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公开(公告)号：KR101142996B1
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020040117735
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/0823 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 그리고 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터를 포함한다. 이때, 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 동일한 제어 전압 또는 서로 다른 극성의 제어 전압이 인가되며, 제1 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 하부에 배치되어 있으며, 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 상부에 배치되어 있다. 본 발명에 의하면, 2개의 구동 트랜지스터를 형성하면서도 이들이 화소에서 차지하는 면적을 줄일 수 있으며, 또한 서로 다른 극성의 제어 전압을 각 구동 트랜지스터에 인가함으로써 구동 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 열화Abstract translation: 显示装置包括发光二极管，以及连接在驱动电压和发光二极管之间以将驱动电流提供给发光二极管的第一和第二驱动晶体管。 彼此极性不同的控制电压或控制电压被施加到第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的控制端子。 第一驱动晶体管具有位于发光二极管的半导体层下方的控制电极，而第二驱动晶体管具有位于半导体层上方的控制电极。 两个驱动晶体管形成在每个像素处，并且其在像素内占据的面积减小。 对各个驱动晶体管施加彼此极性不同的控制电压，基本上防止了驱动晶体管的劣化。
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公开(公告)号：KR101112556B1
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020050027978
申请日：2005-04-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/0809 , G09G2300/0852 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터, 데이터 전압을 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 전달하는 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터, 그리고 데이터 전압을 받아 데이터 전압의 극성과 반대인 반전 전압을 생성하여 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 인가하는 제1 및 제2 반전부를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 본 발명에 의하면 두 개의 반전부 및 두 개의 구동 트랜지스터를 구비함으로써 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 천이를 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 수명을 증가시킬 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 다이오드, 박막 트랜지스터, 축전기, 데이터 전압, 반전부, 역바이어스-
公开(公告)号：KR1020090128888A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020080054863
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2037 , G09G3/2081 , G09G2300/0842 , H01L27/3244 , H01L2027/11879 , H01L2227/323
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a driving method thereof are provided to display the images with various colors by the gray scale of various steps by inserting at least one additional bit signal for an additional sub frame. CONSTITUTION: A driving transistor(T2) switches the current supply to an OLED by an image signal. A current controller includes a plurality of current control transistors(T3,T4) controlling an amount of currents to the OLED. A driving transistor operates in a linear region. Current control transistors operate at a saturation region. A storage capacitor stores an image signal. A switching transistor stores the image signal in a storage capacitor.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其驱动方法，通过插入附加子帧的至少一个附加位信号，通过各种步骤的灰度显示各种颜色的图像。 构成：驱动晶体管（T2）通过图像信号将电流源切换到OLED。 电流控制器包括控制到OLED的电流量的多个电流控制晶体管（T3，T4）。 驱动晶体管在线性区域中工作。 电流控制晶体管在饱和区域工作。 存储电容器存储图像信号。 开关晶体管将图像信号存储在存储电容器中。
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公开(公告)号：KR1020080076292A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070016033
申请日：2007-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/42384 , H01L2029/7863 , H01L29/78675
Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to change doping level for respective semiconductor layer regions by adjusting thickness and location of first, second, and third insulation layers. A thin film transistor comprises a lower structure(11), a semiconductor layer(12), first and second insulation layers(14a,14b), and a third insulation layer(16), and a gate electrode layer(17). The semiconductor layer includes a plurality of doped regions(12b,12c,12d) on the lower structure. The first and second insulation layers are formed on the semiconductor layer, separated from each other. The third insulation layer is formed on the first and second insulation layers. The gate electrode layer is formed on the third insulation layer between the first and second insulation layers. The width of the third insulation layer is longer than that between the first and second insulation layers and shorter than that between the left part of the first insulation layer and the right part of the second insulation layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法，通过调整第一，第二和第三绝缘层的厚度和位置来改变各半导体层区域的掺杂水平。 薄膜晶体管包括下部结构（11），半导体层（12），第一和第二绝缘层（14a，14b）以及第三绝缘层（16）和栅电极层（17）。 半导体层包括在下部结构上的多个掺杂区域（12b，12c，12d）。 第一绝缘层和第二绝缘层形成在半导体层上，彼此分离。 第三绝缘层形成在第一和第二绝缘层上。 栅电极层形成在第一和第二绝缘层之间的第三绝缘层上。 第三绝缘层的宽度比第一绝缘层和第二绝缘层之间的宽度长，并且比第一绝缘层的左部分和第二绝缘层的右部分之间的宽度短。
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公开(公告)号：KR100926591B1
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020070073427
申请日：2007-07-23
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/0261 , G09G2320/066
Abstract: 본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 구동 트랜지스터의 열화 현상을 최소화 하는 데 있다.
