semiconductor substrate(100). The silicide blocking layer pattern(160a) is hardened by performing a thermal process. A natural oxide layer is removed by cleaning the semiconductor substrate(100). A silicide layer is formed on the semiconductor substrate(100).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的硅化物层的方法，以通过对硅化物阻挡层进行热处理来正确地形成硅化物区域。 构成：在半导体衬底（100）上形成栅氧化层（120）。 在栅极氧化物层（120）上形成包括多晶硅的栅电极。 通过进行离子注入工艺形成源极/漏极区域。 在半导体衬底（100）上形成硅化物阻挡层图案（160a）。 硅化物阻挡层图案（160a）通过进行热处理而硬化。 通过清洗半导体衬底（100）去除天然氧化物层。 在半导体衬底（100）上形成硅化物层。

公开(公告)号：KR1020140121617A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：KR1020130038048

申请日：2013-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조중래 ,  강대근 ,  김은성 ,  신철호 ,  유한근

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 반도체 장치는 기판의 제1 및 제2 영역들 상에 각각 형성된 제1 및 제2 게이트 구조물들, 제1 및 제2 게이트 구조물들에 인접한 기판 상부에 각각 형성된 제1 및 제2 불순물 영역들, 제2 불순물 영역 상에 형성된 페르미(Fermi) 준위 고정막, 제1 불순물 영역 및 페르미 준위 고정막 상에 각각 형성된 제1 및 제2 금속 실리사이드 막들 및 제1 및 제2 금속 실리사이드 막들 상에 각각 형성된 제1 및 제2 콘택 플러그들을 포함하며, 페르미 준위 고정막은 제2 금속 실리사이드 막의 페르미 준위를 특정 에너지 준위로 고정시킨다.

Abstract translation: 半导体器件包括分别形成在衬底的第一和第二区域上的第一和第二栅极结构，形成在与第一和第二栅极结构相邻的衬底的上部上的第一和第二异物区域，形成在第一和第二栅极结构上的费米能级定影膜 分别形成在第一异物区域上的第二异物区域，第一和第二金属硅化物膜和费米能级定影膜，以及分别形成在第一和第二金属硅化物膜上的第一和第二接触塞。 费米能级定影膜以特定的能级固定第二金属硅化物膜的费米能级。

公开(公告)号：KR1020120126228A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020110043871

申请日：2011-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현 ,  배병재 ,  김영재 ,  강대근

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/80

Abstract: PURPOSE: A pattern formation method and a manufacturing method thereof using the same are provided to prevent the loss of an etching mask using a wet etching process and a dry etching process at the same time for forming a contact hole. CONSTITUTION: First line patterns(130) are formed on a film to be etched(105). First spacers(120) are formed in the first line pattern using a silicon oxide. An interval between the first line patterns is filled with the first spacers. A second line pattern(160) is extended to a second direction which is perpendicular to a first direction. The first spacers are eliminated through a wet etch process. The first line patterns and the second line pattern are formed using polysilicon. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction

Abstract translation: 目的：提供一种图案形成方法及其制造方法，以防止在形成接触孔的同时使用湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺来蚀刻掩模的损失。 构成：在要蚀刻的膜（105）上形成第一线图案（130）。 第一间隔物（120）使用氧化硅以第一线图案形成。 第一线图案之间的间隔用第一间隔物填充。 第二线图案（160）延伸到垂直于第一方向的第二方向。 通过湿蚀刻工艺消除第一间隔物。 第一线图案和第二线图案使用多晶硅形成。 （附图标记）（AA）第一方向; （BB）第二方向

公开(公告)号：KR1020090011301A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020070074744

申请日：2007-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우상윤 ,  김창환 ,  강대근 ,  오석환

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/46

Abstract: A manufacturing method of a photo mask is provided to prevent generation of haze defect and to remove sulfate ion on a photo mask by removing a resist with ozone and water. A manufacturing method of a photo mask comprises the following steps: a step for a blank photo mask having a phase shift layer, a light shielding material layer, and a first resist layer on a transparent substrate(S110); a step for forming a first resist pattern by exposing and developing the first resist layer(S115); a step for a first light shielding layer pattern by etching the light shielding material layer with the first resist pattern(S120); a step for removing the first resist pattern(S125); a step for forming a phase shift pattern by etching the phase shift layer with the first light shielding layer pattern(S130); a step for forming a second resist pattern on the first light shielding layer pattern(S135); a step for a second light shielding layer pattern by etching the first light shielding layer pattern with the second resist pattern(S145); and a step for exposing the second resist pattern by exposing the second resist pattern to ozone(S150).

