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公开(公告)号：KR101585210B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020090028198
申请日：2009-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76823 , H01L21/76843 , H01L21/76867 , H01L21/76876 , H01L2221/1094 , Y10S977/742 , Y10S977/936
Abstract: 콘택구조체형성방법을제공한다. 이방법은기판상에도전성패턴을형성하는것을포함한다. 상기도전성패턴을덮는층간절연막을형성한다. 상기층간절연막을패터닝하여상기도전성패턴의일부를노출시키는개구부를형성한다. 상기개구부가형성된기판의전면상에산화막을형성한다. 환원공정을진행하여상기산화막을환원시키되, 상기개구부의바닥영역에서의상기산화막은촉매막으로환원되고, 상기개구부의바닥영역이외의영역에서의상기산화막은비촉매막으로환원된다. 상기촉매막으로부터나노물질을성장시키어상기개구부내에콘택플러그를형성한다.
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公开(公告)号：KR1020150023181A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020130100645
申请日：2013-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31144 , H01L21/76804 , H01L27/10852 , H01L28/90 , H01L21/0274 , H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/48
Abstract: 기판 상에 중간층을 형성한다. 상기 중간층 상에 휨 제어 패턴을 형성한다. 상기 휨 제어 패턴 상에 상기 중간층의 0.17배 이하의 두께를 갖는 하드마스크 패턴을 형성한다. 상기 하드마스크 패턴은 제1 개구부를 가지며, 상기 휨 제어 패턴은 상기 제1 개구부에 연통된 제2 개구부를 가진다. 상기 중간층을 관통하며 상기 제2 개구부에 연통되고 20:1 이상의 종횡 비(aspect ratio)를 갖는 제3 개구부를 형성한다. 상기 휨 제어 패턴은 상기 제2 개구부의 하단에 형성된 제1 및 제2 모서리, 및 상기 제2 개구부의 상단에 형성된 제3 모서리를 포함한다. 상기 제1 모서리 상의 제1 점, 상기 제2 모서리 상의 제2 점, 상기 제1 점에 수직하고 상기 제3 모서리를 지나는 수평선 상에 위치한 제3 점을 정의할 때, 상기 제1 점 및 상기 제2 점 사이의 제1 변과 상기 제2 점 및 상기 제3 점 사이의 제2 변이 이루는 교각은 50° 내지 80° 이다.
Abstract translation: 在基板上形成中间层。 在中间层上形成弯曲控制部。 在弯曲控制图案上形成厚度为中间层的厚度0.17以下的硬掩模图案。 硬掩模图案具有第一开口部。 弯曲控制图案具有连接到第一开口部的第二开口部。 穿过中间层的第三开口部与第二开口部连接，形成纵横比为20:1以上。 弯曲控制图案包括形成在第二开口部的下端的第一边缘和第二边缘，以及形成在第二开口部的上端的第三边缘。 当第一边缘上的第一点，第二边缘上的第二点和位于垂直于第一点并且穿过第三边缘的水平线上的第三点被定义时， 第一点和第二点之间的第一侧和第二点与第三点之间的第二侧为50°至80°。
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公开(公告)号：KR1020110138521A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：KR1020100058450
申请日：2010-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/3086 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/11541 , H01L21/76205
Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to form a relatively thick coating film on sidewalls of patterns, thereby making the sidewalls vertical even though the sidewalls are excessively etched. CONSTITUTION: A conductive film and first and second hard masks are successively formed on a substrate(100). A first reserved pattern(112) and a second reserved pattern(114) are formed by patterning the conductive film. The first and second coating films(132,134) are formed on the sidewalls of the first and second reserved patterns by performing coating processes. First and second patterns with sidewalls vertical to the top of the substrate are formed by eliminating the first and second coating films and some parts of the sidewalls of the first and second reserved patterns.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法，以在图案的侧壁上形成相对厚的涂膜，从而即使侧壁被过度蚀刻也使得侧壁垂直。 构成：在衬底（100）上依次形成导电膜和第一和第二硬掩模。 通过图案化导电膜形成第一预留图案（112）和第二预留图案（114）。 通过执行涂覆工艺，在第一和第二预留图案的侧壁上形成第一和第二涂膜（132,134）。 通过消除第一和第二涂膜以及第一和第二预留图案的侧壁的一些部分，形成具有垂直于基板顶部的侧壁的第一和第二图案。
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公开(公告)号：KR1020100109772A
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020090028198
申请日：2009-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/76823 , H01L21/76843 , H01L21/76867 , H01L21/76876 , H01L2221/1094 , Y10S977/742 , Y10S977/936
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact structure is provided to regularly arrange carbon nano-tubes in an opening part by selectively forming a catalytic film on the bottom region of the opening part. CONSTITUTION: A conductive pattern is formed on a substrate. An interlayer insulating film(20) is formed to cover the conductive pattern. The interlayer insulating film is patterned to form an opening part(20a). A part of the conductive pattern is exposed through the opening part. An oxide film is formed on the entire surface of the substrate with the opening part. Parts of the oxide film excluding the oxide film on the bottom area of the opening part is reduced into a non-catalytic film. A contact plug is formed in the opening part by growing nano-tubes from the catalytic film.
