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    관통 전극을 갖는 반도체 장치 및 그의 제조 방법
    13.
    发明公开
    관통 전극을 갖는 반도체 장치 및 그의 제조 방법 审中-实审
    包括通过电极的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020160011154A

    公开(公告)日：2016-01-29

    申请号：KR1020150101110

    申请日：2015-07-16

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정덕영 ,  강필규 ,  박병률 ,  박지순 ,  손성민 ,  안진호 ,  김지황

    IPC: H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/485 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

    CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

    Abstract: 반도체패키지, 그제조방법, 및그를포함하는반도체패키지구조체를제공한다. 이방법은서로옆으로이격된복수의패키지보드부들(package board parts)을포함하는모 기판(parent substrate)을준비하는것, 상기각 패키지보드부상에적어도하나의관통-비아전극을포함하는제1 칩을실장하되, 상기관통-비아전극들은상기제1 칩들의후면들에의해덮히는것, 상기제1 칩들을갖는상기모 기판상에제1 몰드막을형성하는것, 상기제1 몰드막을평탄화시켜상기제1 칩들의후면들을노출시키는것, 상기제1 칩들의노출된후면들식각하여, 상기제1 칩들을얇게하고상기관통-비아전극들의후면들을노출시키는것, 상기평탄화된제1 몰드막, 상기제1 칩들의식각된후면들, 및상기관통-비아전극들의후면들상에패시베이션막을형성하는것, 및상기관통-비아전극들의후면들상의상기패시베이션막을선택적으로제거하여상기관통-비아전극들의후면들을노출시키는것을포함할수 있다.

    Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法以及包括该半导体器件的半导体封装结构。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：准备包括彼此分离的多个封装板部件的母基板; 在每个封装板部分上安装包括至少一个通孔电极的第一芯片，并且通过第一芯片的后表面覆盖通孔电极; 在具有第一芯片的母基板上形成第一模层; 通过平坦化第一模具层来暴露第一芯片的后表面; 通过蚀刻第一芯片的暴露的后表面，使第一芯片更薄并暴露通孔电极的后表面; 在平坦化的第一模具层上形成钝化层，在第一芯片的蚀刻后表面和通孔电极的后表面上形成钝化层; 并且通过选择性地去除通孔电极的后表面上的钝化层来暴露通孔电极的后表面。

    광 입출력 소자 및 그의 제조 방법
    18.
    发明公开
    광 입출력 소자 및 그의 제조 방법 审中-实审
    光输入/输出装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020130029293A

    公开(公告)日：2013-03-22

    申请号：KR1020110092652

    申请日：2011-09-14

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강필규 ,  신중한 ,  최길현 ,  박병률

    IPC: G02B6/12 ,  G02B6/42

    CPC classification number: G02B6/4206 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4204 ,  H01L31/0232

    Abstract: PURPOSE: An optical IO device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a crystal defect on a propagation path of an optical signal and thereby improve the reliability. CONSTITUTION: An optical IO device comprises a substrate(100), a waveguide(200), a photo-detector(300), and a light-transmitting insulating layer(145). The substrate comprises a trench. The waveguide is located within a top trench of the substrate. The photo-detector is located within the top trench of the substrate and is optically connected with an end surface of the waveguide. The light-transmitting insulating layer is located between the end surface of the waveguide and a first end surface of the photo-detector.

    Abstract translation: 目的：提供一种光学IO装置及其制造方法，以防止光信号的传播路径上的晶体缺陷，从而提高可靠性。 构成：光学IO器件包括衬底（100），波导（200），光电检测器（300）和透光绝缘层（145）。 衬底包括沟槽。 波导位于衬底的顶部沟槽内。 光检测器位于衬底的顶部沟槽内，并且与波导的端面光学连接。 透光绝缘层位于波导的端面和光检测器的第一端面之间。

    매립형 광 입출력 소자 및 그의 제조 방법
    19.
    发明公开
    매립형 광 입출력 소자 및 그의 제조 방법 无效
    BURIED型光输入/输出装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020120137840A

    公开(公告)日：2012-12-24

    申请号：KR1020110056950

    申请日：2011-06-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강필규 ,  배대록 ,  최길현 ,  박병률

    IPC: G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  H04B10/02

    CPC classification number: G02B6/305 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4204 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147 ,  G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  H04B10/00

    Abstract: PURPOSE: A buried type optical IO device and a method thereof are provided to prevent the damage of a waveguide, a coupler, and a photo detector. CONSTITUTION: An optical IO device comprises a base board(100), a coupler(300), a photo detector(400), and a waveguide(200). The base board comprises a trench. The waveguide is located in the trench. The photo detector is located in the trench and connected with the waveguide optically. The upper side of the photo detector has the same level with the upper side of the waveguide.

    Abstract translation: 目的：提供掩埋式光学IO装置及其方法，以防止波导，耦合器和光电检测器的损坏。 构成：光学IO装置包括基板（100），耦合器（300），光电检测器（400）和波导（200）。 基板包括沟槽。 波导位于沟槽中。 光电检测器位于沟槽中并与波导光学连接。 光检测器的上侧与波导的上侧具有相同的高度。

    ＳＯＩ 웨이퍼의 제조 방법
    20.
    发明公开
    ＳＯＩ 웨이퍼의 제조 방법 无效
    SOI WAFER制作方法

    公开(公告)号：KR1020090093074A

    公开(公告)日：2009-09-02

    申请号：KR1020080018392

    申请日：2008-02-28

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 최승우 ,  배대록 ,  이종욱 ,  차용원 ,  강필규 ,  김중호

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/76254

    Abstract: A method of manufacturing the SOI wafer to provide the donor wafer is provided to prevent particles from being generated by cleaving in the peripheral part of the donor wafer. The peripheral part of the one side of the donor wafer(100) is recessed to form the stepped height. The hydrogen ion-implanted layer(120) is formed inside the donor wafer. The insulating layer(210) is formed on the donor wafer. One side of the donor wafer and the handle wafer(300) are bonded each other to form the bonded wafer. The bonded wafer is heat-treated to separte the bonded wafer along the hydrogen-ion-implanted layer. In the donor wafer, the SOI layer is formed in the upper region of the hydrogen-ion-implanted layer.

    Abstract translation: 提供制造SOI晶片以提供施主晶片的方法，以防止在施主晶片的周边部分中裂开产生颗粒。 供体晶片（100）的一侧的周边部分被凹入以形成台阶高度。 氢离子注入层（120）形成在施主晶片的内部。 绝缘层（210）形成在施主晶片上。 施主晶片和处理晶片（300）的一侧彼此结合以形成接合晶片。 接合的晶片被热处理以沿着氢离子注入层分离接合晶片。 在施主晶片中，SOI层形成在氢离子注入层的上部区域中。

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