Abstract translation: 提供光掩模的制造方法，以通过用臭氧和水去除抗蚀剂来防止雾度缺陷的产生和去除光掩模上的硫酸根离子。 光掩模的制造方法包括以下步骤：在透明基板上具有相移层，遮光材料层和第一抗蚀剂层的空白光掩模的步骤（S110）; 通过曝光和显影第一抗蚀剂层形成第一抗蚀剂图案的步骤（S115）; 通过用第一抗蚀剂图案蚀刻遮光材料层来形成第一遮光层图案的步骤（S120）; 去除第一抗蚀剂图案的步骤（S125）; 通过用第一遮光层图案蚀刻相移层来形成相移图案的步骤（S130）; 在第一遮光层图案上形成第二抗蚀剂图案的步骤（S135）; 通过用第二抗蚀剂图案蚀刻第一遮光层图案来进行第二遮光层图案的步骤（S145）; 以及通过将第二抗蚀剂图案暴露于臭氧而使第二抗蚀剂图案曝光的步骤（S150）。

公开(公告)号：KR100829597B1

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：KR1020060110900

申请日：2006-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이금주 ,  배진혜 ,  강대근

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/6656

Abstract: A method for cleaning and manufacturing a semiconductor device are provided to obtain an ideal profile of a structure pattern by completely removing particles from the structure pattern of the semiconductor device. Particles, which are attached to a gate pattern, are removed without consuming a gate pattern containing a metal by using a first cleaning solution containing O3 water(S210). Remained particles are removed by using a second cleaning solution containing NH4OH, H2O2, and DI(Deionized) water(S220). The metal is tungsten silicide. An ozone concentration of the O3 water lies between 10 and 100 ppm. The removing process using the second cleaning solution is performed at a temperature between 0 and 50 °C. The second cleaning water contains HF.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁和制造半导体器件的方法，以通过从半导体器件的结构图案中完全去除颗粒来获得结构图案的理想轮廓。 通过使用含有O 3水的第一清洗溶液（S210），除去连接到栅极图案的颗粒，而不消耗含有金属的栅极图案。 通过使用含有NH 4 OH，H 2 O 2和DI（去离子水）的第二清洗溶液除去剩余的颗粒（S220）。 金属是硅化钨。 O 3水的臭氧浓度在10ppm和100ppm之间。 使用第二清洗溶液的去除方法在0至50℃的温度下进行。 第二清洗水含有HF。

公开(公告)号：KR1020060123808A

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050045385

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경철 ,  강대근 ,  차세호 ,  황인석 ,  이금주

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/31138 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  G03F7/427 ,  H01L28/91

Abstract: A method for removing photoresist is provided to cleanly remove the photoresist remaining in an opening with an aspect ratio by using ozone vapor not including water. A part of the photoresist is removed by an ashing process using plasma(S220). Ozone air is supplied to the surface of a substrate on which photoresist remains(S230). The photoresist remaining on the substrate is oxidized and analyzed by using the ozone vapor so as to be eliminated(S240). A rinse process using water is performed to eliminate the oxidized and analyzed photoresist from the substrate(S250).

Abstract translation: 提供了去除光致抗蚀剂的方法，通过使用不包括水的臭氧蒸气，以宽高比干净地去除残留在开口中的光致抗蚀剂。 通过使用等离子体的灰化处理去除部分光致抗蚀剂（S220）。 臭氧空气被供应到残留有光致抗蚀剂的基板的表面（S230）。 残留在基板上的光致抗蚀剂被氧化并通过使用臭氧蒸汽进行分析以被去除（S240）。 进行使用水的冲洗处理以从衬底去除氧化和分析的光致抗蚀剂（S250）。

公开(公告)号：KR100518605B1

公开(公告)日：2005-10-04

申请号：KR1020030092585

申请日：2003-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철 ,  서준 ,  권혁진 ,  송종희 ,  안태혁 ,  강대근

IPC: H01L21/336

Abstract: 리세스 채널 트랜지스터를 포함하는 집적 회로 소자의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 집적 회로 소자의 제조방법은 먼저, 집적 회로 기판에 트렌치 소자 분리 영역을 형성하여 활성 영역을 정의하고, 이 활성 영역의 일부 및 그에 인접한 트렌치 소자 분리 영역을 노출시키는 라인 타입의 마스크 패턴을 실리콘 산화물로 형성한다. 그리고, 상기한 활성 영역보다 노출된 트렌치 소자 분리 영역이 리세스되도록 트렌치 소자 분리 영역 및 마스크 패턴을 희석화된 불화수소 또는 완충 산화막 식각액 등을 사용하여 습식 식각한 다음, 마스크 패턴의 측벽에 스페이서를 형성한다. 그리고, 상기한 마스크 패턴과 스페이서를 식각 마스크로 사용하여 게이트 트렌치를 형성하도록 활성 영역을 식각한 다음에, 형성된 게이트 트렌치를 매립하는 리세스 게이트를 형성한다.

公开(公告)号：KR1019990086846A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980020006

申请日：1998-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강대근 ,  손홍성 ,  송재인 ,  홍영기

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 형성된 절연막을 뚫고 상기 반도체 기판과 전기적으로 연결되는 스토리지 전극 콘택이 형성되고, 상기 스토리지 전극 콘택과 상기 절연막 상에 동일한 식각 조건에 대해 식각되는 양이 서로 다른 막들이 번갈아 적층되어 다층 절연막이 형성되고, 상기 스토리지 전극 콘택 및 상기 절연막의 상부 표면이 노출될 때까지 상기 다층 절연막이 식각되어 양측벽이 굴곡을 갖는 오프닝이 형성된다. 상기 오프닝이 도전막으로 채워져 스토리지 전극이 형성된다. 이와 같은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 의해서, 스토리지 전극간의 브리지(bridge)를 방지하는 큰 포토 마진(photo margin)의 확보와 함께 스토리지 전극의 유효 표면적을 증가 시킬 수 있다.