Abstract translation: 目的：提供一种形成接触结构的方法，通过在开口部分的底部区域上选择性地形成催化膜来规则地将碳纳米管排列在开口部分中。 构成：在基板上形成导电图案。 形成层间绝缘膜（20）以覆盖导电图案。 对层间绝缘膜进行图案化以形成开口部（20a）。 导电图案的一部分通过开口部露出。 在具有开口部的基板的整个表面上形成氧化膜。 在开口部的底部区域上除氧化膜之外的部分氧化膜被还原为非催化膜。 通过从催化膜生长纳米管，在开口部分形成接触塞。
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公开(公告)号：KR1020100001552A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080061496
申请日：2008-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32128 , H01J37/32174 , H01J37/32532 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H05H2001/4645
Abstract: PURPOSE: An etching apparatus using plasma and a method of etching using the plasma are provided to accelerate a minus charged particle which is projected to a substrate by controlling and synchronizing radio frequencies of an etch apparatus. CONSTITUTION: In a etching apparatus using plasma and a method of etching using the plasma, a process chamber(110) etches a thin film on a substrate on a lower electrode by using plasma which is generated by a bias power and a source power. A bias power unit](112) transfers a radio frequency of the bias power to a pulse type mode. A source power unit(114) transfers the radio frequency of the source power to the pulse-type mode. A synchronizing unit(120) synchronizes a supply time of the pulse-type radio frequencies of the bias power and the source power.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体的蚀刻装置和使用等离子体的蚀刻方法，以通过控制和同步蚀刻装置的射频来加速投射到基板的负电荷粒子。 构成：在使用等离子体的蚀刻装置和使用等离子体的蚀刻方法中，处理室（110）通过使用由偏置功率和源功率产生的等离子体来蚀刻下部电极上的基板上的薄膜。 偏置功率单元]（112）将偏置功率的射频传送到脉冲类型模式。 源功率单元（114）将源功率的射频传送到脉冲型模式。 同步单元（120）使偏置功率的脉冲型射频和源功率的供给时间同步。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101559913B1
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：KR1020090057172
申请日：2009-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32724 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 흔히폐기되는 5㎜안밖의웨이퍼최외곽영역에서패턴의임계선폭이크게증가하거나감소하고, 특히라디칼에치가진행되는폴리에치의경우라디칼에천트의밀도가높아지면, 폴리실리콘막의임계선폭이작아지고, 폴리메릭에치가진행되는옥사이드에치의경우폴리머의밀도가높아지면, 옥사이드막의임계선폭이커지는웨이퍼프로세스의특성상, 식각되는물질막과사용되는프로세스가스의선택에따라식각정도가달라지는점을고려하여, 상기물질막과프로세스가스의종류와관계없이동일한프로세스챔버내에서도선택적으로식각온도를제어할수 있는에지용냉각수단및 가열수단을커플링링에별도로구비한다. 상기냉각수단은쿨런트가플로우되는쿨런트채널로구성되고, 가열수단은저항성의히터코일로구성된다.