이를 위해 본 발명은 주사선이 제어전극에 전기적으로 연결되며 데이터선과 제1전원전압선 사이에 전기적으로 연결되어 데이터신호를 전달하는 제1스위칭 소자와, 제1스위칭 소자에 제어전극이 전기적으로 연결되며 제1전원전압선과 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터에 전기적으로 연결되며 구동 트랜지스터에 의해 공급되는 전류에 의해 화상을 표시하는 유기 전계 발광 소자와, 구동 트랜지스터의 제어전극과 제1스위칭 소자 사이에 전기적으로 연결된 제1용량성 소자와, 제1용량성 소자와 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제2용량성 소자와, 제1전원전압선과 구동 트랜지스터의 제어전극 사이에 전기적으로 연결된 제2스위칭 소자와 제1스위칭 소자와 구동 트랜지스터 사이에 전기적으로 연결된 제3스위칭 소자와, 구동 트랜지스터의 제어전극과 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제4스위칭 소자 및 구동 트랜지스터와 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제5스위칭 소자를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치를 개시한다.
AMOLED, 구동 트랜지스터, 네가티브(Negative), 어닐링(Anneling), 열화-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100887805B1
公开(公告)日：2009-03-09
申请号：KR1020070092367
申请日：2007-09-12
Applicant: 현대자동차주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L29/7302
Abstract: An apparatus for protecting insulated gate bipolar transistor is provided to strengthen a protection of an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) module by integrating a protective circuit inside the IGBT. A main IGBT(100) includes a p-type floating well(110). A current detecting circuit includes a first MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)(210). The first MOSFET detects a current flowing through the p-type floating well, and supplies a voltage to a gate of a second MOSFET(310) inside a pull-down circuit. The second MOSFET turns on by supplying the voltage to the current detecting circuit, and reduces a gate voltage of the main IGBT. A voltage of the p-type floating well is supplied to a gate and a drain of the first MOSFET device.
Abstract translation: 提供一种用于保护绝缘栅双极晶体管的装置，通过在IGBT内集成保护电路来加强对IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的保护。 主IGBT（100）包括p型浮动井（110）。 电流检测电路包括第一MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）（210）。 第一MOSFET检测流过p型浮动阱的电流，并向下拉电路内的第二MOSFET（310）的栅极提供电压。 第二个MOSFET通过向电流检测电路提供电压而导通，并降低主IGBT的栅极电压。 p型浮置阱的电压被提供给第一MOSFET器件的栅极和漏极。
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公开(公告)号：KR1020090010371A
公开(公告)日：2009-01-30
申请号：KR1020070073427
申请日：2007-07-23
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/0261 , G09G2320/066
Abstract: An organic light emitting display device is provided to prevent a motion blur phenomenon and improve a high contrast ratio by controlling a ratio of a light emitting driving period to a negative annealing period variously. A first switching element is connected between a data lien and a first power voltage line and transmits a data signal. A scan line is electrically connected to a control electrode. A driving transistor is electrically connected between a first power voltage line and a second power voltage line. The first switching element is electrically connected to the control electrode. An organic light emitting device is electrically connected to the driving transistor and displays the image by the current supplied by the driving transistor. A first capacitance device is electrically connected between the control electrode of the driving transistor and the first switching element. A second capacitive device is electrically connected between the first capacitance device and the second power voltage line. A second switching element is electrically connected between the control electrode of the driving transistor and the first power voltage line. A third switching element is electrically connected between the first switching device and the driving transistor. A fourth switching element is electrically connected between the control electrode of the driving transistor and the second power voltage line. The fifth switching element is electrically connected between the driving transistor and the second power voltage line.