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公开(公告)号：KR1020150031672A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130111148
申请日：2013-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/312 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/32155 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L28/91 , H01L21/3122 , H01L21/0273 , H01L27/10844 , H01L27/11517
Abstract: 기판 상에 적어도 하나 이상의 몰딩층을 형성하고, 상기 몰딩층 상에 서로 식각 선택비가 상이한 실리콘 마스크 층, 제1 및 제2 마스크 층들, 및 마스크 패턴을 수직으로 정렬되도록 형성하고, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제2 마스크 층을 제2 마스크 패턴으로 패터닝하고, 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1 마스크 층을 제1 마스크 패턴으로 패터닝하고, 상기 제1 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 실리콘 마스크 층을 실리콘 마스크 패턴으로 패터닝하고, 상기 실리콘 마스크 패턴에 불순물을 도핑하여 식각 선택비가 향상된 하드 마스크 패턴으로 변환시키고, 상기 하드 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 몰딩층을 수직으로 관통하는 고종횡비 컨택(HARC) 구조의 홀을 형성하고, 및 상기 하� �� 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법이 설명된다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体器件的制造方法。 半导体器件的制造方法包括：在基板上形成至少一个成型层; 在模制层上垂直排列硅掩模层，第一和第二掩模层以及具有不同蚀刻选择性的掩模图案; 使用掩模图案作为蚀刻掩模将第二掩模层图案化为第二掩模图案; 使用第二掩模图案作为蚀刻掩模将第一掩模层图案化为第一掩模图案; 使用第一掩模图案作为蚀刻掩模，将硅掩模层图案化为硅掩模图案; 通过在硅掩模图案中掺杂杂质将硅掩模图案转换成具有改进的蚀刻选择性的硬掩模图案; 通过使用硬掩模图案作为蚀刻掩模，形成垂直穿过成型层的高纵横比接触结构的孔; 并去除硬掩模图案。
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公开(公告)号：KR1020130042695A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020110106718
申请日：2011-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: PURPOSE: A plasma etching apparatus is provided to improve plasma uniformity by using an upper electrode as segment electrodes. CONSTITUTION: A chamber has a space for generating plasma. An upper electrode(20) faces a lower electrode(30) in the chamber. A first RF generator(40) supplies a first radio frequency power to the upper electrode. A second radio frequency generator(50) supplies a second radio frequency power to the lower electrode. Segment electrodes have a continuous conductivity gradient. [Reference numerals] (AA) Plasma;
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体蚀刻装置，通过使用上电极作为段电极来提高等离子体的均匀性。 构成：一个室具有产生等离子体的空间。 上电极（20）面对室内的下电极（30）。 第一RF发生器（40）向上电极提供第一射频功率。 第二射频发生器（50）向下电极提供第二射频功率。 段电极具有连续的电导率梯度。 （AA）等离子体;
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公开(公告)号：KR1020120047600A
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020100109259
申请日：2010-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0332 , H01L21/28273 , H01L21/3081 , H01L21/76224 , H01L27/11521 , H01L21/0273 , G03F7/2022 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A method for forming a fine pattern and a method of fabricating a semiconductor device are provided to prevent photoresist from being broken by using a photoresist pattern having a low aspect ratio. CONSTITUTION: A intermediate material layer(130) less than 20nm thick is formed on a first hard mask material layer(120). A photoresist pattern(142a) is formed on the intermediate material layer. The intermediate material layer is etched by using a photoresist pattern as an etching mask. The first hard mask material layer is etched by using an intermediate pattern as the etching mask. A semiconductor substrate(110) is etched by using the first hard mask pattern as the etching mask.
Abstract translation: 目的：提供一种形成精细图案的方法和制造半导体器件的方法，以通过使用具有低纵横比的光致抗蚀剂图案来防止光致抗蚀剂破裂。 构成：在第一硬掩模材料层（120）上形成小于20nm厚的中间材料层（130）。 在中间材料层上形成光致抗蚀剂图案（142a）。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻中间材料层。 通过使用中间图案作为蚀刻掩模来蚀刻第一硬掩模材料层。 通过使用第一硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻半导体衬底（110）。
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公开(公告)号：KR1020100022146A
公开(公告)日：2010-03-02
申请号：KR1020080080673
申请日：2008-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a method thereof are provided to uniformly maintain the plasma in the pulse on and pulse off by applying a plasma maintaining power. CONSTITUTION: A chamber processes a semiconductor substrate by generating the plasma. Top and bottom electrodes(13, 14) are arranged inside the chamber. A first radio frequency power source(21) applies a first radio frequency power either of the top and bottom electrode in pulse mode. A second harmonic wave power source(22) applies a second high frequency power either of the top and bottom electrode in the other one to the persistence mode. A Controller controls the first and second harmonic wave powers. The first radio frequency power is the source power for the plasma production at the low pressure band. The duty ratio of the first radio frequency power is 20~90%.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置及其方法，通过施加等离子体维持功率来均匀地维持脉冲中的等离子体和脉冲。 构成：室通过产生等离子体来处理半导体衬底。 顶部和底部电极（13,14）布置在室内。 第一射频电源（21）以脉冲模式施加顶电极和底电极中的任一个的第一射频功率。 第二谐波电源（22）将第二高频电源中的另一个中的顶电极和底电极施加到持续模式。 A控制器控制第一和第二谐波功率。 第一个射频功率是低压带等离子体生产的源功率。 第一个射频功率的占空比为20〜90％。
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