Abstract translation: 提供一种有机发光显示装置，通过不同地控制发光驱动周期与负退火时间的比例来防止运动模糊现象并提高高对比度。 第一开关元件连接在数据留置权和第一电源电压线之间并发送数据信号。 扫描线电连接到控制电极。 驱动晶体管电连接在第一电源线和第二电源线之间。 第一开关元件电连接到控制电极。 有机发光器件电连接到驱动晶体管，并通过由驱动晶体管提供的电流来显示图像。 第一电容器件电连接在驱动晶体管的控制电极和第一开关元件之间。 第二电容性器件电连接在第一电容器件和第二电源电压线之间。 第二开关元件电连接在驱动晶体管的控制电极和第一电源电压线之间。 第三开关元件电连接在第一开关器件和驱动晶体管之间。 第四开关元件电连接在驱动晶体管的控制电极和第二电源线之间。 第五开关元件电连接在驱动晶体管和第二电源线之间。
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公开(公告)号：KR1020080022695A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：KR1020060086207
申请日：2006-09-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3266 , G09G3/3233 , G09G2320/0214 , G09G2320/046 , H01L27/0274
Abstract: A pixel structure of a display device and a method for driving the display device are provided to suppress a crosstalk phenomenon by maintaining a uniform OLED current during one frame. A pixel structure is controlled by an n-th scan signal and includes a switching transistor for selecting a unit pixel which is defined by data and scan lines. A source/drain current path of a leakage current compensation transistor is connected to a source/drain current path of the switching transistor at a node A. The leakage current compensation transistor delivers a control data signal for compensating for a leakage current of the switching transistor to the node A under the control of an n-1-th scan signal. The pixel structure includes OLEDs(Organic Light Emitting Diodes), a driving transistor(T2), and a capacitor(C1). The driving transistor receives the data voltage through a gate which is connected to the node A, and supplies a corresponding current to the OLED. The capacitor stores the data voltage which is applied to the gate of the driving TFT(Thin Film Transistor).
Abstract translation: 提供显示装置的像素结构和驱动显示装置的方法，以通过在一帧期间保持均匀的OLED电流来抑制串扰现象。 像素结构由第n扫描信号控制，并且包括用于选择由数据和扫描线限定的单位像素的开关晶体管。 泄漏电流补偿晶体管的源极/漏极电流路径连接到节点A处的开关晶体管的源极/漏极电流路径。漏电流补偿晶体管传送用于补偿开关晶体管的漏电流的控制数据信号 在第n-1扫描信号的控制下向节点A发送。 像素结构包括OLED（有机发光二极管），驱动晶体管（T2）和电容器（C1）。 驱动晶体管通过连接到节点A的栅极接收数据电压，并将相应的电流提供给OLED。 电容器存储施加到驱动TFT（薄膜晶体管）的栅极的数据电压。
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公开(公告)号：KR1020080004203A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：KR1020060062935
申请日：2006-07-05
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H02M3/073 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G3/3696 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2330/02
Abstract: A DC/DC converting circuit, a display apparatus having the same, and a method of driving the DC/DC converting circuit are provided to prevent voltage drop by generating boosted output voltages by two times. A DC/DC(Direct Current) converting circuit includes a charge pumping unit(110), an output unit(130), and a level boosting unit(120). The charge pumping unit receives input voltage, and first and second clocks having opposite phase from outside, outputs a first voltage boosted from the input voltage as much as the high voltage of the first clock during a high interval of the first clock, and outputs a second voltage boosted from the input voltage as much as the high voltage of the second clock during a high interval of the second clock. The output unit outputs the first and second voltages to an output terminal during a low interval of the second and first clocks. The level boosting unit applies output or ground voltages to the charge pumping unit in response to the first and second clocks, and turns on/off the charge pumping unit.
Abstract translation: 提供DC / DC转换电路，具有该DC / DC转换电路的显示装置和驱动DC / DC转换电路的方法，以通过将升压的输出电压产生两倍来防止电压下降。 DC / DC（直流）转换电路包括电荷泵送单元（110），输出单元（130）和电平升高单元（120）。 电荷泵送单元接收输入电压，并且具有与外部相反相位的第一和第二时钟在第一时钟的高间隔期间输出从第一时钟的高电压的输入电压提升的第一电压，并输出一个 在第二时钟的高间隔期间，第二电压从输入电压提升多达第二时钟的高电压。 输出单元在第二和第一时钟的低间隔期间将第一和第二电压输出到输出端。 电平提升单元响应于第一和第二时钟将输出或接地电压施加到电荷泵送单元，并且打开/关闭电荷泵送单元。
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公开(公告)号：KR100704017B1
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：KR1020050017191
申请日：2005-03-02
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03K19/0185
Abstract: 본 발명은 레벨쉬프터에 있어서, 다수의 P형 박막 트랜지스터로 구성되며, 상보형 입력신호들(IN, INB)을 받아서 고준위 전압이 레벨쉬프트된 상보형 출력신호들을 출력하는 고준위 전압 레벨쉬프트 회로와, 다수의 P형 박막 트랜지스터로 구성되며, 고준위 전압 레벨쉬프트 회로에서 출력되는 상보형 출력신호들을 상보형 입력신호들로서 받아서 저준위 전압이 레벨쉬프트된 상보형 출력신호들을 출력하는 저준위 레벨쉬프트 회로를 포함하여 구성한다.
레벨쉬프터, 저전압, 부트스트래핑, PMOS 드라이버, CMOS
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